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[发明专利]一种高纯碳化硅制备方法及对应的高纯碳化硅-CN202111149260.1在审
发明人：陈鹏磊;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;程周鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅制备方法，包括以下步骤：S1、将高纯碳粉置于石墨坩埚内，使用高温真空的方法提纯高纯碳粉；S2、将块状硅放入石墨坩埚内，加热使块状硅融化，旋转石墨坩埚使高纯碳粉和块状硅混合均匀，反应合成高纯碳化硅。本申请使用块状硅代替硅粉，块状硅的纯度远高于硅粉末；在块状硅融化成液体硅后，通过石墨坩埚高速旋转，使硅溶液内部形成对流，高纯碳粉可均匀的分布在硅溶液中，冷却后可形成高纯度，高合成度的高纯碳化硅，高纯碳化硅的纯度普遍高于
一种高纯碳化硅制备方法对应

[发明专利]一种高纯硅钨粉的制备方法-CN202210256005.5在审
发明人：张龙辉;徐国钻;周俊安;羊求民;王韶毅;刘莉;林丽萍;黄春燕;黄月玲 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B22F3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯硅钨粉的制备方法，为了解决传统的硅钨粉制备过程中容易生成二氧化硅以及高纯硅钨粉中氧含量不能有效降低等问题，本发明提供了一种高纯硅钨粉的制备方法。本发明以高纯钨粉、高纯硅粉为原料，经混合、高温烧结后制备得到高纯硅钨粉团聚体，然后经气破处理，制备得到分散性较好的高纯硅钨粉。采用本发明的高纯硅钨粉的制备方法，可以制备得到分散性更好的高纯硅钨粉，能够更好的满足高纯度钨硅靶材对高纯硅钨粉原料的需求，在电子栅门材料以及电子薄膜领域的应用市场非常广阔。
一种高纯硅钨粉制备方法

[发明专利]生产高纯颗粒硅的方法-CN201410031137.3有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产高纯颗粒硅的方法，是200910149144.2生产高纯颗粒硅的反应器和方法的分案。该方法包括：a.形成高纯粒状硅床层；b.加热高纯粒状硅床层，使其温度为100℃－1400℃；c.使高纯粒状硅床层中粒状硅处于相对运动状态；d.通入辅助气体和原料气体，所产反应尾气排出；e.对生产得到的高纯颗粒硅进行收集或输送到下一工艺单元本发明使用处于运动状态的密集堆积的高纯粒状硅床层，避免了粒状硅之间的粘结，减小了反应器体积，并且通过密集堆积的高纯粒状硅床层捕获反应尾气中的高纯粉末硅作为种子，还利用反应尾气的余热为补充的粒状硅加热，实现了超大型、高效、节能、连续、低成本生产高纯颗粒硅。
生产高纯颗粒方法

[发明专利]一种用于发动机异型的后机匣蒙皮的圆环形高硅氧隔热层及其隔热方法-CN201811409204.5在审
发明人：杨玲;张海峰;贺晔红;徐琪 -专利权人：中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： F01D25/14 文献下载
摘要：本发明公开一种用于发动机异型的后机匣蒙皮的圆环形高硅氧隔热层及其隔热方法，包括高硅氧针刺毡、高硅氧布、连接布和高硅氧纤维缝纫线；高硅氧针刺毡、连接布和高硅氧布均呈圆环形；高硅氧布分为上层和下层，下层高硅氧布的圆环内径小于上层高硅氧布的圆环内径；上层高硅氧布和下层高硅氧布将高硅氧针刺毡进行包覆后，通过高硅氧纤维缝纫线将上层高硅氧布和下层高硅氧布的圆环外径进行缝合，上层高硅氧布和下层高硅氧布的圆环内径与连接布对接后进行缝合。
高硅氧布硅氧圆环上层高硅氧针刺毡后机匣连接布圆环形隔热蒙皮高硅氧纤维发动机缝纫线高硅氧隔热层缝合技术方案结构不规则形状异性材料包覆下层

