专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高压柜温湿度监控系统-CN202110124723.2在审
  • 张玉明;祝丽娟;谢燕玲;方继平;李思煌;陈芳芳;蓝孝兴;郑俊雄;黄永安 - 福建丰意电气设备有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-06-15 - G05D27/02
  • 本发明公开了高压柜温湿度监控系统,本发明涉及高压柜技术领域,高压柜温湿度监控系统,包括系统终端、温度监测模块、湿度监测模块以及电源监测模块;系统终端用于实时监测并控制整个高压柜温湿度监控系统,且系统终端作为用户电脑主机、移动设备的操作端;温度监测模块用于检测高压柜中的温度变化,且温度监测模块包括实时测温模块和降温处理模块,实时测温模块包括用于测温的温度传感器和电阻温度计;本发明的有益效果在于:在对高压柜内的温湿度进行监测的同时对高压柜内的静电进行监测,并对产生的静电进行有效处理,提高一个良好的工作环境,通过紧急备用电池组,能够应对高压柜电源意外断电的情况,减少温湿度监测的漏洞。
  • 高压温湿度监控系统
  • [发明专利]半导体高压器件的结构及其制作方法-CN201010100430.2有效
  • 刘远良;王飞;韩峰 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-01-25 - 2011-07-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体高压器件的结构,半导体高压器件呈左右对称的结构,靠近对称轴的位置设置有高压晶体管结构,在高压晶体管的外围设置有多个同心的环状PN结,在最外层的PN结外侧设置有与环状PN结同心的终端环沟槽,终端环沟槽内填充有氧化硅。本发明还公开了一种上述半导体高压器件的结构的制作方法,包括先在硅衬底上光刻和刻蚀形成终端环沟槽;然后在终端环沟槽内填充氧化硅,并用回刻工艺去除表面的氧化硅;然后按照功率MOS器件制造的正常工艺流程完成生产过程本发明通过在环状PN结外围设置终端环沟槽,使得环状PN结的数量可以大大减少,只占用较小的芯片面积,并达到了更好的器件耐压性能,大大降低了器件的制造成本。
  • 半导体高压器件结构及其制作方法

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