“非晶相镍”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1813773个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铜－镍－硅两相淬火基材-CN200480030179.X有效
发明人： S·妙英;R·L·贝伊;N·J·德克里斯托法鲁;D·W·米尔尤尔;G·B·A·舒斯特 -专利权人：梅特格拉斯公司
申请日： 2004-08-13 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：一种铜－镍－硅淬火基材，其迅速将熔融合金固化成微晶或非晶态条。该基材由导热合金组成。它具有其中富铜区被硅化镍pass的不连续网包围的两相微观结构。此微观结构基本上是均匀的。
两相淬火基材

[发明专利]铜－镍－硅二相淬火基层-CN03816865.0有效
发明人： S·米奥金;R·L·拜;G·B·A·舒斯特;D·R·沃尔斯;J·G·科克斯;D·W·米卢雷;J·S·林;N·J·德克利斯托法罗 -专利权人：梅特格拉斯公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：一种铜－镍－硅淬火基层，其迅速将熔融合金固化成微晶或非晶态条。该基层由导热合金组成。它具有一个其中富铜区被硅化镍网包围的二相微观结构。此微观结构基本上是均匀的。
硅二相淬火基层

[发明专利]无镍无铍无铜高非晶形成能力的锆基块体非晶合金及制备-CN201811360928.5有效
发明人：吕昭平;刘广来;吴渊;王辉;刘雄军 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明无镍无铍无铜高非晶形成能力的锆基块体非晶合金及制备，属于块体非晶合金，目的在于不仅去除对人体具有毒副作用的镍、铍和铜元素，而且具有强非晶形成能力，采用电弧熔炼铜模吸铸的方法即可制备出厘米级块体非晶合金所述非晶合金成分原子百分比表达式为ZraCobAlcAg本发明的锆基块体非晶合金具有2.5％的塑性变形能力和较高的强度，易于生产同时不含Ni、Be、Cu对生物有害的元素，在生物材料，体育用品和医疗器件等领域具有非常广阔的应用前景。
无镍无铍无铜高非晶形能力块体合金制备

[发明专利]一种非晶合金金相腐蚀剂以及金相显示方法-CN200810067135.4有效
发明人：姜琳莉 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶合金金相腐蚀剂，所述腐蚀剂包括硝酸、盐酸、偏重亚硫酸盐、水。这种金相腐蚀剂，不会在非晶合金样品表面形成污染层，不会过度腐蚀非晶合金中的晶化相，有利于观察非晶合金中的晶化相，评价非晶合金品质。
一种合金金相腐蚀剂以及显示方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99118111.5无效
发明人：张宏勇;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-22 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99118056.9无效
发明人：张宏勇;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-22 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN94108851.0无效
发明人：张宏勇;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-22 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制造ＴＦＴｓ的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成ＴFＴｓ。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种海工机械耐蚀耐磨Ni-W/Al₂O₃ CMMA防护层及其制备方法-CN201610385563.6在审
发明人：李保松;张薇薇;张文;环宇星 -专利权人：河海大学
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：防护层及其制备方法，该防护层由成分为Ni‑W/Al₂O₃，为CMMA多层结构，层数为50‑800，含有纳米陶瓷颗粒Al₂O₃相、非晶镶嵌纳米晶复合结构相和纳米晶相，所述纳米晶相尺寸在15 nm以下。制备方法为：以石墨或镍板或不溶性涂层电极为阳极，工件为阴极，电沉积过程中，通过周期性电流密度控制改变电解液在阴极的液相传质过程，获得组成与结构周期性变化的Ni‑W/Al₂O
一种机械耐磨 ni al sub cmma 防护及其制备方法

[发明专利]一种SiO2包覆Co2+、Cu2+掺杂非晶硝酸镍锂电负极材料及其制备方法-CN201710062462.X在审
发明人：方敏华;水淼;李月;陈超;李弯弯;舒杰;任元龙 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种SiO2包覆Co2+、Cu2+掺杂非晶硝酸镍锂电负极材料，其制备过程为结合微乳液和喷雾干燥方法在Co2+、Cu2+掺杂非晶硝酸镍颗粒上包覆SiO2，抵御电解液的侵蚀；而后在高真空条件下，采用特定的热处理步骤去除体系中的结晶水，形成SiO2包覆Co2+、Cu2+掺杂非晶硝酸镍锂电负极材料；体系中Co2+掺杂提高体系的电子电导率、Cu2+离子使得Ni‑O空间结构产生畸变，扩展锂离子扩散迁移通道，提高其锂离子电导率；特别有益的是材料为非晶体从而大幅度提高硝酸镍的综合电化学性能。
一种 sio2 co2 cu2 掺杂硝酸镍锂电负极材料及其制备方法

