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[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置-CN201711351929.9在审
发明人：刘伟;唐彬 -专利权人：南昌欧菲光学技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：该高阻膜包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物，高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得阻抗比导电金属氧化物自身阻抗更高的高阻膜。也即高阻膜的阻抗介于导电金属氧化物与绝缘氧化物之间，可以用于替代具有与其具有相同阻抗的导电金属氧化物膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。
高阻导电金属氧化物阻抗绝缘氧化物电子装置复合膜掺杂铟锡氧化物膜二氧化锡膜导电性能目标阻抗氧化锌膜储存量阻抗比替代

[发明专利]一种银氧化锡电触头材料的制备方法-CN201310238015.7有效
发明人：刘松涛;王俊勃;杨敏鸽;贺辛亥;付翀;徐洁;苏晓磊;杨增超;江燕 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种银氧化锡电触头材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：（1）用球磨法制备出掺杂纳米氧化锡粉体；（2）将制得的掺杂纳米氧化锡粉体进行机械合金化表面处理，得到混合均匀的混合粉体D；（3）将得到的混合粉体D与银粉混合得到银氧化物粉体；（4）将得到的银氧化物粉体依次进行成型、烧结处理；（5）得到本发明的银氧化锡电触头材料。本发明的一种银氧化锡电触头材料的制备方法解决了现有触头材料在制备过程中存在的生产周期长、氧化物易于偏聚及工艺复杂的问题。
一种氧化锡电触头材料制备方法

[发明专利]一种高效处理含铬废水的复合材料光催化剂及其制备方法-CN202210801840.2在审
发明人：周诗健;孔岩;蒋其超;胡浩;潘玲玲;谢浩然;李常来 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效处理含铬废水的复合材料光催化剂及其制备方法，复合光催化剂中含锡氧化物与金属硫化物的质量比为1～5：1；其制备方法步骤一：水热法制备含锡氧化物；步骤二：制备含锡氧化物负载金属硫化物；其光催化剂的测试方法，利用含锡氧化物或金属硫化物复合物降解Cr(Ⅵ)。本发明利用含锡氧化物和金属硫化物之间价带和导带的独特电势，使电子和空穴之间有效分离，更多自由电子参与到Cr(Ⅵ)的还原反应中，极短的时间内有极高催化效果，具有良好经济和社会效益；采用金属硫化物和Sn
一种高效处理废水复合材料光催化剂及其制备方法

[发明专利]电阻减小的介电组合物-CN02810108.1无效
发明人： R·J·布查德;L·－T·A·程;K·W·航;D·H·罗奇 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供一种介电组合物，其包含一种电介质和一种导电氧化物，其中所述电介质在约450℃－约550℃范围内的温度下在空气中是可烧结的；所述导电氧化物选自锑掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、具有混合价态或者在约450－约550℃在氮气下烧结后形成混合价态的过渡金属氧化物，以及导电贵金属氧化物如二氧化钌；其中，导电氧化物含量为电介质和导电氧化物总重量的约0.25重量％－约25重量％。介电组合物具有减小的电阻并且用于电子场发射装置中以消除电子发射体附近电介质的充电和静电荷诱导场发射效应。
电阻减小组合

[发明专利]一种多功能型单相烧绿石结构的锡酸钕纳米球复合氧化物材料-CN201510059287.X有效
发明人：王仲鹏;张晓敏;王立国;刘旭辉;吕敏 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能型单相烧绿石结构的锡酸钕纳米球复合氧化物材料。该氧化物的化学结构式为Nd2Sn2O7，它是利用PEG作为交联剂辅助水热法合成的具有单相烧绿石结构的复合氧化物材料，该过程无需高温焙烧再结晶，工艺简单，易于控制，无污染，成本低，所得样品具有较大的比表面积该烧绿石结构的锡酸钕纳米球复合氧化物材料在可见光区408nm和438nm波长处存在明显的发光峰，拓展了烧绿石结构的锡酸钕纳米球复合氧化物材料在光致发光领域的应用，同时该材料还可以用于催化去除柴油车尾气和光催化处理废水，因而是一种多功能型的单相烧绿石结构的锡酸钕纳米球复合氧化物材料。
一种多功能单相烧绿石结构锡酸钕纳米复合氧化物材料