[实用新型]汽车传感器用光电二极管-CN201922467618.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述高掺杂P型硅层外边缘、高掺杂N型硅层内边缘和低掺杂的N型高阻硅衬底上覆盖氮化硅钝化薄膜；所述氮化硅钝化薄膜、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上沉积碳纳米层。本实用新型的二极管稳定性好，灵敏度高，可应用于汽车传感器。
汽车传感器用光电二极管

[发明专利]高钙硅铁-CN95113058.7无效
发明人：李明华;李健;王诚之;呈诸根;李阶洪;郑世德;李永治;易邦伦;邓泽述 -专利权人：四川理县理成铁合金厂
申请日： 1995-11-07 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明基本上由硅、钙、铁、锰、铝、磷、硫、碳组成，其含量为Si６０—８０、４〈Ca<１０、Mn≤0.4、Al≤２、Ｐ≤０．０３５、Ｓ≤０．０２、Ｃ≤０．２，其余为铁（重量％）。
高钙硅铁

[实用新型]高硅铸铁阳极-CN201821028205.0有效
发明人：于宝辉;于海波 -专利权人：廊坊市久运管道设备有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23F13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硅铸铁阳极，包括钢套管，所述钢套管内壁四侧连接有支架安装槽，且支架安装槽上方内部安装有第一绝缘支架，所述第一绝缘支架顶端外部连接有防护弹簧，且防护弹簧顶端安装有第一防护板，所述第一防护板内部连接有填充通孔该一种高硅铸铁阳极可以有效的防止填充焦炭填料时绝缘支架产生上下移动和变形的情况，保持裸电极在钢套管内的位置不会产生改变。
绝缘支架焦炭填料钢套管支架安装槽阳极高硅铸铁外部安装防护板裸电极填充绝缘固定环防护弹簧内部安装内部连接外部连接通孔本实用新型顶端安装内部设置上下移动变形的侧连接导气管侧端内壁

[发明专利]一种增材制造用高硅铝合金材料及其制备方法-CN201911306419.9在审
发明人：李晓庚;陈钰青;周朝辉 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种增材制造用高硅铝合金粉末材料的制备方法，包括以下步骤：S1：配料，准备高硅铝合金锭和钬，所述高硅铝合金锭的硅含量为20‑50％，所述高硅铝合金锭中磷元素含量不高于400ppm；S2：熔炼及雾化制粉，将高硅铝合金锭和钬熔炼后雾化制粉，得到高硅铝合金粉末,所述钬在高硅铝合金粉末材料中的添加量为0.5％‑2.0％,所述钬为高纯钬块。本发明提供的增材制造用高硅铝粉末材料改性方法，仅在制备粉末材料的过程中，加入钬元素即可完成改性，方法简单，改性成本低；通过钬元素在组织内对共晶体的选择性附着，阻碍共晶硅的条状生长，使共晶硅变成粒状，从而改善高硅铝的增材制造适用性能，高硅铝合金增材制造成型，成型样件致密度99％以上。
一种制造用高硅铝合金材料及其制备方法

[发明专利]一种高铝粉煤灰预脱硅的方法-CN201810074364.2在审
发明人：公彦兵;孙俊民;洪景南;许学斌;杨会宾;王娜;李运改 -专利权人：大唐国际发电股份有限公司高铝煤炭资源开发利用研发中心
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C01F7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高铝粉煤灰预脱硅的方法，包括如下步骤：1)对所述高铝粉煤灰进行活化处理，得到活化高铝粉煤灰；2)将所述活化高铝粉煤灰与氢氧化钠溶液混合进行预脱硅处理，过滤，得到脱硅高铝粉煤灰；其中，所述脱硅高铝粉煤灰的铝硅比为2.5‑3.8，所述脱硅高铝粉煤灰中的氧化钠的质量分数为0.5‑3.0％。该方法能够有效提高对高铝粉煤灰的脱硅效率，显著提升脱硅后粉煤灰的铝硅比。
高铝粉煤灰脱硅预脱硅铝硅比活化氢氧化钠溶液粉煤灰活化处理脱硅效率质量分数氧化钠过滤

