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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种茶树精细化栽培生育性状实时监测方法-CN201310355870.6有效
发明人：李明;刘仲华;黄建安;戴思慧 -专利权人：湖南农业大学
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：基于在线定位的茶树活体生育特征数据采集装置进行实时数据采集，采集的数据通过无线通信方式传输到人工综合管理中心进行处理；所采集的数据包括：利用定位机构采集当前的位置数据；利用高光谱成像传感器采集茶鲜叶光谱数据；利用超声波传感器测量茶鲜叶的平均生长高度；人工综合管理中心依据以上数据结合离线建立的采摘判别模型，判别鲜茶叶采摘最佳时期；采摘判别模型包括基于平均生长高度的度量新芽尺寸发育模型和基于高光谱图像数据的产量相关模型和品质相关模型；该茶树精细化栽培生育性状实时监测方法
一种茶树精细栽培生育性状实时监测方法

[发明专利]多波长高重复频率超短脉冲光源-CN201310027019.0有效
发明人：王肇颖;高翠芹;秦旭伟 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01S3/13 文献下载
摘要：为克服现有超短脉冲光源输出波长选择性差和单一的缺陷，产生多波长高重复频率的超短脉冲，本发明采取的技术方案是，多波长高重复频率超短脉冲光源，包括：多波长光纤激光器，增益可调谐掺铒光纤放大器，光隔离器，宽带光学频率发生器
波长重复频率超短脉冲光源

[发明专利]基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法-CN201510772384.3有效
发明人：程新红;沈玲燕;王中健;曹铎;郑理;王谦;张栋梁;李静杰;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。
基于氟化石墨钝化 algan gan hemt 器件制作方法

[发明专利]松针状碳纳米管/碳纤维导电网络复合碳材料的制备方法-CN201610388144.8有效
发明人：刘世斌;孟卫娟;李瑜;李一兵;张忠林;段东红;郝晓刚 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种松针状碳纳米管/碳纤维导电网络复合碳材料的制备方法，所述制备方法是以碳纤维织物的纤维为生长基底，在所述生长基底上生长高密度排列的碳纳米管；所生长高密度排列的碳纳米管连同碳纤维基底形成三维多孔的松针状碳纳米管
松针纳米碳纤维导电网络复合材料制备方法

[发明专利]石斛育苗方法-CN201611027267.5有效
发明人：陈文;敖静;张云霞 -专利权人：深圳市华盛实业股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm
石斛育苗方法

[发明专利]InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法-CN200810055348.5有效
发明人：冯志宏;刘波;尹甲运 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)进行器件结构的多层生长。
inaln 缓冲生长 aln algan 方法

[发明专利]高炉薄壁内衬以及安装方法-CN201610429481.7有效
发明人：赵奇强;李学华;王磊 -专利权人：中冶华天南京工程技术有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C21B7/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高炉薄壁内衬，主要针对现有技术下的高炉使用寿命短的问题，提出了一种延长高炉使用寿命的高炉薄壁内衬，包括炉腹、炉腰和炉身，所述炉身包括炉身上部、炉身中部和炉身下部；所述炉腹、炉腰和炉身下部的冷却壁镶砖砌筑成平滑面砖衬本发明的高炉冷却壁上在不同位置根据其工作环境的不同设置了不同的砖衬，各个位置的使用寿命的能大幅度延长，从而，能够延长高炉的使用寿命。
高炉薄壁内衬以及安装方法

[发明专利]液体封闭式连接管道-CN200310114848.9有效
发明人：佐藤学;田中秀人;吉本圭司;宇野钦文 -专利权人：关西热化学株式会社;住重机器系统株式会社
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： F16L55/00 文献下载
摘要：一种液体封闭式连接管道，设置有长条状容器(20)、对该长条状容器的上面开口实行在宽度上一部分堵塞的盖构件(30)，盖构件由从长条状容器的长高侧壁(23)延伸设置的顶板(31)、从该顶板的前端缘部向下方垂下的垂下隔板在紧接顶板的下部，在从垂下隔板离开的位置的长条状容器的底板上，竖立设置有竖立隔板(40)，在竖立隔板与长条状容器的短高侧壁(22)之间形成充填填充水(W)的液体填充室(10a)，在竖立隔板与长条状容器的长高侧壁之间形成粉尘堆积室
液体封闭式连接管道

