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[发明专利]一种静态随机存储器-CN201010164943.X无效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存储器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第二NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管亦相连，本发明提供的静态随机存储器只使用四个MOS管，最大程度的减小了静态随机存储器的单元面积，有利于形成超高密度的静态随机存储器的存储单元
一种静态随机存储器

[发明专利]一种静态随机存取存储器及其存储单元-CN202211537611.0在审
发明人：郭金才;李建忠;赵星;李彬鸿;王云;薛静;叶甜春 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本申请公开了一种静态随机存取存储器及其存储单元，该存储单元包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管、第六开关管、第七开关管和第八开关管；第七开关管的第一端为第一信号输入端；第七开关管的第二端连接第三开关管的第二端；第八开关管的第一端为第二信号输入端；第八开关管的第二端连接第四开关的第二端；若存储单元处于读写状态，第三开关管、第四开关管、第七开关管和第八开关管处于打开状态；若存储单元处于保持状态，第三开关管、第四开关管实现了输入数据的多点存储，在一定程度上防止存储单元受到粒子轰击或者外界影响时丢失数据，提高存储单元存储数据的正确性。
一种静态随机存取存储器及其存储单元

[发明专利]采用辊压机磨粉的干法制粉装置及其方法-CN202010205198.2有效
发明人：王守伟;张明飞;李栓杰 -专利权人：河北金汇陶瓷有限公司
申请日： 2020-03-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B28B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用辊压机磨粉的干法制粉装置，包括沿生产线依次设置的上料单元、粉磨除杂单元、干粉均化存储单元、造粒烘干单元和压机喂料单元，粉磨除杂单元包括与上料单元连接的静态选粉机，静态选粉机的粗料出口与辊压机连接，辊压机与静态选粉机的进料口连接，静态选粉机的细料出口与动态选粉机的进料口连接，动态选粉机的出料口依次经第一袋式收尘器、高平方筛(或者双平方筛)、强磁棒式除铁器、螺旋输送机与干粉均化存储单元连通。
采用辊压机磨粉法制装置及其方法

[发明专利]具有在集成电路的不同层上的读/写端口和访问逻辑单元的三维(3D)存储单元-CN201480014060.7有效
发明人： J·谢;Y·杜 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：公开了三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的3D存储单元分离。还公开了相关的3DIC、3DIC处理器内核和方法。在本文所公开的实施例中，存储块的存储读访问端口从存储单元中分离到3DIC的不同层中。3DIC实现了更高的器件封装密度、更低的互连延迟和更低的成本。以此方式，可以针对读访问端口和存储单元提供不同的供应电压，以便能够降低用于读访问端口的供应电压。因此可以提供存储单元中的静态噪声容限和读/写噪声容限。还可以避免在未分离的存储块中提供多个电源供应轨，其中在未分离的存储块中提供多个电源供应轨增加了面积。
具有集成电路不同端口访问逻辑单元三维存储

[发明专利]静态随机存储单元及其制作方法-CN201810561734.5有效
发明人：陈静;王硕;王本艳;柴展 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构
静态随机存储单元及其制作方法

[实用新型]仓储物资质量监控系统-CN201520568821.5有效
发明人：刘惠亮;陈金宏;杨宇;郑静晨 -专利权人：中国人民武装警察部队总医院
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种仓储物资质量监控系统，包括仓储物资静态状态监测系统、控制中心、报警系统，其中仓储物资静态状态监测系统、报警系统分别与控制中心连接；仓储物资静态状态监测系统包括设置于仓库内的温度传感器、湿度传感器、灰尘量传感器、电压表、电流表、微处理器、RFID存储单元、RFID发射单元，其中温度传感器、湿度传感器、灰尘量传感器、电压表、电流表、RFID存储单元、RFID发射单元分别与微处理器连接；控制中心包括RFID接收单元、中央处理器；报警系统包括多个报警器。
仓储物资质量监控系统

[实用新型]一种SRAM存储器-CN201320332576.9有效
发明人：刘鑫;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SRAM存储器，包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一至第八N型MOS管；其中，所述第一P型MOS管、所述第三N型MOS管、所述第二P型MOS管与所述第四N型MOS管构成存储单元；所述第一、第二N型MOS管构成开关电路；所述第五至第八N型MOS管构成独立的读取电路；从而形成在存储单元外完成读取操作，避免了存储单元内的放电通路造成的存储点电位降低，导致静态噪声容限降低，从而维护了SRAM存储器的稳定性。
一种 sram 存储器

[发明专利]用于启用/停用SRAM中的突发模式读取的地址检测器-CN201611025525.6有效
发明人：普雷姆库马尔·塞特阿拉曼;维诺德·梅内塞斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：静态随机存取存储器SRAM读取控制器包含第一触发器(402)、第二触发器(404)、及比较器(420)。所述第一触发器(402)经配置以存储指示对布置为行及列的存储单元阵列的第一存储单元的存取请求的第一行地址的第一行地址输入及指示对所述存储单元阵列的第二存储单元的存取请求的第二行地址的第二行地址输入。所述第二触发器(404)经配置以存储所述第一及第二行地址输入。所述比较器(420)经配置以比较所述第一及第二行地址输入并基于所述比较输出控制信号(222)。
用于启用停用 sram 中的突发模式读取地址检测器

