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- [发明专利]一种自恢复高压脉冲驱动器-CN202211503653.2在审
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郑明;王优;相双红
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浙江迪谱诊断技术有限公司
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2022-11-29
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2022-12-30
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H03K3/57
- 本发明提出了一种自恢复高压脉冲驱动器,包括高速脉冲驱动单元和高压脉冲生成单元,所述高速脉冲驱动单元设有高压开关Q,所述高压脉冲生成单元包括高压电容C和电阻网络,所述高压电容C通过电阻网络连接高压开关Q、第一路高压HV1、第二路高压HV2、第三路高压脉冲HV3;所述高速脉冲驱动单元通过高压开关Q及高压电容C将第一路高压HV1和第二路高压HV2生成第三路高压脉冲HV3,高压脉冲输出后第三路高压脉冲HV3自动恢复到第二路高压该自恢复高压脉冲驱动器不仅响应快、稳定性好,而且输出电压幅值高,并且恢复时间以电阻和电容的时间常数来设置,响应速率快,提高整个系统的响应时间,并且输出电压幅值高,易于系统的扩展。
- 一种恢复高压脉冲驱动器
- [发明专利]一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺-CN200510028178.8有效
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郑萍;金炎;俞波
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上海华虹NEC电子有限公司
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2005-07-27
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2007-01-31
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H01L21/82
- 本发明公开了一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺,包括:高压P阱注入、高压N阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压DDD-P注入与低压N阱注入、高压DDD-B注入与低压P阱注入,用高压N阱光刻和高压DDD-B完成高压PMOS器件的制备,用高压P阱光刻和高压DDD-P完成高压NMOS器件的制备;其中高压DDD-P注入与低压N阱注入同时进行,进行一次光刻;高压DDD-B注入与低压P阱注入同时进行,进行一次光刻;高压DDD-P注入与低压N阱注入和高压DDD-B注入与低压P阱注入使用两块光刻板。本发明将高压DDD-P与低压N阱分别注入改为高压DDD-P与低压N阱同时注入,并将高压DDD-B与低压P阱分别注入改为高压DDD-B与低压P阱同时注入,减少了工艺步骤,降低了工艺成本。
- 一种制造高压lcd驱动器件工艺
- [实用新型]一种L形光伏美变结构-CN201720209691.5有效
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李云;孙国平;邹遵武
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镇江天力变压器有限公司
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2017-03-06
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2017-09-05
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H02B7/00
- 本实用新型公开了一种L形光伏美变结构,包括高压室、低压室和矩形状的变压器室,所述高压室和低压室固定连接,且二者呈L形状分布,变压器室的相邻的两端面分别对应与高压室和低压室固定连接;高压室内设有高压避雷器、高压复合套管、带电显示器和高压出线铜排,高压避雷器、高压复合套管和带电显示器由上至下分层设置于高压室内,高压出线铜排将高压避雷器、高压复合套管和带电显示器相连;所述低压室内设有低压电气柜;所述变压器室内设有高压熔断器和变压器器身,变压器室的外壁上设有高压负荷开关和高压分接开关,且高压负荷开关和高压分接开关与变压器器身相连。本实用新型中的高压室、低压室与变压器室完全隔离,保证了电气安全性。
- 一种形光伏美变结构
- [实用新型]超高压处理设备-CN202321437695.0有效
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杜景东;张亚男
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山西三水河科技股份有限公司
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2023-06-07
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2023-09-08
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A23L3/015
- 本实用新型涉及超高压技术领域,具体提供一种超高压处理设备。超高压处理设备的第一分压组件连接在第一超高压容器和第二超高压容器之间,第一分压组件可将第一超高压容器和第二超高压容器连通和分隔,第一超高压容器和第二超高压容器均与增压组件相连,增压组件用于分别对第一超高压容器和第二超高压容器增压,本实用新型的超高压处理设备设置第一分压组件将第一超高压容器和第二超高压容器连通和分隔,以使第一超高压容器内的超高压能够泄压至第二超高压容器内进行利用,第二超高压容器在增压时从泄压至第二超高压容器内的压力值开始增压,极大地减少了增压组件的工作时间,降低了增压组件的磨损,提高了超高压设备的生产效率。
- 超高压处理设备
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