“长波长 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果103116个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光源装置-CN201580043200.8在审
发明人：町田亮 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明的光源装置(1)具备长波长光源(23)，其发出在红色的波长范围具有峰值波长的长波长光(Lr)；单个宽频带光源(22)，其发出宽频带的宽频带光(Lg)，该宽频带光(Lg)包含500nm至580nm的绿色的波长范围并且在580nm以下具有峰值波长，且该宽频带光(Lg)在长波长侧具有与长波长光(Lr)的短波长侧的波长范围重叠的波长范围；以及合波部(32)，其将长波长光(Lr)的比规定波长长的波长范围与宽频带光(Lg)的规定波长以下的波长范围进行合波，其中，规定波长是长波长光(Lr)的峰值波长与宽频带光(Lg)的峰值波长之间的波长，并且是使长波长光(Lr)的强度为长波长光(Lr)的峰值强度的10％以上且使宽频带光(Lg)的强度为宽频带光(Lg)的峰值强度的10％以上的波长。
光源装置

[发明专利]多波长发光元件以及其制造方法-CN202180016572.7在审
发明人：李贞勳;赵大成;李素拉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：根据一实施例的发光元件包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述长波长发光部的活性层相比所述短波长发光部的活性层具有更多铟(In)，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。
波长发光元件及其制造方法

[发明专利]高线性激光器芯片及其制备方法-CN202310612843.6在审
发明人：李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 -专利权人：成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。
线性激光器芯片及其制备方法

[实用新型]长波长半导体基片及激光器芯片-CN202321298955.0有效
发明人：李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 -专利权人：成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。
波长半导体激光器芯片

[发明专利]一种基于光梳锁定的长波红外标准波长产生装置及方法-CN202211084096.5在审
发明人：吴斌;王洪超;杨延召;陈坤峰;李京松;刘红元;王恒飞;蔡高航;赵耀 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光梳锁定的长波红外标准波长产生装置及方法，属于长波红外波技术领域。本发明方法包括如下步骤：基于近红外光差频机理产生出长波红外波段的光梳信号；根据所需校准波长点，实现长波红外波段的稳定标准波长信号；当需要产生长波红外波段其他波长点上的标准光源时，通过调谐长波红外可调谐激光器的波长再次锁定至光梳实现；将标准光波长信号导入被校光谱测量仪器，根据测量值与标准值间的误差值实现对被校光谱测量仪器的校准。本发明中长波红外标准光波长不确定度水平高；在长波红外波段的光波长测量不确定度优于10‑10；标准光波长可连续调谐，从而实现对长波红外光谱测量仪器在一系列波长点上的校准
一种基于锁定长波红外标准波长产生装置方法

[发明专利]一种波峰为长波长的OLED器件及其制备方法-CN201710707864.0在审
发明人：屠国力;戴宗书 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种波峰为长波长的OLED器件及其制备方法，利用两种短波长的材料主客体掺杂制备波峰为长波长的OLED器件，并且掺杂的短波长材料不同，波峰红移程度不同。本发明与制备普通的波峰为长波长OLED器件相比，在器件结构，材料方面，采用短波长的客体材料掺杂到短波长主体中制备波峰为长波长的OLED器件，并且较短波长客体不发光，通过本发明利用成本低短波长的材料制备长波长的OLED器件，并且不需要化学合成深红光客体，在器件结构，材料，成本，波长等方面有重大的突破。
一种波峰波长 oled 器件及其制备方法

[实用新型]多波长发光元件-CN202120418118.1有效
发明人：李贞勳;赵大成;李素罗 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供一种多波长发光元件。根据一实施例的发光元件包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。
波长发光元件

[发明专利]一种宽带光纤放大器-CN200510033192.7无效
发明人：张文斗;马立苹 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：一种涉及光学的宽带光纤放大器，包括第一放大模块和第二放大模块，其特征在于：第一放大模块输出端和第二放大模块输入端之间串连滤波模块，第一放大模块的输入端连接环行器，第二放大模块的输出端连接反射模块，的滤波模块对短波长波段和长波长波段信号光分别产生反射和透射，反射模块对长波长波段信号光产生反射，环行器的一个端口与第一放大模块输入端相连，环行器的另外两个端口分别接收和输出信号光；第一放大模块用于放大短波长波段和长波长波段信号功率，第二放大模块用于放大长波长波段信号功率
一种宽带光纤放大器

[发明专利]半导体光接收器件及其制造方法-CN200410034383.0无效
发明人：须原基 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体光接收器件，该器件能够接收第一波长波段的光束和第二波长波段的光束，第二波长波段的光束具有比第一波长波段的光束更短的波长。该器件具有在半导体衬底的半导体表面区域上形成的第一导电类型的光吸收层，光吸收层吸收第一和第二波长波段的光束。第一导电类型的顶层形成在光吸收层上。在覆盖层中，形成传输第二波长波段的光束的第二导电类型的区域。光收集层形成在半导体表面区域上并且与覆盖层和光吸收层相邻。光收集层具有凸起形状，该凸起形状具有曲率，以收集第二波长波段的光束。
半导体接收器件及其制造方法

