专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]制作装置-CN201920619710.0有效
  • 张蛟;周维国;徐国军;万捷 - 领凡新能源科技(北京)有限公司
  • 2019-04-30 - 2020-04-28 - C23C14/34
  • 本申请提供一种制作装置,包括熔炼室和设置在所述熔炼室一侧的雾化室,所述熔炼室设有导流管,所述导流管一端由熔炼室通入熔融的原料,所述导流管另一端延伸到雾化室内,所述雾化室内固设有固定件,所述导流管朝向所述固定件方向本申请中,采用雾化喷盘与导流管配合构成二流体结构将熔液雾化,成型的金属颗粒被高速气流加速后撞击衬底并沉积在上面,形成,生产效率高,生产工序少,原料利用高。
  • 制作装置
  • [实用新型]旋转阴极机构-CN201220096370.6有效
  • 朱殿荣;曹俊 - 无锡康力电子有限公司
  • 2012-03-14 - 2013-05-01 - C23C14/34
  • 一种旋转阴极机构,它包括旋转机构(4)、支架(3)、冷却水管(8)和依次安装在冷却水管(8)外侧的极靴(7)、多个条形磁铁(6)、(5),上述套管的一侧装有一端盖(9),另一端安装旋转机构(4)和支架(3),所述的条形磁铁(6)和(5)之间套装不锈钢管。本实用新型为一种新型机构,通过在溅射过程中旋转,使得在整区域的消耗能够均匀的进行刻蚀,将一次利用提高到≥80%以上;同时可以有效减少打弧和面掉渣,工艺稳定性好。
  • 旋转阴极机构
  • [发明专利]一种平面的制备方法-CN202211159806.6在审
  • 张蛟;徐国军;刘丽红;蒋明伟 - 安徽狄拉克新材料科技有限公司;宣城先进光伏技术有限公司
  • 2022-09-22 - 2022-12-09 - C23C14/35
  • 本发明涉及加工技术领域,具体涉及一种平面的制备方法,包括:对背板进行粗化处理;背板上喷涂打底层;将背板安装到生长冷却导柱上;将材料加热得到熔液,并将熔液浇注到坩埚内;当背板温度达到200℃时,将生长冷却导柱缓慢下降,打底层接触到熔液液面后停止下降;当背板温度达到低于材料熔点10℃时,生长冷导柱向上拉伸,坯重量达到目标重量后,得到坯;冷却液持续给背板降温,当背板温度降低至300℃后缓慢降低冷却液温度,背板温度降至50℃以下后取出,将冷却至室温后进行机加工,本发明通过本方法制备的利用高,可承受高功率密度磁控溅射,密度高接近理论密度。
  • 一种平面制备方法
  • [发明专利]一种镀膜装置-CN201310589150.6有效
  • 孙泉钦;谢濒锋;王一鸣 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
  • 2013-11-20 - 2014-02-12 - C23C14/35
  • 本发明提供一种镀膜装置,包括:用于承载基板的基板承载板;用于承载,以使得所述与所述基板相对设置的承载板;以及,用于设置于所述承载板的远离所述基板承载板的一侧的单根磁条;所述磁条至少能够在一预定运动范围内进行运动,所述预定运动范围至少包括:与所述所在区域相对应的区域;及,与所述以外的区域相对应的非区域;所述镀膜装置还包括一用于控制所述磁条在所述区域内进行匀速运动的控制机构。本发明的镀膜装置中磁条的预定运动范围要远大于,当磁条运动到区域时可以进行匀速运动,在最大程度上保证了成膜的均匀性,同时由于各个位置的磁场强度相似,因此可以极大的提高利用
  • 一种镀膜装置
  • [实用新型]磁控溅射装置-CN200820030258.6无效
  • 弥谦;杭凌侠;郭忠达;梁海峰;徐均琪;孙国斌;惠迎雪 - 西安工业大学
  • 2008-09-12 - 2009-06-03 - C23C14/35
  • 由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式,即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换,利用也只能提高到20%~35%,并且存在结构复杂,加工成本高的问题。本实用新型的一种磁控溅射装置,包括磁体、导磁体、基片和溅射靶,其特别之处在于:所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面,磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于面。本实用新型可以有效克服现有技术存在的利用低和沉积速率低的问题。
  • 磁控溅射装置

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