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[发明专利]一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法-CN202211254011.3在审
发明人：陈晨;夏峰;付宇龙;郑海龙;汪子超;刘永红;孙彩娜;王瑜 -专利权人：包头金山磁材有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法，属于永磁体技术领域。得到主合金铸片及辅合金铸片；将特定配比的主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体本发明中烧结钕铁硼永磁体中Al以及Gd元素含量高，并以合金方式加入低熔点In元素改善磁体晶界分布，在不添加Dy以及Tb重稀土元素的情况下，能够得到磁性能12kGs剩磁且矫顽力23kOe的烧结钕铁硼永磁体
一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法

[发明专利]一种与清水快速反应的高延伸率镁合金及其制备方法-CN202111106351.7在审
发明人：刘雪 -专利权人：刘雪
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C22C23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种与清水快速反应的高延伸率镁合金及其制备方法，该高延伸率镁合金含有钆、钇、铝、锌、锆、硅、铜、铁、镍、镓、铟、铍、镧、铈、锰、钙与镁；按重量份计，所述钆的含量为1.0‑11.0份，所述钇的含量为1.0‑6.0份，所述铝的含量为0.6‑1.5份，所述锌的含量为0.5‑6.5份，所述锆的含量为0.1‑0.5份，所述硅、铜、铁、镍、镧、铈、锰、镓、铟的总含量为为0.05‑6.0份，所述铍和钙的总的含量为0.1‑0.5份，所述镁的含量为66‑97份；该高延伸率镁合金解决了现有技术中镁合金与水的反应速率慢和延伸率低下的问题。
一种清水快速反应延伸镁合金及其制备方法

[发明专利]一种离子液体法稀土钆精制除铝的方法-CN202010420431.9有效
发明人：张香平;李福建;董海峰;高红帅;白银鸽;张锁江 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C22B3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子液体法稀土钆溶液精制除铝制备高纯钆的方法，属于萃取分离领域。其特征在于使用具有特定结构的功能化离子液体为萃取剂，有机溶剂为稀释剂，组成具有选择性萃取铝的有机相，通过串级萃取实现稀土钆溶液高效除铝。除铝后的GdCl3溶液中杂质铝含量小于10ppm，稀土收率大于99.5％，满足高纯钆(4N5)的杂质含量要求。本发明与现有稀土溶液除铝方法比较，具有无需皂化、工艺简单、成本低、除铝效率高、稀土损失少的优点。
一种离子液体稀土精制方法

[发明专利]一种玻璃/钆镓铝石榴石复合材料的制备方法-CN201911258392.0有效
发明人：魏钦华;李来超 -专利权人：福建省长汀金龙稀土有限公司;厦门稀土材料研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C03C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃/钆镓铝石榴石复合材料的制备方法，其选用纳米尺寸的铈掺杂的钆镓铝石榴石纳米粉体，并将该铈掺杂的钆镓铝石榴石纳米粉体复合到镧铝硅玻璃基质中，通过刮涂、常压烧结制备得到玻璃/钆镓铝石榴石复合材料，其制备温度低，具有制备方法简单，成本低，易于产业化等特点，同时解决Ga2O3易挥发导致组分偏离，制备流程复杂和加工成本高以及有机材料易老化等问题
一种玻璃钆镓铝石榴石复合材料制备方法

[发明专利]一种高白度氧化锌导电粉体及其钆离子掺杂制备方法-CN202310662044.X在审
发明人：马剑钢;李鹏;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高白度氧化锌导电粉体及其钆离子掺杂制备方法。所述高白度氧化锌导电粉体的制备方法包括如下步骤：S1、配制锌离子与掺杂剂离子的混合溶液；掺杂剂离子为钆离子与铝离子、镓离子、铟离子和锡离子中至少一种的混合物；S2、配制碱性沉淀剂的水溶液；S3、将水溶液加入至混合溶液中本发明实现了稀土离子掺杂抑制金属氧化物粉体材料中氧空位缺陷的形成，解决了传统金属氧化物导电粉体白度低的问题。
一种高白度氧化锌导电及其离子掺杂制备方法

[发明专利]锁模激光器用的宽带低损耗半导体可饱和吸收镜-CN03130012.X无效
发明人：张志刚;王清月;柴路;孙大睿;赵江山;刘永军 -专利权人：天津大学
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：该吸收镜由反射镜支撑片、粘合剂层、金属(金或银)膜反射层、透明半导体层(铝镓砷，铟铝镓砷)、半导体量子阱可饱和吸收体(镓砷，铟镓砷)、透明半导体层(铝镓砷，铟铝镓砷)依次构成，其特征在于：在金属(金或银)膜反射层和相邻的透明半导体层(铝镓砷，铟铝镓砷)之间插入一层低折射率(小于1.65)的透明介质层，或者是在该透明介质层和透明半导体层之间再插入由高、低折射率介质层对组成的高反膜层。该半导体可饱和吸收镜具有宽带、高反射、低损耗等优点，能够导致锁模激光器的低阈值、高效率和短脉冲运转。
激光器用宽带损耗半导体饱和吸收

