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[发明专利]氮化硅晶须增强海绵结构型铁铬钼铪合金减振材料的制备-CN201610718113.4有效
发明人：李建国;赵明 -专利权人：山东清大银光金属海绵新材料有限责任公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明涉及减振新材料技术领域，提供了一种氮化硅晶须增强的海绵结构型铁铬钼铪合金减振材料的制备方法，由以下步骤组成(1)对海绵结构三聚氰胺甲醛树脂模型进行导电化处理；(2)在海绵结构三聚氰胺甲醛树脂模型表面进行铁铬钼铪/氮化硅晶须复合材料层的复合电沉积；(3)进行海绵结构三聚氰胺甲醛树脂模型去除处理；(4)进行海绵结构型铁铬钼铪/氮化硅晶须复合电沉积层的铬钼铪原子扩散热处理。本发明制备的氮化硅晶须增强的海绵结构型铁铬钼铪合金复合材料具有极强的阻尼性能，能显著提高海绵结构型铁铬钼铪合金基体的减振效果，具有广阔的应用前景。
氮化硅晶须增强海绵结构型铁铬钼铪合金材料制备

[发明专利]一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法-CN202011015062.1有效
发明人：张守阳;郭瑶;张磊磊;宋强;何松 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法，采用碳热还原法，不借助催化剂，无金属杂质引入，得到的HfC晶须纯度较高、长径比大，文献报道的HfC晶须的长径比分布在5～180，而本发明制备的HfC晶须的长径比为50～500。与文献报道的HfC晶须相比，本发明制备的HfC晶须的最大长径比提高了178％。HfC晶须既可作为增强体材料制备多孔HfC晶须预制体，也可作为第二增强相应用于超高温陶瓷基或碳基复合材料，还可作为功能材料用于阴极场发射器，具有广泛的应用前景。碳热还原法具有工艺过程简单，参数易于控制，对设备要求低，成本低，可靠性和重复性好，易于实现规模化生产HfC晶须的优势。
一种还原法合成长径碳化铪晶须方法

[发明专利]一种碳化铪纳米晶须及其制备方法-CN201610079179.3在审
发明人：董志军;李轩科;孟剑;袁观明;丛野;张江 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化铪纳米晶须及其制备方法。将碳质前驱体溶于有机溶剂，蒸馏，得碳质前驱体有机溶剂可溶组分；将30~50wt%有机铪与50~70wt%碳质前驱体有机溶剂可溶组分混合，按固液质量比为1︰(1~3)溶于有机溶剂，在惰性气氛、搅拌和250℃~450℃条件下保温2~6h，得铪掺杂碳质前驱体。将装有铪掺杂碳质前驱体的石墨坩埚置入炭化炉，700~900℃保温1~3h，得铪掺杂碳质前驱体基炭材料，研磨，成型，成型后坯体放入含3~10wt%催化剂的乙醇溶液中浸泡，风干，装入石墨坩埚后置于炭化炉中，在惰性气氛和1600℃~1900℃条件下保温1~4h，即得碳化铪纳米晶须。
一种碳化纳米及其制备方法

[发明专利]一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法-CN201310129980.0有效
发明人：李贺军;田松;张雨雷;张守阳;强新发 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，没有使用三维网络结构的模版，直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构，所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少
一种组装三维碳化铪晶须网络结构制备方法

[发明专利]晶须增强陶瓷切削刀具-CN96198917.3无效
发明人： P·K·梅罗特拉;W·R·胡斯顿 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 1996-09-20 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：所说的组合物包括含有一种或多种数量占基质50体积百分比以上的铪、钼、锆、钽、铌、钒、钨、钛的碳化物、氮化物和碳氮化物及其固溶相的一种基质，所说的基质占该组合物的60～99.8体积百分比。在整个基质内均匀分散有陶瓷晶须，所说的陶瓷晶须占所说的组合物的0.2～40体积百分比。
增强陶瓷切削刀具

[发明专利]具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法-CN201510040666.4有效
发明人： J·穆勒;D·H·瑞尤赛;R·宾德尔;J·梅茨格;P·波兰斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法，提供一种半导体装置，包括基板、形成在该基板之上的未掺杂的二氧化铪层、以及形成在该二氧化铪层上的氮化钛层。在本文中，该未掺杂的二氧化铪层至少是部分铁电性的。在用于形成半导体装置的例示性方法中，在半导体基板之上形成未掺杂的非晶二氧化铪层且在该未掺杂的非晶二氧化铪层上形成氮化钛层。实行热退火制程用以在该未掺杂的非晶二氧化铪层中至少部分造成铁电相。
具有氧化半导体装置形成方法