[发明专利]用于低温催化分解N₂O的复合氧化物催化剂及其制备-CN201710438277.6有效
发明人：王永钊;赵永祥;胡晓波;高鹏飞;武瑞芳;郑珂 -专利权人：山西大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： B01J23/835 文献下载
摘要：本发明属于化工催化剂和大气污染治理技术领域，具体为一种用于低温催化分解N₂O的复合氧化物催化剂及其制备方法。本发明催化剂为钴氧化物与锡氧化物组成的复合氧化物，钴氧化物为活性成分，锡氧化物为助催化剂，锡/钴摩尔比为0.01～0.1:1。本发明催化剂的制备方法：将一定量的钴盐、锡盐与尿素混合均匀并充分研磨，然后经甲酸的水/乙醇溶液浸泡处理，再经离心、干燥和焙烧等步骤制得催化剂。
用于低温催化分解 n2o 复合氧化物催化剂及其制备

[发明专利]负载大孔锑锡氧化物的二氧化钛纳米管的制备方法-CN201410430499.X有效
发明人：王赪胤;乔江;王金权;周成武;代囟;杜蒙;刘琳;张明 -专利权人：扬州大学
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：负载大孔锑锡氧化物的二氧化钛纳米管的制备方法，涉及属于金属氧化物电极材料的制备技术领域，也涉及苯酚废水处理技术领域。将填充有锑锡氧化物的二氧化钛纳米管浸入到高度分散的聚苯乙烯微球乙醇溶液中，恒温干燥成膜，制得负载有蛋白石聚苯乙烯模板的二氧化钛纳米管；然后，在负载有蛋白石聚苯乙烯模板的二氧化钛纳米管的蛋白石聚苯乙烯模板上涂覆聚合物前驱体溶液，经高温烧结去除聚苯乙烯微球，得到以二氧化钛纳米管为基体的反蛋白石大孔结构的锑锡氧化物材料。本发明采用聚合物前驱体法在二氧化钛纳米管基体上制备致密均匀有序的大孔锑锡氧化物膜层。本发明便于工业体生产，成本相对低廉。
负载大孔锑锡氧化物氧化纳米制备方法

[发明专利]混合稀土氧化物改性的银氧化锡电接触材料的制备方法-CN201010575411.5有效
发明人：李进;马光;孙晓亮;王轶;操齐高 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合稀土氧化物改性的银氧化锡电接触材料的制备方法，包括以下步骤：一、将Ag2O粉末进行处理；二、将Sn、稀土元素和Ag合金化制备合金熔体；三、喷射共沉积制备复合材料；四、对复合材料进行原位化学处理；五、挤压、轧制、拉拔制备混合稀土氧化物改性的银氧化锡电接触材料。本发明通过喷射共沉积、原位化学反应等先进加工技术集成，可实现短流程、近成形、强制均匀凝固制备混合稀土氧化物改性的银氧化锡电接触材料。采用本发明制备的混合稀土氧化物改性的银氧化锡电接触材料具有高的抗熔焊性和耐电弧烧损性能，同时具有温升低、后续加工简便、使用范围广、使用寿命长和可实现工业化生产的特点。
混合稀土氧化物改性氧化接触材料制备方法

[发明专利]透光性导电性片的制造方法-CN202180038168.X在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。
透光导电性制造方法

[发明专利]一种高氧化锡含量银基片状电触头材料的制备方法-CN201510612835.7有效
发明人：夏承东;缪仁梁;万岱;刘立强;柏小平;周克武;林万焕 -专利权人：福达合金材料股份有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有高氧化锡含量的银基片状电触头材料的制备方法。该制备方法是将锡和添加物金属按一定比例在中频熔炼炉进行熔炼雾化制粉，粉末压锭保护气氛烧结后破碎成块并进行块体氧化，再粉碎后模压成锭，经热压烧结、挤压、轧制和冲制，加工成银氧化锡片材。本发明所述方法可提高银基电触头材料中氧化物颗粒尺寸，改善材料的后续加工性能，所制备的银氧化锡电接触材料具有氧化物含量高、氧化物颗粒粗大、加工性能好、组织均匀等特点，而且生产清洁，适于大批量生产。
一种氧化含量片状电触头材料制备方法

