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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]应用非易失性铁电存储器的交错控制装置-CN03125562.0无效
发明人：姜熙福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了应用非易失性铁电存储器的交错控制装置。更具体地说，公开了一种应用非易失性铁电寄存器的存储器交错结构，所述非易失性铁电寄存器配置用于独立控制存储体的交错。在本发明的一个实施例中，通过应用单非易失性铁电存储器芯片，多存储体非易失性铁电存储器芯片或者多存储体交错非易失性铁电存储器芯片，可以独立控制每一存储体的交错部分。
应用非易失性铁电存储器交错控制装置

[发明专利]集成芯片、电子设备以及数据处理方法-CN202211130401.X在审
发明人：周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：该集成芯片包括：易失性存储芯片；非易失性存储芯片；逻辑芯片，逻辑芯片与易失性存储芯片三维键合连接；非易失性存储芯片设置于逻辑芯片与易失性存储芯片的一侧，且与逻辑芯片连接；其中，非易失性存储芯片的厚度小于或等于易失性存储芯片和逻辑芯片的厚度之和
集成芯片电子设备以及数据处理方法

[发明专利]混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法-CN201510460606.8有效
发明人：杨任花;赵俊峰;杨伟;林殷茵 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G06F1/3287 文献下载
摘要：所述混合存储设备包括控制器、易失性存储单元及非易失性存储单元。所述混合存储设备在第一工作模式下时，所述易失性存储单元为开启态，所述非易失性存储单元为关闭态，在第二工作模式下，所述非易失性存储单元为开启态，所述易失性存储单元为关闭态；在所述混合存储设备运行在所述第一工作模式时，当所述控制器侦测到所述计算机的运行指标满足第一切换条件时，开启所述非易失性存储单元，拷贝所述易失性存储单元中的数据至所述非易失性存储单元中，并将所述混合存储设备切换到第二工作模式。使用本发明可以有效减少所述易失性存储单元产生的背景功耗。
混合存储设备计算机控制降低功耗方法

[发明专利]一种非易失性数据的存储和检索方法及装置-CN200910171878.0有效
发明人：党茂昌 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性数据的存储和检索方法，包括：将已分类的非易失性数据定义为树形结构，并对树中节点赋值；对节点已被赋值的树形结构进行编译链接，烧写编译链接的结果并存储烧写时的基地址；根据编译链接的结果及烧写时的基地址计算待检索的非易失性数据的偏移和大小，根据烧写时的基地址和对待检索非易失性数据的偏移和大小的计算结果检索非易失性数据。本发明还同时公开了一种非易失性数据的存储和检索装置，运用该方法和装置使得存储的非易失性数据易于扩展、可深层嵌套，提高存储空间利用率，且检索方法直观。
一种非易失性数据存储检索方法装置

[发明专利]物理不可复制功能码产生方法及其提供装置-CN201811508292.4有效
发明人：林立伟;林纪舜;林小峰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种物理不可复制功能码产生方法及其提供装置，所述物理不可复制功能码产生方法包括：提供多个包括第一非易失性存储单元及第二非易失性存储单元的非易失性存储单元对；比较第一非易失性存储单元的起始状态及第二非易失性存储单元的起始状态，并根据状态比较结果产生第一物理不可复制功能码；计算第一物理不可复制功能码中逻辑电平的形成比例差；以及当形成比例差大于等于比例门槛值时，通过对第一非易失性存储单元及第二非易失性存储单元交互执行形成操作来调整形成比例差
物理不可复制功能产生方法及其提供装置

[发明专利]数据传输方法及系统、服务节点、存储装置-CN201910300935.4有效
发明人：张海龙;董朝晖;黄乐 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G06F16/23 文献下载
摘要：其中，该方法由服务节点执行，服务节点预设有多个连接接口，多个连接接口分别用于与不同类型的易失性存储系统实现数据传输，该方法包括：接收非易失性存储系统发送的目标连接信息；确定目标连接信息指向的易失性存储系统，并通过相应的连接接口与易失性存储系统连接；在接收到非易失性存储系统或易失性存储系统发送的数据获取请求时，实现非易失性存储系统与易失性存储系统之间的数据传输。上述方案，能够实现非易失性存储系统与多种不同类型的易失性存储系统之间的数据传输。
数据传输方法系统服务节点存储装置

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统-CN202211698931.4在审
发明人：金志红 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一非易失性存储结构，第一非易失性存储结构包括第一堆叠结构和第一垂直存储结构，第一垂直存储结构穿透所述第一堆叠结构；第二非易失性存储结构，第二非易失性存储结构包括第二堆叠结构和第二垂直存储结构，第二垂直存储结构穿透所述第二堆叠结构；以及外围电路结构，外围电路结构电连接到第一非易失性存储结构和第二非易失性存储结构。外围电路结构、第一非易失性存储结构和第二非易失性存储结构彼此垂直地交叠。第一垂直存储结构包括包括有第一数据存储材料层的第一数据存储结构。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]具有数据整形存储器分区的非易失性存储系统-CN201910884919.4有效
发明人： A·纳沃;E·莎伦;I·阿尔罗德;A·巴扎斯基 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储装置，包括非易失性存储和连接到所述非易失性存储的控制电路。所述非易失性存储结构被组织成多个分区。每个分区都被预先分配到不同的数据整形水平。要存储在所述非易失性存储中的数据基于其熵来整形。所述控制电路被配置为将整形数据写入多个分区中的被预先分配到与整形数据相同的整形水平的分区。
具有数据整形存储器分区非易失性存储系统