[发明专利]石墨烯/非晶碳纳米管/镍钴硫化物复合杂化材料及制备方法-CN201910382358.8在审
发明人：赵廷凯;胡警天;彭夏容;杨文波;党阿磊;李昊;李铁虎 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/非晶碳纳米管/镍钴硫化物复合杂化材料及制备方法，是一种反射率高、吸收频带宽的新型电磁波吸收材料及制备方法，该方法以硫酸镍、硫酸钴、柠檬酸三钠及尿素为原料制备前驱体，之后加入硫化钠制备镍钴硫化物，采用改进Hummers法制得氧化石墨烯溶液，通过CVD法制备非晶碳纳米管，最后将三者混合，通过水热法可制得石墨烯/非晶碳纳米管/镍钴硫化物复合杂化材料。
非晶碳纳米管硫化物制备镍钴复合杂化材料石墨烯反射率电磁波吸收材料氧化石墨烯溶液柠檬酸三钠三明治结构导电性能吸波材料吸波性能原料制备复合材料硫化钠硫酸镍硫酸钴前驱体水热法吸收尿素改进

[发明专利]晶体与非晶界面共存的超薄纳米片材料及其电解水应用-CN201910809163.7有效
发明人：吴仁兵;费奔;徐鸿彬 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶体与非晶界面共存的超薄纳米片材料及其应用，材料制备方法包括以下步骤：1)将泡沫镍预处理后，作为基体；2)将硝酸镍溶液与二甲基咪唑溶液混合，得到混合溶液；3)将基体放入至混合溶液中，进行水热反应，得到镍基沸石咪唑酯骨架；4)将镍基沸石咪唑酯骨架洗涤、干燥后，放入至硼氢化钠溶液中，进行硼化反应，即得到晶体与非晶界面共存的超薄纳米片材料；该材料作为催化剂，用于电解水反应中。与现有技术相比，本发明制备的晶体与非晶界面共存的超薄纳米片电催化剂材料不仅电催化性能优异、活性位点多，而且成本低廉，可在不同的电流密度下进行稳定高效的析氢反应、析氧反应和全水分解，应用前景广阔。
晶体界面共存超薄纳米材料及其电解水应用

[发明专利]手机摄像头的非晶合金保护框架及手机摄像头及其制造方法-CN201510071795.X有效
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的应用技术领域，特别是涉及手机摄像头的非晶合金保护框架及手机摄像头及其制造方法，该保护框架是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金保护框架非晶合金保护框架的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过压铸成型法、甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法或者热塑成型法制备非晶合金保护框架。该非晶合金保护框架具有高强度、高硬度、高弹性、耐磨、耐刮、耐腐蚀和抛光性能好的优点，该手机摄像头的非晶合金保护框架的制造方法具有机械加工量小、加工时间短、生产效率高且生产成本低的优点。
手机摄像头合金保护框架及其制造方法

[发明专利]一种锆基块体金属玻璃及其制备方法-CN200710062739.5无效
发明人：柳延辉;赵德乾;潘明祥;汪卫华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆基块体金属玻璃，该块体金属玻璃以普通金属锆、铜、镍、铝为主要成分，其组成为(Zr_aCu_bNi_c)_{1－x非晶相另外，本发明的锆基块体金属玻璃还具有较高的玻璃转变温度和晶化温度，具有高的玻璃形成能力和高的热稳定性，有利于其在较高的温度得到应用。因此该镍基非晶合金具有潜在的应用前景。}
一种块体金属玻璃及其制备方法

[实用新型]LED封装结构-CN201520240947.X有效
发明人：陈彦铭 -专利权人：深圳市旭宇光电有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型的LED封装结构，包括至少两个LED芯片、红铜基板、镀镍层、电极镀层、电极镀层及密封胶，红铜基板上设有固晶区及非固晶区，至少两个LED芯片固定于固晶区上，非固晶区上设有正电极连接部及负电极连接部；镀镍层镀设于固晶区上；电极镀层包括设于正电极连接部的第一电极镀层及设于负电极连接部的第二电极镀层；密封胶包覆于至少两个LED芯片和连接线。其中，在固晶区上镀设有镀镍层，不但有效保证光源的折射率，使其达到理想的反光性能，还可借由镍物质不易与空气中的溴、硫等物质发生化学反应的特性，避免固晶区上出现黑化现象而致光源本体产生大幅光衰的问题；同时，
led 封装结构

[发明专利]前期晶化处理制备泡沫镍的技术-CN03124796.2有效
发明人：汤义武;贺跃辉;陶维正;胡宗辉;肖腾彬;段志明;朱济群;周桂南;龙文贵;周小平 -专利权人：长沙力元新材料股份有限公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： C25D1/08 文献下载
摘要：一种前期晶化处理制备泡沫镍的技术，它是在现有电沉积法生产泡沫镍的基础上，于电镀步骤之后增加一道在氨分解气体气氛中的晶化处理工序，使电镀半成品以非晶态颗粒状沉积的镍发生晶化，得到抗氧化性能及力学性能良好的晶态镍，得到反应中间体泡沫状晶态镍致密材料，由此不仅可大大降低随后焚烧、还原处理的温度和时间，提高生产效率，节约能源，保护环境；同时还可有效避免生产过程中泡沫镍产生裂纹，有效改善泡沫镍的力学性能。
前期处理制备泡沫技术

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top