[发明专利]一种微观颗粒绕三坐标轴旋转的微流控芯片的控制方法-CN201610627211.7有效
发明人：朱晓璐;杨逸飞;聂晟楠;戴含晖;陈宇恒;李欣 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微观颗粒绕三坐标轴旋转的微流控芯片及其控制方法，本微流控芯片自上而下依次包括上铟锡氧化物薄膜、微流体腔、光电导层和下铟锡氧化物薄膜；其中所述上、下铟锡氧化物薄膜适于分别连接一交变信号源的输出端、接地端；以及相应光图形通过分别透过下铟锡氧化物薄膜照射光电导层的下端面，以调节微流体腔内的细胞姿态和/或位置；本发明适于对细胞进行三维旋转进而进行位姿调整，操作简单，避免了在芯片上制作复杂的物理实体电极阵列或者其他的接触式操纵部件
一种微观颗粒坐标轴旋转微流控芯片及其控制方法

[发明专利]透明导电膜及使用其的基板、电子器件以及液晶显示装置-CN200680043207.0无效
发明人：梅野聪;海上晓;井上一吉;田中信夫 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种透明导电膜，其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，具有与导体的连接部分，且至少所述连接部分具有结晶性。
透明导电使用电子器件以及液晶显示装置

[发明专利]竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法-CN202111131018.1有效
发明人：岳都元;栾奕;贾志忠 -专利权人：烟台佳隆纳米产业有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米氧化铟锡粉体技术领域，尤其涉及一种竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法，包括如下步骤：(1)采用碱性爆发成核控制剂一次性加入铟和锡化合物水溶液，使其爆发成核；(2)采用弱碱性沉淀剂滴定步骤(1)所述成核后的铟和锡化合物水溶液，使晶核成长，得到铟锡氧化物前驱体；(3)将所述铟锡氧化物前驱体洗涤，干燥；(4)干燥后的所述氧化铟锡前驱体在不同反应条件下分别得到竹节状黄绿色氧化铟锡粉体和竹节状蓝色氧化铟锡粉体本发明的有益效果是：竹节状纳米氧化铟锡粉体具有更加优良的导电性能，合成工艺简单，反应周期短，适合工业化生产。
竹节纳米氧化铟锡粉体制备方法

[实用新型]液晶显示器薄膜电晶体的金属电极接触装置-CN01203877.6无效
发明人：林文坚;蓝纬洲 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2001-02-27 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种液晶显示器薄膜电晶体的金属电极接触装置,该薄膜电晶体包括基板、闸极电极、闸极绝缘层、本质半导体层及掺杂半导体层,及供作源/汲极电极,一金属氧化物导电膜形成于该第二金属层上;一保护层覆盖该金属氧化物导电膜上方;一接触窗穿过该保护层到达该金属氧化物导电膜;一铟锡氧化物导电层填充于该接触窗内,与该金属氧化物导电膜电性连接。本实用新型可使得该金属电极与上层铟锡氧化物导电层之间具有良好的接触电阻值。
液晶显示器薄膜电晶体金属电极接触装置

[发明专利]一种基于铟锡氧化物杂化多壁碳纳米管的气敏传感器的制备方法及应用-CN201510795392.X在审
发明人：魏琴;任祥;闫涛;杜斌;胡丽华;张勇;孙旭;曹伟 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铟锡氧化物杂化多壁碳纳米管的气敏传感器的制备方法及应用，属于新型气敏材料、气敏传感领域。基于铟锡氧化物良好的气敏性能和催化性能，以及铟锡氧化物的协同效应，能够显著提高气敏传感器的灵敏度，降低了气敏传感器的检出限，对于有毒有害气体的检测等具有重要的应用意义。
一种基于氧化物杂化多壁碳纳米传感器制备方法应用