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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]插塞结构之电容器组障-CN03809450.9无效
发明人： G·A·贝特;N·纳格尔;孟邦基 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种被改良的阻障层系被揭示，用于减少插塞结构之电容器中之插塞的氧化。该阻障层系被形成于氧化钛之非传导性黏着层上。该阻障层系包括第一及第二阻障层，其中该第二阻障层覆盖该第一阻障层之上表面及侧壁。在一实施例中，该第一阻障层包含铱而该第二阻障层包含x氧化铱(IrOx)。电容器系被形成于该阻障层上。
结构电容器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710325044.5有效
发明人：李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该存储结构包括一存储元件、一第一阻障层、和一第二阻障层。存储元件包括氧氮化钛。第一阻障层包括硅和氧化硅之中至少一者。第一阻障层设置在存储元件上。第二阻障层包括钛和氧化钛之中至少一者。第二阻障层设置在第一阻障层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]附阻障层基板、显示元件以及显示元件的制造方法-CN200880101003.7无效
发明人：森岛进一 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的附阻障层基板(10)用于显示元件，其具备在基板(11)上形成阻障层(12)的附阻障层基板(10)、形成于上述附阻障层基板(10)的阻障层(12)上的多个显示部件(13)、以及以将上述显示部件(13)覆盖的方式在上述显示部件(13)上形成的上部多层密封膜(15)，上述附阻障层基板的特征在于：上述阻障层(12)被分割图案化为多个而形成于上述基板(11)上。使用本发明的附阻障层基板(10)制造本发明的寿命长的显示元件。
阻障层基板显示元件以及制造方法

[发明专利]一种防止支撑剂滑脱沉降的阻障压裂管柱及其应用-CN202010106429.4有效
发明人：王海柱;闫万卷;郑永;李敬彬;杨睿月 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止支撑剂滑脱沉降的阻障压裂管柱及其应用，其中，所述阻障压裂管柱(2)包括中空管柱本体(21)、设置在管柱内部的阻障器(22)，所述阻障器为流线型轮辐装置(221)和/或筛网装置(222)；当阻障器为流线型轮辐装置时，所述阻障压裂管柱为轮辐型阻障压裂管柱(23)，当阻障器为筛网装置时，所述阻障压裂管柱为筛网型阻障压裂管柱(24)。
一种防止支撑滑脱沉降阻障管柱及其应用

[发明专利]复合阻障层及其制造方法-CN201510970911.1在审
发明人：林东颖;林昆蔚 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种复合阻障层及其制造方法。复合阻障层包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层。第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例。第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例。复合阻障层可具有良好的阻水能力与阻气能力。
复合阻障及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201110044065.2有效
发明人：李香寰;李明翰;叶名世;余振华;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：内连线的可靠度与阻抗可通过使用一复合阻障层而获致改善，其中复合阻障层提供良好的阶梯覆盖率与良好的铜扩散阻障，也提供与相邻层有良好的附着力。此复合阻障层包括一原子层阻障层，以提供良好的阶梯覆盖率。此复合阻障层也包括一增强阻障附着层，其中此增强阻障附着层含有至少一元素或化合物，且此至少一元素或化合物含有锰、铬、钒、铌或钛，以改善附着力。此复合阻障层亦包括一钽或钛层，其中此钽或钛层是设于原子层阻障层与增强阻障附着层之间。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]由多种阻障材料制得的扩散阻障和其相关物品与方法-CN202080089408.4在审
发明人： C·瓦尔德弗里德 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明描述有效抑制固体材料中存在的杂质自所述固体材料的表面流动和释放的扩散阻障，以及表面上具有扩散阻障的物品，制备表面上包括扩散阻障的物品的方法，包括表面上具有扩散阻障的物品的设备，和使用所述物品和设备的方法；所述扩散阻障包括至少两种不同阻障材料。
多种阻障材料扩散相关物品方法

[发明专利]人员闸门-CN200680022013.2有效
发明人：托马斯·加伦舒茨 -专利权人：托马斯·加伦舒茨
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： E06B11/08 文献下载
摘要：该人员闸门具有至少两个阻障件(12、14)，其中每个阻障件(12、14)都可以独立于相应其它的阻障件(14、12)在闭合的路径上在一在阻障位置将通道阻障的阻障状态和一将通道开放的开通状态之间运动。
人员闸门