[发明专利]一种太赫兹波异常反射器件及方法-CN202310214653.9在审
发明人：张富利;杨蕤生;孙康瑶;陈松楠;付全红;樊元成 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹波异常反射器件及方法，包括金属衬底和非对称高阻硅介质单元；所述金属衬底上设置有若干非对称高阻硅介质单元，所述非对称高阻硅介质单元包括第一高阻硅介质块和第二高阻硅介质块，所述第一高阻硅介质块和第二高阻硅介质块的大小不同，所述第一高阻硅介质块和第二高阻硅介质块在金属衬底上周期性均匀分布。
一种赫兹异常反射器件方法

[发明专利]一种高硅氧复合毡的制备方法-CN201510197489.0有效
发明人：王世宏;朱民生;吴新全;周玉善 -专利权人：陕西华特新材料股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：一种高硅氧复合毡的制备方法，利用高硅氧玻璃纤维毡布连续复合机组，使高硅氧毡及高硅氧布同步运行，经过毡和布开卷及布纠偏、布单面涂胶、毡布粘接挤压、烘干、裁边、收卷生产形成所需要的高硅氧复合毡产品。采用抗拉強度较好的高硅氧布复合制造高硅氧针刺毡，使复合毡的不同性能相互优势互补，既可保持高硅氧针刺毡的原有的耐高温性能又可提高高硅氧复合毡的力学及综合性能，可广泛应用于消防、军事、工业等要求既耐高温又抗拉強度较好的特殊场合，拓宽高硅氧复合毡的使用领域和范围。
一种高硅氧复合制备方法

[实用新型]照明式开关电源用快恢复二极管-CN201922459013.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔，本实用新型的二极管结构反向恢复时间短
照明开关电源恢复二极管

[发明专利]一种含硅高盐废水的除硅工艺-CN202010536519.7在审
发明人：赵云松;张德奇 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明为一种含硅高盐废水的除硅工艺。一种含硅高盐废水的除硅工艺，包括以下步骤：S10：向含硅高盐废水中加入石灰后，搅拌0.1‑5h后，过滤，得过滤后的含硅高盐废水；S20：向所述的过滤后的含硅高盐废水中加入絮凝剂后，搅拌0.1‑5h后，过滤，即可得到可回收利用的高盐水。本发明所述的一种含硅高盐废水的除硅工艺，可以将含硅高盐废水中的Si(Ⅳ)浓度降至低于0.3mg/L后，即SiO2浓度低于0.642mg/L后，将其回收利用，用于氯碱工业；含硅高盐废水的回收利用既实现了节能减排的目的，又节约了生产成本。
一种含硅高盐废水工艺

[实用新型]一种高纯硅生产加工用筛选装置-CN202022398474.X有效
发明人：林敦莺;林洁静 -专利权人：福建新航凯材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯硅生产加工用筛选装置，包括箱体，所述箱体的上方中间开设有进口，所述支撑杆的左侧底端固接在箱体的左侧顶端，所述支撑杆的上方右侧内壁套接有电动推杆。该高纯硅生产加工用筛选装置，使高纯硅间接性排放，避免大量高纯硅堆积，利于接下来对高纯硅筛选彻底，解决了现有的高纯硅生产加工用筛选装置，由于不能控制高纯硅下料的量，使得大量的高纯硅堆积，造成筛选不彻底的问题，筛选处的大颗粒通过两侧的出口排出箱体外收集可以再次投放筛选，保证高纯硅筛选精细，利于下一道工序加工，解决了现有的高纯硅生产加工用筛选装置，只能粗略的对高纯硅进行筛选，使得筛选后的仍存在大颗粒，从而影响下一道工序的问题
一种高纯生产工用筛选装置

[实用新型]照明用LED电源的整流二极管-CN201822254278.8有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了照明用LED电源的整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层；所述N型硅衬底上有两个环形结构，外环为高掺杂的N型硅扩散层，内环为高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有碳纳米管CNT层；所述碳纳米管CNT
高掺杂照明用衬底整流二极管基环本实用新型碳纳米管低掺杂钝化膜层环形结构桥式整流闩锁效应复合层能力强传导内环