[发明专利]延迟单元版图结构、延迟模块版图结构及延迟电路-CN202211164124.4在审
发明人：吴栋诚;吴骏;范茂成 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种延迟电路，其特征在于，包括译码器、第一、二位线、字线、灵敏放大器、存储单元以及由延迟单元模块版图结构制得的延迟模块电路；其中，字线分别与译码器、存储单元电性连接，第一、二位线分别与字线、存储单元本发明可以更好匹配BL、BLB两条位线的电位差ΔV；利用本身基本静态随机储存器单元基础中进行功能实现；阶级放大作为延迟，延迟效果更好，更容易形成延迟；延迟单元与其他存储单元在制造工艺上也会保持相同，避免因为工艺条件缘故导致器件性能差异
延迟单元版图结构模块电路

[发明专利]实现屏幕解锁的终端及方法-CN201310637184.8有效
发明人：陈长海 -专利权人：福州瑞芯微电子有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种实现屏幕解锁的终端及方法，包括存储单元、图像获取单元、图像识别单元、判断单元、处理单元以及解锁单元。图像获取单元响应启动屏幕解锁指令获取用户的面部图像，判断单元将图像识别单元识别获得的面部特征信息与存储单元中存储的面部特征信息进行匹配，并判断匹配结果在一预设阈值范围内时由图像获取单元获取用户的辅助项特征图像，判断单元将图像识别单元识别的辅助项特征信息与存储单元中存储的辅助项特征信息进行匹配，并当确定匹配时，由解锁单元进行解锁操作。本发明还提供一种实现屏幕解锁的方法，利用本发明，通过解锁系统动态生成的提示进行进一步的辅助项特征识别而防止利用静态的用户图像来欺骗解锁系统达到解锁目的。
实现屏幕解锁终端方法

[发明专利]面向远程FPGA设备的动态部分可重构配置装置及方法-CN202110027843.0有效
发明人：罗远哲;刘瑞景;刘洁;何宗林;王军亮;刘佳佳;申慈恩;徐盼云;孟小钰 -专利权人：北京中超伟业信息安全技术股份有限公司;山东万里红信息技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：所述装置包括远程管理平台和FPGA可重构系统平台；所述远程管理平台以及所述FPGA可重构系统平台通过5G局域网络进行通信；所述FPGA可重构系统平台包括：FPGA内部的静态逻辑区与FPGA内部的动态逻辑区以及外部RAM/ROM存储单元；所述FPGA内部的静态逻辑区分别与所述远程管理平台、所述外部RAM/ROM存储单元以及所述FPGA内部的动态逻辑区连接。
面向远程 fpga 设备动态部分可重构配置装置方法

[发明专利]一种视频侦测式监控数字摄录仪及其动态侦测方法-CN201310254829.X无效
发明人：王旭亮;项振茂 -专利权人：王旭亮;项振茂
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种视频侦测式监控数字摄录仪，包括：摄录装置、外部存储单元、数据统计单元、对比单元及中央处理单元，摄录装置、存储单元、数据统计单元、对比单元、中央处理单元依次连接，摄录装置、外部存储单元与中央处理单元连接本发明通过摄录装置连续获取单帧图像，将获取的单帧影像中的相邻的两个单帧影像的文件容量值进行比对，实现控制摄录装置在动态取景场景启动数据信息存储，在物体未移动时停止或减少静态取景场景的图像数据信息记录，减少无效图像信息记录占用的存储空间，降低存储硬件成本与信息查找的复杂度，提高设备系统工作效率。
一种视频侦测监控数字摄录及其动态方法

[发明专利]一种压电能量收集系统及其控制方法-CN201610687819.9有效
发明人：张长春;王兆悦;郭宇锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电能量收集系统及其控制方法，该压电能量收集系统包括压电能量收集器、有源整流器、Buck‑Boost变换器、异步控制电路、自启动预充电电路、峰值检测电路、电感输入端电压过零检测电路、VDD端能量存储单元、VDD端能量存储单元的充电电流过零检测电路、VST端能量存储单元、VST端能量存储单元的充电电流过零检测电路、存储单元间能量转换电路、LDO稳压电路、VDD的内部稳压电路和低功耗基准电流源及参考电压产生电路本发明引入超低功耗设计技术，改进已有电路结构，并对各电路模块进行性能优化与结构创新，使整个电路系统的静态功耗低至111.1nW，能量转换效率高至89.4％。
一种压电能量收集系统及其控制方法

[发明专利]冷数据的迁移方法和装置、存储介质和电子设备-CN202310019579.5在审
发明人：赵金;王鑫;赵宝林;钟戟;秦文政 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种冷数据的迁移方法和装置、存储介质和电子设备，其中，该方法包括：获取固态硬盘中用于存储第一冷数据的第一存储单元的第一擦除次数和所述固态硬盘中的所有存储单元的第一平均擦除次数；通过所述第一擦除次数和所述第一平均擦除次数确定所述第一冷数据的第一迁移时长；根据所述第一迁移时长确定所述第一冷数据的第一迁移速度，并以所述第一迁移速度将所述第一冷数据从所述第一存储单元迁移至所述固态硬盘中的第二存储单元；采用上述技术方案，解决了针对相关技术中，在静态磨损均衡的过程中
数据迁移方法装置存储介质电子设备

[发明专利]半导体存储装置-CN201610703497.2有效
发明人：鎌田义彦;出口阳子;児玉择洋;小林司;酒向万里生;柳平康辅 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1存储单元(MT)、连接于第1存储单元的第1位线(BL)、及连接于第1位线(BL)的第1读出放大器(SAU)。第1读出放大器(SAU)包含：第1节点(SEN)，根据第1存储单元(MT)的数据向第1位线(BL)传输电荷；第1电容元件(27)，连接于第1节点(SEN)；及第1静态锁存电路(SCU)，连接于第1节点(
半导体存储装置