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[实用新型]一种牙颌跟踪阵列-CN202221373657.9有效
发明人：徐晓航;陈盛 -专利权人：杭州键嘉机器人有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及口腔种植领域结构，特别是涉及一种牙颌跟踪阵列。所述牙颌跟踪阵列为一体式结构，包括：牙颌固定结构、拆卸柄、阵列连接杆、阵列支架、反光贴模组。其中，所述牙颌固定结构设于底部，所述拆卸柄设于所述牙颌固定结构的背面，所述阵列连接杆用于连接所述牙颌固定结构和所述阵列支架，所述反光贴模组包括反光贴以及反光贴平台，设于所述阵列支架的圆形镂空安装位上。本实用新型采用一体式结构，可直接将阵列整体固定在牙颌上，不需要另外单独组装，且拆卸方便，可靠性高，不会意外断裂，另外内部设置有胶量指示结构，医生使用时可以控制临时冠用量，不会出现阵列脱落或者难拆卸的情况
一种跟踪阵列

[发明专利]一种基于异质结构波导阵列的飞秒激光压缩方法及装置-CN201810157574.8在审
发明人：王红成;黄晓园;张耿 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质结构波导阵列的飞秒激光压缩方法及装置，压缩方法中将光脉冲沿着两个具有不同周期的异质结构波导阵列界面传播，选择不同间距和弱耦合参数的单模波导组成的阵列，组合可编程相位元件对光束进行相位补偿异质结构波导阵列采用砷化铝镓波导阵列界面，压缩装置包括异质结构波导阵列，所述异质结构波导阵列为具有不同间距和弱耦合参数的单模波导组成的阵列。本发明光脉冲经过异质结构波导阵列，输出功率谱比用均匀波导元件时的功率谱均匀，压缩比大，可以得到更窄的飞秒激光脉冲。 1
波导阵列异质结构光脉冲压缩方法及装置单模波导飞秒激光弱耦合飞秒激光脉冲输出功率谱均匀波导砷化铝镓时域压缩相位补偿相位元件压缩装置波导阵功率谱可编程压缩比频域压缩传播

[实用新型]一种基于异质结构波导阵列的飞秒激光压缩装置-CN201820267925.6有效
发明人：王红成;黄晓园;张耿 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于异质结构波导阵列的飞秒激光压缩装置，将光脉冲沿着两个具有不同周期的异质结构波导阵列界面传播，选择不同间距和弱耦合参数的单模波导组成的阵列，组合可编程相位元件对光束进行相位补偿，从而对输入的光脉冲进行频域展宽和时域压缩异质结构波导阵列采用砷化铝镓波导阵列界面，压缩装置包括异质结构波导阵列，所述异质结构波导阵列为具有不同间距和弱耦合参数的单模波导组成的阵列。本实用新型光脉冲经过异质结构波导阵列，输出功率谱比用均匀波导元件时的功率谱均匀，压缩比大，可以得到更窄的飞秒激光脉冲。
波导阵列异质结构压缩装置光脉冲本实用新型单模波导飞秒激光弱耦合飞秒激光脉冲输出功率谱均匀波导砷化铝镓时域压缩相位补偿相位元件波导阵功率谱可编程压缩比频域传播

[实用新型]高灵敏度高速光接收器件-CN202220746278.3有效
发明人：廖浩;林桂光;司马卫武 -专利权人：湖南光智通信技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高灵敏度高速光接收器件，包括PCB板、PD芯片阵列、TIA芯片阵列以及解复用组件，所述PD芯片、TIA芯片与所述PCB板电连接，所述TIA芯片与所述PD芯片电连接，解复用组件包括解复用单元、设置在解复用单元的出光侧的透光支撑结构以及设置在透光支撑结构的汇聚透镜阵列，PD芯片阵列设置在汇聚透镜阵列远离透光支撑结构的一侧，光信号依次经解复用单元、透光支撑结构、汇聚透镜阵列，最后到达PD芯片阵列解复用组件集成透光支撑结构，利用透光支撑结构实现将汇聚透镜阵列固定在解复用单元的出光侧，汇聚透镜阵列可以有效提升光路耦合效率，从而提高了光接收器件的灵敏度。
灵敏度高速接收器件

