“鸦田泰介”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法-CN202280011990.1在审
发明人： 鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(3)的制造方法具备：第1工序，准备长条的基材(1)；第2工序，在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(3)；和第3工序，在真空气氛下对透明导电层(2)进行加热。在第2工序中不卷取前述基材，而连续实施第3工序。
透明导电性薄膜制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法-CN202280011988.4在审
发明人： 鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(3)的制造方法具备：第1工序，准备长条的基材(1)；第2工序，在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(2)；和第3工序，在真空气氛下，使用加热辊(22)对透明导电层2进行加热。
透明导电性薄膜制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202280014562.4在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，且在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第2电阻值R2相对于第1电阻值R1的比率为0.650以上且0.990以下。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电层、透明导电性薄膜及物品-CN202280013108.7在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：透明导电层(1A)含有原子序数比氩大的稀有气体。透明导电层(1B)的厚度超过40nm。对透明导电层(1A、1B)进行X射线衍射时的(440)面的峰的半值宽度超过0.27度。
透明导电导电性薄膜物品

[发明专利]透明导电性薄膜以及透明导电性薄膜的制造方法-CN202180074002.3在审
发明人： 鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)沿厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电性薄膜(X)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有由165℃和60分钟的加热条件下的加热处理引起的热收缩率最大的第1方向、以及与该第1方向正交的第2方向。透明导电性薄膜(X)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第1热收缩率T1以及透明树脂基材(10)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第2热收缩率T2满足|T1‑T2|0.12％。
透明导电性薄膜以及制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202280007620.0在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B32B7/023 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。
透明导电性薄膜

[发明专利]层叠体-CN202280006988.5在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)。第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。透明导电层(4)含有原子序数比氩大的稀有气体。
层叠

[发明专利]层叠体-CN202280006989.X在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B32B7/025 文献下载
摘要：层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)，第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。
层叠

[发明专利]金属层、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件、图像显示装置及金属层的制造方法-CN202180069697.6在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：金属层包含属于第3周期和/或第4周期的金属作为主成分，并且包含氪原子和/或氙原子。
金属接触传感器调光元件光电转换射线控制构件天线电磁波屏蔽图像显示装置

[发明专利]透光性导电性片的制造方法-CN202180038168.X在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。
透光导电性制造方法

[发明专利]透光性导电层和透光性导电薄膜-CN202180029837.7在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。
透光导电薄膜

[发明专利]透光性导电层层叠体-CN202180029708.8在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透光性导电薄膜(10)沿着厚度方向依次具备树脂层(11)和透光性导电层(1)。透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。第一主面(2)或第二主面(3)接触树脂层(11)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。
透光导电层叠

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202180021801.4在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电层和透明导电性薄膜-CN202180022376.0在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电层1包含氪原子。X射线衍射的峰的半值宽度在(222)面中为0.31°以下。
透明导电导电性薄膜

[发明专利]透明导电层和透明导电性片-CN202180022926.9在审
发明人：藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电层3具备第一主面5和在厚度方向上与第一主面5相对的第二主面6。透明导电层3具有：第一晶界7，其在剖视时的两个端部边缘23均朝着第一主面5敞开，且两个端部边缘23之间的中间区域25不接触第二主面6；以及第一晶粒31，其被第一晶界7隔开，且仅面向第一主面5。透明导电层3含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。
透明导电导电性

1
2
下一页»
尾页
共 24 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top