[发明专利]光谱分解-CN202080015867.8在审
发明人： P·J·比尔茨;N·霍尔茨;E·W·恩兹利 -专利权人：埃森仪器公司DBA埃森生物科学公司
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：显示色差的显微镜物镜或其它光学元件可以用于获得不同波长的荧光团或其它造影剂的图像。所获得的图像随后用于相互校正，例如，以移除较短波长荧光团的图像中由来自较长波长荧光团的串扰引起的伪影。在对应于所述较短波长荧光团的焦距处拍摄的较长波长图像被拍摄并用于减去较短波长图像中的所述较长波长荧光团的活性。所述较长波长图像可以使用设置为较短波长焦距的显微镜被拍摄。替代地，所述较长波长图像可以通过对当所述显微镜设置为较长波长焦距时拍摄的较长波长图像应用模糊滤波器或其它方法被模拟。
光谱分解

[发明专利]低内热固体激光放大器-CN201810583561.7有效
发明人：郭广妍;赵天卓;林蔚然;樊仲维 -专利权人：中国科学院光电研究院
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：本发明提供了低内热固体激光放大器，该低内热固体激光放大器包括：增益介质；长波长泵浦光生成模块，其包括泵浦源、工作物质和谐振腔，泵浦源位于谐振腔外，工作物质位于谐振腔内；长波长泵浦光控制模块，其位于长波长泵浦光生成模块中的谐振腔内的长波长泵浦光振荡路径；其中，在长波长泵浦光振荡路径中工作物质出射的光直接入射至增益介质的侧面，且该增益介质贯通长波长泵浦光振荡路径。
长波长泵浦光固体激光放大器工作物质增益介质振荡路径谐振腔内热泵浦源泵浦和谐振腔控制模块出射入射贯通侧面

[发明专利]传输装置以及传输方法-CN201880027067.0在审
发明人：加藤智行;星田刚司;竹山智明 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：传输装置在传输路径传输波长复用光。传输装置具有第一复用部、第二复用部、波长转换部以及第三复用部。第一复用部将第一波长波段的波长的光进行复用而输出第一复用光。第二复用部将所述第一波长波段的波长的光进行复用而输出第二复用光。波长转换部将所述第二复用光转换为与所述第一波长波段不同的第二波长波段的波长。第三复用部将转换为所述第二波长波段的波长的第二复用光和所述第一复用光进行复用而输出所述波长复用光。
复用光复用波长波段波长传输装置复用部输出波长转换部波长复用波长转换部件成本传输波长传输路径传输容量转换

[发明专利]长波长扫描近场显微分析系统-CN201410200652.X有效
发明人：陆亚林;杨蒙蒙;黄秋萍;胡翔;陆轻铀 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G01Q60/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种长波长扫描近场显微分析系统。该长波长扫描近场显微分析系统集成宽频长波长和单频太赫兹波、利用扫描探针、集成可变电场、可变磁场、可变温度场的近场显微分析系统，填补了在近场显微领域里长波长波段的技术空白，连接起近场光学显微技术、近场微波显微技术
波长扫描近场显微分析系统

[发明专利]一种针对中远红外波段的波前探测方法-CN202211288941.0在审
发明人：郭晗;金睿焱;王帅;杨平 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：所述方法通过将中远红外激光照射于特定荧光材料来激发荧光，从而利用荧光材料特性对入射光进行频率上的转换，将入射长波长光信号转换为短波长光信号，利用普通CMOS探测器测量转换后的短波长波前信息，通过转换前的波前信息与转换后的波前信息之间的直接相关关系，可以获得中远红外波段的长波长波前信息，即利用普通CMOS探测器即可探测到长波长波段波前信息，不需要再利用特定红外波段探测器。相比于专用于长波段的波前传感器，只需要在传输光路上添加荧光材料即可直接探测长波长波前信息。
一种针对红外波段探测方法

[发明专利]光学镜头、取像装置及电子装置-CN202110868856.0有效
发明人：张建邦;张沛颀;邓钧鸿 -专利权人：大立光电股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：所述光学镜片中至少一光学镜片包含长波长吸收材料，包含长波长吸收材料的光学镜片由塑胶材料所制成，长波长吸收材料均匀混合于塑胶材料中。所述光学镜片中至少一光学镜片包含长波长滤除镀膜，包含长波长滤除镀膜的光学镜片由塑胶材料所制成，长波长滤除镀膜位于光学镜片的物侧表面或像侧表面，长波长滤除镀膜包含多个高折射率膜层与多个低折射率膜层，且高折射率膜层与低折射率膜层交替堆叠
光学镜头装置电子

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条