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[发明专利]半导体存储装置-CN201210544437.2有效
发明人：林奎南;张雄周 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括第一感测放大单元，所述第一感测放大单元包括第一反相器和第二反相器，被配置成驱动至电源驱动信号和接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构；以及第二感测放大单元，所述第二感测放大单元包括第一晶体管和第二晶体管，被配置成当施加激活的开关信号时驱动至接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构，其中，第二感测放大单元的阈值电压被设定成比第一感测放大单元的阈值电压低
半导体存储装置

[发明专利]包括感测放大器和锁存器的半导体集成电路-CN201911009346.7有效
发明人：金圣祐;郑仁和 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：提供一种包括感测放大器和锁存器的触发器。半导体集成电路包括：感测放大器电路，其适用于通过响应于时钟信号而感测并放大差分输入信号的电平差来产生差分输出信号，以及将差分输出信号分别输出到第一节点和第二节点；锁存电路，其适用于在第一节点与第二节点之间反馈与锁存差分输出信号
包括放大器锁存器半导体集成电路

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201910835961.7有效
发明人：李完燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：该存储器装置包括：比较电路，该比较电路将测试图案数据与感测数据进行比较，以产生比较信号；状态信息产生电路，该状态信息产生电路响应于比较信号而通过标记感测数据中的发生故障的数据来产生故障掩蔽信号；列地址产生电路，该列地址产生电路响应于输入/输出选通信号而产生依次增加的列地址；锁存使能信号产生电路，该锁存使能信号产生电路响应于故障掩蔽信号而产生锁存使能信号；以及输入/输出电路，该输入/输出电路接收列地址并且响应于锁存使能信号而选择性地锁存所述列地址当中的发生故障的列地址
存储器装置及其操作方法

[发明专利]锁存器电路、触发器电路以及分频器-CN201080068259.X有效
发明人：萨韦里奥·特罗塔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H03K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及锁存器电路（10），包括：感测布置（12），其中一个或多个感测晶体管（T1、T2）适于感测输入信号（D、Dn）并且适于基于感测到的输入信号（D、Dn）来提供第一信号；以及感测布置开关器件（16），该感测布置开关器件（16）被连接或可连接到第一电流源（18），该感测布置开关器件（16）适于基于第一时钟信号（CLK）来接通或断开到一个或多个感测晶体管（T1、T2）的电流。该锁存器电路（10）还包括存储布置（14），其中一个或多个存储晶体管（T3、T4）适于存储第一信号并且适于基于第一信号来提供第二信号；以及存储布置开关器件（20），该存储布置开关器件（20）被连接或可连接到第一电流源来接通或断开到存储晶体管（T3、T4）的电流，以及调谐布置（24），该调谐布置（24）被连接或可连接到温度传感器（106、108），该调谐布置（24）适于基于由温度传感器（106、108）提供的温度信号来偏置感测布置本发明还涉及触发器电路，其中两个或多个锁存器电路和分频器（100）包括如所描述的至少一个锁存器电路（10）。
锁存器电路触发器以及分频器

[发明专利]存储器装置、存储器系统和存储器系统的操作方法-CN202211686540.0在审
发明人：卓希妍;朴贤宣;南喜铉;安殊慜;崔完守 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/0897 文献下载
摘要：所述存储器系统包括存储器装置和存储器控制器，存储器装置包括存储器单元阵列、第一锁存器、多个编程锁存器和第二锁存器，存储器控制器被配置为将命令提供给存储器装置。存储器装置可从存储器单元阵列的第一区域感测第一数据，将感测到的第一数据存储在第一锁存器中，将感测到的第一数据传送到第二锁存器，将第一数据从第二锁存器输出到存储器控制器，并且响应于第一读取命令，将第一数据从第二锁存器传送到所述多个编程锁存器中的第一编程锁存器
存储器装置系统操作方法

[发明专利]存储装置、其操作方法以及页缓冲器-CN202111203293.X在审
发明人：黄盛炫;李晋行 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：页缓冲器包括：位线电压供应器，其用于向位线提供预充电电压；感测节点电压供应器，其用于向连接到位线的感测节点提供感测节点预充电电压；第一锁存器，其用于存储第一验证数据；感测节点连接器，其用于在存储第一验证数据后解除位线与感测节点之间的连接；以及第二锁存器，其用于在位线与感测节点之间的连接被解除之后存储根据感测节点的电压确定的第二验证数据。
存储装置操作方法以及缓冲器

[实用新型]集成电路芯片-CN201921552346.7有效
发明人： P·梅拉德;陈嫣然;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)芯片，该IC芯片具有适于检测和解锁被锁存的晶体管的电路。第一核心电路包括第一限流电路、具有第一晶体管的可控硅整流器(SCR)器件、第二晶体管和第一锁存器感测电路。第一限流电路耦合至电源轨。第一和第二晶体管的第一端子耦合至第一限流电路。第一锁存感测电路具有耦合至第一和第二晶体管的第二端子的第一输入端子。第一锁存感测电路还具有耦合至第一限流电路的输出端子。
集成电路芯片