[发明专利]非易失性存储器件-CN03153417.1无效
发明人：姜熙福;朴泳震 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明关于一种非易失性存储器件，更具体地说，本发明关于一种使用一电阻型存储器件的可编程非易失性逻辑开关存储器(寄存器)器件。该非易失性寄存器使用一逻辑开关或一非易失性电阻型存储器件，可经由一通过该非易失性电阻型存储器件的受控电流来设定该非易失性电阻型存储器件的电阻状态。
非易失性存储器

[发明专利]复合存储电路及具有该电路的半导体器件-CN03806891.5无效
发明人：森山胜利;森宽伸;塚崎久畅 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-02-07 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。
复合存储电路具有半导体器件

[发明专利]一种多处理器共享非易失性存储卡的方法及系统-CN201110267926.3有效
发明人：张武;宋毅;王劲林 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：本发明提出一种多处理器共享非易失性存储卡的方法及系统，该方法的多处理器之间基于主从模式共享非易失性存储卡，包含：从处理器向主处理请求使用非易失性存储卡的步骤；主处理响应从处理器的请求，并通过一多路选择开关控制从处理器与非易失性存储卡的接通所述从处理器通过设置于主处理器和从处理器之间的存储请求信号总线向主处理请求使用非易失性存储卡。本发明的从处理器通过存储请求信号总线从主处理器获取非易失性存储卡的使用权，主处理器控制电子开关使处理器与非易失性存储卡的总线连通，实现多处理器以主从模式共享非易失性存储卡。本发明为实现结构紧凑、性价比高的多处理器计算机系统提供共享非易失性存储卡实用的解决方法。
一种处理器共享非易失性存储方法系统

[发明专利]一种非易失性内存的预警方法及相关装置-CN201810689459.5在审
发明人：姜怡坤;黄玉龙 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性内存的预警方法，由于温度值是非易失性内存的一个重要的参数，若非易失性内存的温度过高，该内存就容易发生故障，从而使得需要被保护的内存丢失。根据温度值可以判断出非易失性内存是否发生异常，进而可以判断出非易失性能内存是否还在生命周期中。当非易失性内存持续异常时，意味着该内存已经度过了生命周期，此时需要对用户进行报警。本发明还提供了一种非易失性内存的预警装置、设备以及计算机可读存储介质，同样具有上述有益效果。
非易失性内存内存易失性内存生命周期计算机可读存储介质预警发生故障温度过高相关装置预警装置非易失报警

[发明专利]具有带有非易失性半导体存储器的非易失性半导体存储设备的存储系统-CN201280069362.5无效
发明人：铃木进;本间繁雄;松井佑光 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种耦合到主机的存储系统具有非易失性半导体存储设备和耦合到半导体存储设备的存储控制器，该非易失性半导体存储设备包括由多个页面配置的非易失性半导体存储器。在多个页面中存储的数据变成非必需的情况下，以这多个页面为基于非易失性半导体存储设备的逻辑卷的区域的基础，存储控制器向非易失性半导体存储设备发送对于减少页面数目的非必需减少请求，这些页面是具有在其中存储的非必需数据的区域的基础基于非必需减少请求，非易失性半导体存储设备使多个页面无效，这多个页面是具有在其中存储的非必需数据的区域的基础。
具有带有非易失性半导体存储器存储设备存储系统

[发明专利]非易失性存储器模块的错误报告-CN202080090904.1在审
发明人：詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南;维拉斯·斯里达兰 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：一种存储器控制器包括命令队列、存储器接口队列和非易失性错误报告电路。所述命令队列接收包括易失性读取、易失性写入、非易失性读取和非易失性写入在内的存储器访问命令，以及输出。所述存储器接口队列具有耦合到所述命令队列的所述输出的输入，以及用于耦合到非易失性存储类存储器(SCM)模块的输出。所述非易失性错误报告电路识别与所述非易失性SCM模块相关联的错误条件，并将所述错误条件从与所述非易失性SCM模块相关联的第一数量的可能错误条件映射到第二较小数量的虚拟错误类型，以用于报告给主机操作系统的错误监测模块
非易失性存储器模块错误报告

[发明专利]存储器及存储器的数据交互方法-CN201510167194.9有效
发明人：刘杰;马青江 -专利权人：澜起科技股份有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该存储器包括易失性存储模块和非易失性存储模块。存储器通过存储器接口从外部模块接收数据访问命令，并相应地与外部模块交互数据。访问控制模块耦接到存储器接口以接收数据访问命令；非易失性存储模块控制器耦接到非易失性存储模块，接收数据访问命令并且相应地与非易失性存储模块交互数据。数据缓冲模块耦接到易失性存储模块、非易失性存储模块控制器及存储器接口，并且耦接到访问控制模块以接收数据访问命令。数据缓冲模块向非易失性存储模块控制器提供数据访问命令以与非易失性存储模块控制器交互数据。
存储器数据交互方法

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