[发明专利]扩散阻障结构、导电迭层及其制法-CN201811140140.3有效
发明人：卫子健;王伟彦 -专利权人：卫子健
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开一种扩散阻障结构、导电迭层及其制法。导电迭层包括一基板、一扩散阻障结构以及一导电层，扩散阻障结构形成于基板和导电层之间，扩散阻障结构包括一非连续改质层以及一阻障层，非连续改质层设置于所述基板上，所述非连续改质层的材料是一具有亲水基的高分子；阻障层设置于所述基板和所述非连续改质层上，所述阻障层的材料至少包括一自修复高分子。扩散阻障结构可阻障金属原子的扩散，避免导电迭层在加工热处理时，因温度升高导致导电迭层的特性退化或毁损。
扩散阻障结构导电及其制法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN200810211829.0有效
发明人：李香寰;李明翰;叶名世;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法，该一种半导体接触结构包括铜插塞及复合阻障层，铜插塞是形成在介电材料中的双镶嵌、单镶嵌、或其它开口部之中，而复合阻障层是位在铜插塞及开口部的侧壁与底面之间。虽然其它适当的原子层沉积层亦可使用，但复合阻障层较佳是包含位在开口部的底面、且沿着开口部的侧边以原子层沉积层法所形成的氮化钽层，阻障材料是位在铜插塞及原子层沉积层之间；阻障层可为锰基阻障层、铬基阻障层、钒基阻障层、铌基阻障层、钛基阻障层、或其它适当的阻障层层；应用本发明的优点为，在特征尺寸持续减缩的半导体制造工业中，借着降低半导体装置中传导结构的电阻值及提高可靠度，可改善半导体装置整体速度表现。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]AMOLED器件及制备方法-CN201410531280.9在审
发明人：何剑;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述方法包括：形成聚合物基板；在所述聚合物基板上制作基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，并进行阴极蒸镀形成阴极；在所述阴极上制作封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。
amoled 器件制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管元件及其制造方法-CN201910496050.6有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：HEMT元件包括第一通道层、第一阻障层、第二阻障层、第一栅极、第一漏极与第一源极。第一通道层设置于基底上。第一阻障层设置于第一通道层上。第二阻障层设置于第一阻障层上。第二阻障层具有延伸至第一阻障层的第一开口。第一栅极设置于第一开口内的第一阻障层上。第一漏极与第一源极分别设置于第一开口的相对两侧的第二阻障层上。
电子迁移率晶体管元件及其制造方法

[发明专利]故障安全的电流隔离阻障部-CN201210319439.1有效
发明人： R·阿利尼;R·K·古普塔;B·波萨特 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：一种系统包括发送器、接收器、隔离阻障部以及熔断器。该隔离阻障部连接到发送器。该熔断器连接在隔离阻障部和接收器之间。当隔离阻障部两端的电压小于第一击穿电压时，该隔离阻障部阻止电流从发送器流至接收器。当隔离阻障部的两端的电压大于或等于第一击穿电压时，该隔离阻障部短路。当隔离阻障部短路时，该熔断器断开。当该熔断器断开时，该熔断器具有大于第一击穿电压的第二击穿电压。
故障安全电流隔离阻障

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202011261071.9在审
发明人：程仲良;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成全绕式栅极结构的方法包括沉积材料组成与功函数类似的第一栅极阻障层与第二栅极阻障层于第一栅极介电层与第二栅极介电层上；形成第一扩散阻障层与第二扩散阻障层于第一栅极阻障层与第二栅极阻障层上；以及自掺质源层掺杂穿过第一扩散阻障层与第二扩散阻障层，以掺杂第一栅极阻障层与第二栅极阻障层。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910500647.3有效
发明人：郭家邦;李亚莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包含在介电层上方形成阻障层，阻障层中的杂质的浓度随着阻障层延伸远离介电层而增加，以及进行等离子体制程以处理阻障层。
半导体装置形成方法

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