[发明专利]页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置-CN202011098163.X在审
发明人：朴康愚;蔡洙悦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：页缓冲器包括：第一锁存电路，其被配置为存储与第一编程状态和第二编程状态中的一个编程状态相对应的数据；位线控制器，其被连接至存储器块的位线，并且在编程验证操作中的位线预充电操作期间，通过根据存储在第一锁存电路中的数据向位线施加第一设置电压和第二设置电压中的一个设置电压，对位线进行预充电；以及第二锁存电路，通过主感测节点连接至位线控制器，并且被配置为在编程验证操作期间根据主感测节点的电位水平感测第一验证数据。
缓冲器具有半导体存储器装置

[发明专利]具有传感放大器和自定时锁存器的存储装置-CN200480009750.X有效
发明人：杰利米亚·T·C·帕默尔;佩里·H·派莱伊三世 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：存储装置(201)包括多个存储单元(203)、位线、字线、传感放大器(314)和自定时锁存器(215)。响应感测使能信号的传感放大器(314)用于感测和放大位线上的电压，其对应于从多个存储单元中所选择出的至少一个存储单元中存储的逻辑状态。隔离电路(306、308)大约在确定感测使能信号的同时，使从多个存储单元中所选择出的一个存储单元与传感放大器(314)隔离。自定时锁存器(215)与传感放大器(314)连接。自定时锁存器(215)不接收时钟信号并且仅仅响应于被放大的电压。
具有传感放大器定时锁存器存储装置

[发明专利]高速感测放大器阵列以及用于非易失性存储器的方法-CN200980129692.7有效
发明人：浩·T·古延;梅文龙;李升弼;张芳林;王琪铭 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：给出了感测电路，用于感测在被并行感测的一组非易失性存储器单元中的存储器单元的传导电流并且将其结果提供给数据总线。预充电电路耦接至节点，用于将该节点预充电至初始电压。该电路还包括比较器电路，用以通过在该节点处放电的速率来进行对所述传导电流的确定；数据锁存器，耦接至该比较器电路，用以保持所述确定的结果；以及传输门，耦接至该数据锁存器，用以将锁存在其中的结果与该节点相独立地提供给所述数据总线此布置改善了感测性能，并且可以有助于消除在感测期间模拟感测路径上的噪声并减小切换电流。
高速放大器阵列以及用于非易失性存储器方法

[发明专利]固体摄像装置-CN201880073981.9有效
发明人：角谷范彦;东阳介 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H04N25/772 文献下载
摘要：一种固体摄像装置，具备：锁存电路(213)，保持像素数据中的1比特的数字信号；驱动器电路(214)，将保持在锁存电路(213)中的所述数字信号输出到读取位线对(RBL、NRBL)；感测放大器(210)，与读取位线对(RBL、NRBL)连接；以及选择器电路(112)，选择将从感测放大器(210)输出的数字信号进行正转输出还是反转输出。
固体摄像装置

[发明专利]具有被选择性供电的反相器的读出放大器-CN201180053081.6有效
发明人：陈南;陈志勤;里图·哈巴 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种读出放大器，其包括第一反相器，所述第一反相器对锁存器的第一输出作出响应。所述第一反相器是由感测启用信号来供电。所述读出放大器还包括第二反相器，所述第二反相器对所述锁存器的第二输出作出响应。所述第二反相器也是由所述感测启用信号来供电。
具有选择性供电反相器读出放大器

[发明专利]页面缓冲器及相关读方法-CN200610064438.1无效
发明人：金泰暎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：该单一操作包括：初始化锁存器以存储第一逻辑值；感测相应于被选存储单元的编程状态的电压电平；以及响应于所感测的电压电平而选择性地在所述锁存器中存储第二逻辑值，其中当所述第二逻辑值被存入到所述锁存器中时，所述页面缓冲器进入编程操作模式
页面缓冲器相关方法

[发明专利]操作方法以及感测放大器-CN202010810917.3在审
发明人：古惟铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提出适用于感测放大器的一种操作方法，感测放大器包括第一交叉耦合锁存以及第二交叉耦合锁存，第一交叉耦合锁存以及第二交叉耦合锁存之每一个包括第一晶体管对以及耦接至第一晶体管对的个别的栅极端的耦合电容对操作方法包括：在第一阶段中，对第一交叉耦合锁存之耦合电容对充电而达成归零的目的，且提供第一组输入电压至第二交叉耦合锁存；以及在紧接着第一阶段之第二阶段中，对耦合电容对放电以消除第一晶体管对的不匹配，且比较提供至第二交叉耦合锁存的第一组输入电压而产生第一组输出电压
操作方法以及放大器

[发明专利]非易失性存储器系统中的有缺陷区块隔离-CN200780033422.7有效
发明人：蔡万刚;洛克·杜 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种方法和设备提供对非易失性存储器装置中的有缺陷区块的经改进的识别和隔离，所述非易失性存储器装置具有非易失性存储元件的多个用户可存取区块，其中每一区块还具有一相关联的有缺陷区块锁存器。所述方法保证感测每一有缺陷区块锁存器，以确定所述有缺陷区块锁存器是否由于缺陷而被设置，且保证将对应于每一经设置锁存器的地址数据存储在临时芯片上存储器中。还描述一种非易失性存储器装置，其具有控制器，所述控制器感测所述有缺陷区块锁存器，存储具有经设置锁存器的每一区块的地址数据，且随后检索所述存储的地址数据以基于所述地址数据而设置所述有缺陷的区块锁存器。
非易失性存储器系统中的缺陷区块隔离