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]一种铝-空气电池用八元铝合金阳极的制备方法-CN201410731938.0有效
发明人：谢刚;田永;臧建;余强;姚云;和晓才;李怀仁;田林;柯浪;徐俊毅 -专利权人：昆明冶金研究院
申请日： 2014-12-06 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝-空气电池用八元铝合金阳极的制备方法，属于冶金与材料加工技术领域。该阳极包括铝-锰中间合金制备、铝-镁中间合金制备、铝-锂中间合金制备、铝-锂-锰-镓-铟-锡-镁-铋合金的熔炼、浇铸、冷变形加工和热处理几个步骤。具体是以金属纯铝、纯锂、电解锰粒、镁粒、高纯镓、高纯铟、高纯锡、高纯铋为原料，先制备得铝-锰中间合金、铝-镁中间合金和铝-锂中间合金，经过熔炼、合金化，浇铸、轧制过程制备得铝-锂-锰-镓-铟-锡-镁-铋合金该发明工艺制备了一种高性能的新型铝空气电池用八元铝合金阳极，提高了阳极的能量密度，降低了阳极的析氢速率，提高了阳极的利用率，工艺简单，生产成本低。
一种空气电池用八元铝合金阳极制备方法

[发明专利]一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法-CN200810071575.7有效
发明人：王翠萍;刘兴军;郁炎 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法，涉及一种核/壳结构的合金粉体，尤其是涉及一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法。提供一种具有低熔点和高导热性的核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法。其核为铝锡基合金核，壳为铟锡基合金壳。按质量百分数，核/壳结构的铝铟锡合金粉体的成分为：Sn：13％～23％，In：38％～43％，余为铝。按预先设定的铝铟锡合金粉体的成分，称量铝、铟、锡各金属熔化，得熔化的合金液体；将熔化的合金液体倾倒于受液斗，流入雾化室，用惰性气体吹之，即可得核/壳结构的铝铟锡合金粉体。
一种结构铝铟锡合金粉及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210192751.9有效
发明人：林刘毓;张准 -专利权人：林刘毓;张准
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种陶瓷工艺品表面喷施复合铜粉末的方法-CN201811098191.4有效
发明人：张海涛 -专利权人：界首永恩机电科技有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷工艺品表面喷施复合铜粉末的方法，包括以下操作步骤：（1）将铝粉、钆粉与异丙醇反应后，得到钆铝双金属醇盐；（2）将钆铝双金属醇盐煅烧处理后，得到钆铝复合氧化物粉末；（3）将氧化锌、氧化钒、乙二胺四乙酸、山嵛酰胺、去离子水混合均匀后，将产物水洗、烘干处理后，得到焦钒酸锌中空微球粉末；（4）将黄铜粉末、铁粉、氮化锆、钆铝复合氧化物粉末、焦钒酸锌中空微球粉末混合后制得复合铜粉末；（5）将制得的复合铜粉末采用火焰喷涂设备喷涂在洗净的陶瓷工艺品表面本发明在陶瓷工艺品表面制得的涂层，色泽鲜艳，光泽度高，表面平整，并且硬度高，尤其是与陶瓷表面的结合强度高，不易发生脱落的现象。
一种陶瓷工艺品表面喷施复合粉末方法

[发明专利]包括多个单片式激光二极管的AlInGaAs/InGaAsP/InP边缘发射半导体激光器-CN202180057846.7在审
发明人：西迪·阿布吉;大卫·M·比恩 -专利权人：赛米尼克斯有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：单片式边缘发射半导体激光器，包括多个激光二极管，使用砷磷化铝铟镓AlInGaAs/InGaAsP/InP材料系统，以长波长(1250nm至1720nm)发射。每一个激光二极管包括有源区，该有源区包括铝铟镓砷量子阱(AlInGaAs QW)和铝铟镓砷(AlInGaAs)势垒，并通过称为隧道结的高掺杂、低带隙和低电阻的铟镓砷结连接到随后的单片式激光二极管。
包括单片激光二极管 alingaas ingaasp inp 边缘发射半导体激光器

[发明专利]一种制备铜铟铝碲薄膜的方法-CN201810522795.0在审
发明人：刘科高;李静;许超;赵忠新;刘宏 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备铜铟铝碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO₂、Cu(NO₃)₂用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟铝碲光电薄膜本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
铜铟光电薄膜制备前驱体薄膜样品放入薄膜制备技术领域高真空条件可密闭容器前驱体薄膜热处理工艺生产成本低制备高性能薄膜材料玻璃基片澄清透明密闭容器生产效率水合联氨仪器设备自然晾干玻璃片均匀性新工艺旋涂法溶剂联氨加热配制清洗取出生产

[发明专利]一种精密电阻镍基合金-CN201410306669.3有效
发明人：刘慧慧 -专利权人：张家港市佳晟机械有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明揭示了一种精密电阻镍基合金，所述的精密电阻镍基合金由镍、铜、铝、钼、铬以及铟六种金属成分组合而成，所述的精密电阻镍基合金中各成分所占重量百分比分别为：所述的镍占76.9%-81.3%，所述的铜占6.8%-7.7%，所述的铝占5.3%-6.2%，所述的钼占2.4%-3.3%，所述的铬占2.7%-3.6%，所述的铟占1.5%-2.3%。由镍、铜、铝、钼、铬以及铟等六种金属元素组成，具有耐化学腐蚀性好、耐磨性好、硬度高、磁导率高、矫顽力低的特点。
一种精密电阻合金

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210249760.7有效
发明人：林刘毓;张准 -专利权人：林刘毓;张准
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层，其中使用多个溅射腔进行分步溅射来完成制备吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备方法

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