[发明专利]一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法-CN201911245525.0有效
发明人：马立安;赖文宗;林德;魏朝晖;陈彦斌;唐天宝;王乾廷 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2019-12-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法，该阴极结构包括高导电的三维碳阵列，所述三维碳阵列表面沉积有金属钛纳米结构，形成核壳结构的钛/三维碳阵列；该阴极结构的制备方法，包括以下步骤：1）三维碳阵列制备；2）三维碳阵列表面离子刻蚀；3）在三维碳阵列上沉积金属钛层；4）金属钛/三维碳阵列真空退火。该阴极结构及其制备方法不仅有利于提高电子发射稳定性和发射电流密度，而且制备工艺简单，成本低。
一种金属修饰三维阵列阴极结构及其制备方法

[发明专利]像素阵列结构、显示面板以及像素阵列结构的制作方法-CN201610090201.4有效
发明人：锺育华;张祖强;王泰瑞 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种像素阵列结构包括底部承载板、线路层、平坦层、像素单元层以及传导结构。线路层配置于底部承载板上。平坦层覆盖线路层，且平坦层的远离线路层的一侧具有平坦面。像素单元包括驱动电路结构以及电性连接该驱动电路结构的像素电极。传导结构贯穿平坦层并且连接于驱动电路结构与线路层之间。本发明另提出一种具有上述像素阵列结构的显示面板及上述像素阵列结构的制作方法。
像素阵列结构显示面板以及制作方法

[发明专利]一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构-CN202110997344.4有效
发明人：谢成民;崔千红;杨靓;李海松;李立;马蕊;朱吉喆 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构，在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵，同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路，上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出，下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出本发明相比较传统分块设计的结构，减小了位线放电幅度进而负载，降低了最坏路径延迟和存储器的功耗，达到提高整体存储器读取速度的目的；最后，本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计，具有良好的应用前景和经济效益
一种存储阵列电路结构大型

[发明专利]三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法-CN202110608548.4在审
发明人：王迪;周文犀;夏志良;张中 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本文公开了具有阶梯结构的3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，该3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构。该阶梯结构位于存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。该阶梯结构包括沿横向方向延伸的多个台阶、以及与存储阵列结构接触的桥接结构。该台阶包括电连接到桥接结构的导体部分，并且通过桥接结构电连接到存储阵列结构。沿着垂直于横向方向的第二横向方向并且远离桥接结构，导体部分的宽度减小。
三维存储器件中的阶梯结构用于形成方法

[发明专利]三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法-CN202080001205.5有效
发明人：王迪;周文犀;夏志良;张中 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本文公开了具有阶梯结构的3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，该3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构。该阶梯结构位于存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。该阶梯结构包括沿横向方向延伸的多个台阶、以及与存储阵列结构接触的桥接结构。该台阶包括电连接到桥接结构的导体部分，并且通过桥接结构电连接到存储阵列结构。沿着垂直于横向方向的第二横向方向并且远离桥接结构，导体部分的宽度减小。
三维存储器件中的阶梯结构用于形成方法

[发明专利]混合型DAC电容阵列结构-CN201510055601.7在审
发明人：杨雁;伏进;王国兴;李龙;吴高林;王谦;孟晓旭;籍勇亮;李勇;耿文良 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网公司;上海交通大学
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合型DAC电容阵列结构，包括n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、一个冗余电容，n个C2C电容阵列单元中第1个比特对应的节点与冗余电容相连接，为电容阵列结构的输入端，第n个比特对应的节点与第n+1个比特到第n+m个比特对应的节点相连，为电容阵列结构的输出端，每个节点下端的电容的下极板连接一个选择开关。本发明将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合，从而兼有了二进制权重电容阵列结构精度高、带衰减电容阵列结构功耗低的优点，通过控制C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元的组成比例，能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗
混合 dac 电容阵列结构

