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[发明专利]一种锗基衬底的表面钝化方法-CN201210383308.X无效
发明人：黄如;云全新;林猛;李敏;安霞;黎明;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于
一种衬底表面钝化方法

[发明专利]一种单原子锗与少原子团簇的制备方法-CN202211415380.6有效
发明人：张利杰;田麒玮;秦志辉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单原子锗与少原子团簇的制备方法，包括以下步骤：(1)在超高真空环境下，对单晶基底进行溅射和加热循环处理，得干净平整表面；(2)在超高真空环境下，将铋原子蒸发沉积到步骤(1)所得干净平整表面上，得二维有序的周期性孔洞薄膜；(3)在超高真空环境下，将锗原子蒸发沉积到步骤(2)所得二维有序的周期性孔洞薄膜上，同时保持生长温度并充分扩散，得蜂窝状分布的单原子锗以及三角晶格分布的锗团簇。本发明能够生长出高质量单原子锗与少原子锗团簇，并且表现为二维有序，单原子锗呈蜂窝状排布以及少原子团簇呈三角晶格排列。
一种原子原子团制备方法

[发明专利]半导体结构-CN200810093526.3有效
发明人：林俊杰;许伟华;张宇恩;张传理;郑吉峰;洪维远;岸本耕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。因此，本发明可降低硅化物(或锗的硅化物)的片电阻和表面轮廓，以改善金属氧化物半导体装置的硅化工艺的形成方式。
半导体结构

[发明专利]锗基衬底表面钝化方法-CN201210397259.5有效
发明人：黄如;林猛;云全新;李敏;王佳鑫;安霞;黎明;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。
衬底表面钝化方法

[发明专利]一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法-CN202111669086.3在审
发明人：鲍小志;鲍桥梁 -专利权人：南京科耐激光技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法，所述器件可饱和吸收器件采用数个原子层厚的锗材料作为可饱和吸收层，进行调Q和锁模，所述数个原子层厚的锗材料包括金刚石结构的半导体锗缓冲层以及在此之上生长的六元环形型结构的锗烯解决原子层厚可饱和吸收体的光调制深度小和非饱和损耗大的问题。
一种基于原子材料实用饱和吸收器件及其制备方法

[发明专利]锗硅半导体合金的制备方法-CN201611026168.5在审
发明人：李东键;骆薇薇;陈学敏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种锗硅半导体合金的制备方法，其其包括以下步骤制备具有{0001}c面的单晶氧化铝作为蓝宝石衬底；在上述的单晶氧化铝上生长立方金刚石结构的锗硅合金，该锗硅合金具有{111}晶体平面；该立方金刚石结构的锗硅合金的<110>方向，与所述的{0001}c面的单晶氧化铝的<1，0，‑1，0>方向对齐，也即锗硅合金的<110>晶向与单晶氧化铝的<1，0，‑1，0>互相平行；其中，所述的立方金刚石结构的锗硅合金中的硅原子和锗原子的百分比满足硅原子锗原子=（0.70‑0.74）（0.30‑0.26）。
半导体合金制备方法

[发明专利]电极材料的制备方法、电极材料及储能装置-CN202310977323.5在审
发明人：易典;王荣福;谢加鹏;袁昌理;朱海峰 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：该电极材料的制备方法包括如下步骤：在衬底上形成催化层；在衬底上沉积碳原子，基于催化层形成碳纳米管；在碳纳米管上沉积锗原子，基于碳纳米管形成位于碳纳米管的管壁上的锗膜层；以及，在锗膜层上沉积锡原子，基于锗膜层形成层叠设置于锗膜层上的锡膜层
电极材料制备方法装置

[发明专利]硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件-CN202211088815.0在审
发明人：林俊英;金亨根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：所述硫族化物材料包括具有第一原子百分比的锗(Ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(Se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(In)。
硫族化物材料包括半导体存储器件

[发明专利]一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法-CN201310565943.4有效
发明人：王业亮;李林飞;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法，锗烯二维原子晶体材料的制备方法包括：1）在真空环境下，将适量锗蒸发沉积到过渡金属铂基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使锗原子发生相互作用，在基底表面形成二维长程有序的膜状结构，其中锗原子成六角蜂窝状周期性排布，形成一种新型的二维原子晶体材料。
一种二维原子晶体材料及其制备方法