[发明专利]一种MOS器件原子层沉积原位制备方法-CN201610982579.5有效
发明人：解婧;卢维尔;屈芙蓉;李楠;王欢;赵丽莉;邢建鹏;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极
一种 mos 器件原子沉积原位制备方法

[发明专利]一种用于电弧增材制造过程稳定的控制方法和装置-CN202111540028.0有效
发明人：王爱民;杨锦 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：所述方法包括：获取电弧增材制造过程中的实时参数数据；所述实时参数数据包括焊接电压值和焊接电流值；根据所述实时参数数据，对电弧增材制造过程的第一参数进行调节，第一参数包括送丝速度和弧长高度中的至少一项。本发明在电弧增材制造过程中根据实时参数数据，对送丝速度和弧长高度中的至少一项进行调节，在工艺参数变化较大的情况下保证焊丝稳定过渡，减少成型过程飞溅、粘丝(焊丝与已凝固焊道粘接)等现象，进而提高电弧增材制造的精确度
一种用于电弧制造过程稳定控制方法装置

[发明专利]一种促长高提高免疫力的菌剂及其在配方奶粉上的应用-CN202210243158.6有效
发明人：吴兆盈 -专利权人：南昌恒赋健康管理有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明涉及微生物技术领域，公开了一种促长高提高免疫力的菌剂及其在配方奶粉上的应用。LTBL16均为安全的益生菌，都是安全性很高的食品用菌，成分确切，安全有保障，可以直接做成口服液，也可以做成奶粉制品，食用方便；本发明提供的菌剂不仅能提高免疫力，同时还能促进钙吸收、骨骼生长，从而促进长高
一种长高提高免疫力及其配方奶粉应用

[发明专利]一种园林绿化养护方法-CN202011612044.1有效
发明人：林志祥 -专利权人：厦门鹏岳市政建设有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A01G3/00 文献下载
摘要：施肥对绿化植物进行培育；S2：采用养护装置将散落在绿化植物丛中的固体废弃物聚集到一边，再清除聚集到一起的固体废弃物；S3：采用步骤S2中的养护装置对绿化植物进行修剪，通过调节养护装置的修剪高度，将绿化植物修剪到所需的生长高度、清理修剪下来的绿化植物残渣，直至绿化植物修剪完毕；该养护方法采用养护装置不仅可将散落在绿化植物丛中的固体废弃物聚集到一边，便于及时清除固体废弃物，还可调节养护装置的修剪高度，将绿化植物修剪到所需的生长高度
一种园林绿化养护方法

[发明专利]一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜及应用-CN201110058727.1无效
发明人：陈新亮;耿新华;王斐;闫聪博;张德坤;孙建;魏长春;张建军;张晓丹;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的
一种结构 bzo hgzo 复合薄膜应用

[发明专利]长高温循环镍钴锰酸锂NCM523三元材料及其制备方法-CN201310726770.X无效
发明人：衡凯;赵志兵;王燕舞;万国莉 -专利权人：兰州金里能源科技有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池用长高温循环镍钴锰酸锂NCM523三元材料的制备方法。长高温循环镍钴锰酸锂NCM523三元材料的化学式为Li1+xNi0.5Co0.2Mn0.3AlxＯ2，其中x=0.02～0.1。
高温循环镍钴锰酸锂 ncm523 三元材料及其制备方法

[发明专利]三岔路口单层全能立交桥-CN201310494259.1无效
发明人：周智昂 -专利权人：周智昂
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： E01C1/04 文献下载
摘要：本发明的技术方案是在三岔路口三个方向的道路上为所有的右转进和左转出车辆建单向高架桥，相邻道路的左转出和右转进高架桥均相互连接，在同一道路上的右转进和左转出高架桥采用长短高架相结合的方式，且右转进高架桥在左转出的右边；立交桥上所有长高架桥均跨越正、反向车道且在高处斜向变道并最终落在正向车道上，地面车辆可从长高架桥下穿过以变换车道或掉头。
三岔路口单层全能立交桥

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