[发明专利]一种基于人工表面等离激元结构的端射圆极化天线-CN202310904895.0在审
发明人：唐旻;赵彬杉;王美妮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种基于人工表面等离激元结构的端射圆极化天线，包括第一金属层、介质层、第二金属层和金属过孔阵列，所述第一金属层的一侧加载了人工表面等离激元结构，用于产生水平极化的电磁波；所述金属过孔阵列设置在介质层中，包括第一金属过孔阵列、第二金属过孔阵列、第三金属过孔阵列、第四金属过孔阵列、第五金属过孔阵列和第六金属过孔阵列，所述第二金属过孔阵列、第五金属过孔阵列、第一金属层、第二金属层和介质层构成基片集成波导转接结构，所述第二金属过孔阵列、第六金属过孔阵列、第一金属层、第二金属层和介质层构成了基片集成波导辐射结构，用于产生垂直极化的电磁波。本发明以平面结构实现了天线端射圆极化辐射。
一种基于人工表面离激元结构端射圆极化天线

[发明专利]微透镜阵列结构及其制造方法、复眼镜头、电子装置-CN201811416956.4有效
发明人：徐锐 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种微透镜阵列结构、复眼镜头、微透镜阵列结构的制造方法和电子装置。微透镜阵列结构包括第一透镜阵列和第二透镜阵列。第一透镜阵列包括多个第一凸台，多个第一凸台沿第一方向排列。第二透镜阵列包括多个第二凸台，多个第二凸台沿第二方向排列。多个第一凸台与多个第二凸台在第三方向上交叠形成微透镜阵列。第一方向与第二方向相交，第三方向垂直于第一方向和第二方向。本申请实施方式的微透镜阵列结构、复眼镜头、微透镜阵列结构的制造方法和电子装置中，多个第一凸台与多个第二凸台交叠形成微透镜阵列，制造工艺简单，制作出来的微透镜阵列均匀性较好，成本较低。
透镜阵列结构及其制造方法复眼镜头电子装置

[发明专利]一种进气道结构及其制作方法-CN201910428812.9在审
发明人：李继超;李智慧;杜娟;刘洋;李帆;张宏武 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： F02M35/104 文献下载
摘要：一种进气道结构及其制作方法，该进气道结构为S弯形或蛇形，进气道结构内壁设为多个鲨鱼表皮鳞片状结构，鲨鱼表皮鳞片状结构沿进气道结构周向或轴向方向阵列排布，且排布的阵列密度不同，轴向排布时，大弯角两侧阵列排布的阵列密度大于其它区阵列排布的阵列密度该进气道结构实现对进气道边界层分离流动的控制，解决了现有进气道流动控制方式需要增加额外能量、辅助机构和自适应差的问题。鲨鱼表皮鳞片状结构周向或轴向阵列排布方式，可最大化、连续性抑制边界层流动分离。该进气道结构适用性更宽。
进气道结构阵列排布表皮鳞片鲨鱼进气道边界层分离进气道流动额外能量辅助机构控制方式轴向方向轴向排布蛇形边界层自适应最大化大弯内壁排布轴向流动制作

[发明专利]具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法-CN200810128535.1有效
发明人：侯智升;侯维新 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法。上述功能性阵列元件包括透明基板。图案化阵列式下电极设置于该透明基板上。间隙壁结构设置于该透明基板上，且位于该图案化阵列式下电极之间的间隙，且与该图案化阵列式下电极自对准。功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中。图案化上电极设置于该功能性结构层上，位于对应该像素阵列区域，以及保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该功能性阵列元件。
对准电极结构功能阵列元件及其制造方法

[发明专利]一种减反射微结构及其制作方法-CN202210674293.6在审
发明人：王兴祥;胡汉林;陈文礼;李松华;包悦;刘继伟;孔祥盛;孙俊伟;李同毅;赵文广;刘立平 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本申请公开了一种减反射微结构，涉及光学技术领域，用于光学器件窗口上，包括基底；设于基底上表面和/或下表面的微结构层，微结构层包括至少两层层叠设置的微结构阵列层，每层微结构阵列层包括多个微结构，不同微结构阵列层中的微结构的材料不同本申请中减反射微结构的微结构层包括微结构阵列层，微结构阵列层包括多个微结构，微结构阵列层可以等效成具有渐变折射率梯度分布的薄膜，实现减反射效果，同时微结构阵列层的层数在两层以上，且不同微结构阵列层的材料不同，减少折射率的突变，因此可以减少发生菲涅尔反射，增强减反射微结构的减反射能力，实现更好的增透效果。本申请还提供一种具有上述优点的减反射微结构制作方法。
一种反射微结构及其制作方法

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