[发明专利]提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备-CN202011156256.3在审
发明人：乌李瑛;程秀兰;瞿敏妮;付学成;马玲;权雪玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理，然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪，可以提高高介电绝缘介质层和锗衬底之间的层间界面的质量、抑制锗向高介电绝缘介质层的扩散，并对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。本发明能够更有效地降低锗MOS器件的漏电流，增加累积电容，改善锗MOS器件的性能，同时，原位NH3/N2混合等离子体处理可以在原子层沉积HfO2薄膜前直接利用原子层沉积设备的等离子体同步原位处理锗衬底，提高了生产效率，使其在工业领域更具有潜在优势。
提高 ge mos 电容器件性能方法系统设备

[发明专利]一种金锗合金二维拓扑节线半金属及其制备方法-CN202211586180.7在审
发明人：张利杰;田麒玮;秦志辉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金锗合金二维拓扑节线半金属及其制备方法。所述一种金锗合金二维拓扑节线半金属是以三角晶格排布的锗原子和呈蜂窝状晶格排布的金或铜原子共价嵌套构成的单原子层薄膜。其制备方法包括：在超高真空环境下，将适量锗原子沉积到金属表面，制备出高质量的单原子层薄膜，并与衬底呈现二维周期性莫尔图案。
一种合金二维拓扑节线半金属及其制备方法

[发明专利]一种高光敏性掺锗光纤光栅-CN201811612979.2有效
发明人：关晓宁;魏风;黎彦宏;朱朋飞 -专利权人：北京涑水科技有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高光敏性掺锗光纤光栅，涉及光纤光学材料制备领域。一种高光敏性掺锗光纤光栅，在同一根二氧化硅光纤的纤芯中分段掺入不同浓度的锗原子，形成对应于不同浓度锗原子的N段不同折射率的少模光纤。由于调节锗原子的浓度，可以有效改变在近紫外波段时光纤的折射率，增大光敏性。使得多个模式进行传输，并针对不同波长的传输模式信号进行滤波，分离出相应的模式信号，从而使得本申请能够制作多种用途。
光栅掺锗光纤高光敏性锗原子折射率材料制备领域传输模式信号二氧化硅光纤近紫外波段光纤光学模式信号少模光纤光敏性波长掺入滤波纤芯申请分段光纤传输制作

[发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201410686773.X有效
发明人：曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS晶体管的形成方法，其通过在填充锗硅以形成源漏区之前，先对栅极的侧墙进行碳离子注入和退火工艺，使碳原子与侧墙表面的硅断键相结合，以消除硅断键，从而在后续填充锗硅时，阻止锗原子以及掺杂的硼原子与硅断键相结合，从而抑制栅极侧墙表面锗硅的淀积，改善侧墙缺陷。本发明较佳地还可使注入的碳原子与侧墙表面的氮断键相结合，以消除氮断键。本发明工艺与现有工艺兼容，具有较大应用价值。
pmos 晶体管形成方法

[发明专利]一种多孔铜锗铝锂电负极材料的制备方法-CN202111448769.6在审
发明人：张志佳;孙凯;宗皊硕;闫琳;姜勇 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔铜锗铝锂电负极电极材料的制备方法，包括如下步骤：(1)合金制备：制备铜锗铝合金，所述铜锗铝合金中，铜的原子含量为20％‑80％，锗的原子含量为80％‑20％，铝的原子含量为0‑70％；所述铜锗铝合金被加工成20‑100μm厚的合金条带；(2)将步骤(1)制备得到的铜锗铝合金利用研钵制备出粒径为38.5μm的合金粉末；(3)将步骤(2)制备得到的合金粉末在弱酸性溶液脱合金化后进行清洗干燥；(4)将步骤(3)制备得到的合金粉末进行热处理，得到多孔铜锗铝锂电极材料。本发明所述的一种多孔铜锗铝锂电负极材料的制备方法简单、价格低廉，同时得到的多孔铜锗铝锂电负极材料具有较高的比容量以及优异的循环稳定性。
一种多孔铜锗铝锂电负极材料制备方法

[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途-CN201910483748.4有效
发明人：拉贾拉姆·谢蒂;王元立;刘卫国;周雯婉;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。
晶片制法用途

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