[发明专利]一种原位生成SiC板晶增强增韧碳化钽铪复相陶瓷材料及其制备方法-CN201811323595.9在审
发明人：黄政仁;张步豪;殷杰;陈忠明;刘学建;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位生成SiC板晶增强增韧碳化钽铪复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷材料包括碳化钽铪基体、以及原位生长在所述碳化钽铪基体中的SiC板晶；所述碳化钽铪基体的化学式为Ta_1‑yHf_yC，0＜y＜0.5，优选y=0.2；所述SiC板晶的体积分数为10～20vol.%；所述SiC板晶的平均长度为12.6～25.6μm，平均宽度为1.9～3.0μm，平均长径比为6.0～9.0。
碳化钽复相陶瓷材料原位生成增韧优选制备平均长径比体积分数原位生长

[发明专利]高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法-CN201310385092.5无效
发明人：唐武;杨宇桐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明解决了现有HfO2薄膜材料的制备工艺采用掺杂或加温的方式制作，不能完全生成非晶薄膜的问题，提供了一种高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：首先将表面清洁后且去除表面自然氧化层的硅基片放入真空室基底，然后将表面打磨清洁处理后的金属铪靶作为靶材放入真空室靶位，关闭靶材挡板，利用高真空多功能射频溅射镀膜设备，对真空室抽真空，对基片进行反溅清洁，反溅清洁后打开并调整射频电源及其功率，进行预溅射，最后调整氩气通量，通入氧气，打开靶材挡板正式进行二氧化铪薄膜的溅射，形成二氧化铪非晶薄膜。本发明的有益效果是，不会造成二氧化铪薄膜晶化，适用于二氧化铪非晶薄膜的制备。
氧化铪非晶薄膜制备方法

[发明专利]纳米晶铪及其制备方法和应用-CN202310152701.6在审
发明人：付恩刚;郝立宇;申尚昆;刘星 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶铪及其制备方法和应用，所述纳米晶铪在1000℃‑1100℃下的电子发射密度为0.00134A/m2‑0.01827A/m晶铪具有优异的热电子发射性能，从而为空气/水蒸气等离子炬用阴极材料和核裂变反应堆用控制棒提供了有力保证。
纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法-CN200910237251.0有效
发明人：杜军;季梅;王磊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法，及用于制备上述非晶三元高K栅介质材料所需的氧化铪陶瓷靶材和氧化钆陶瓷靶材的制备方法。本发明的非晶三元高K栅介质材料由单晶n型Si片和在它上面沉积的氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜组成，氧化钆的掺杂浓度为0～13.4％。本发明采用传统的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪及氧化钆靶材，以单晶n型Si片作为基片，在基片上使用磁控共溅射的方法形成氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜，通过改变氧化钆的溅射功率来调整掺杂浓度。本发明制备的氧化钆掺杂氧化铪高K栅介质薄膜为非晶薄膜；并且具有较高的介电常数和非常小的漏电流密度，适于做高K栅介质使用。
一种三元介质材料及其制备方法

[发明专利]一种铪基AlN厚膜及其制备方法-CN202011466320.8在审
发明人：周小伟;岳文凯;李培咸;吴金星;王燕丽;许晟睿;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铪基AlN厚膜及其制备方法，包括：在铪衬底层的侧面和下表面沉积SiC保护层；对沉积完所述SiC保护层的所述铪衬底层进行超声清洗；对完成超声清洗的所述铪衬底层进行退火得到α晶型铪衬底层；在所述α晶型铪衬底层的上表面低温溅射生长AlN保护层；在所述AlN保护层的上表面生长AlN溅射退火层；在所述AlN溅射退火层上表面生长HVPE‑AlN层。本铪基AlN厚膜的制备方法可极大地减少了前期生长过程中AlN与铪衬底层之间的界面化合反应，使铪衬底层在高温下不与空气中的氧气和氮气反应，具有高长速和低成本的优势。
一种 aln 及其制备方法

[发明专利]一种抗震耐磨陶瓷材料-CN201610530976.9在审
发明人：姚永祥 -专利权人：安徽省德邦瓷业有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗震耐磨陶瓷材料，包括镁铝尖晶石、钠长石、红柱石、冰渍岩、堇青石、透闪石、二氧化铪、二水硫酸钙、硅钙镁晶须、氮化硼、三氧化二钇、磷酸氢二钠、碳酸钡、氯化石蜡、改性PP蜡、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯
一种抗震耐磨陶瓷材料

[发明专利]一种高强度的板材及其制备方法-CN201711073149.2在审
发明人：柏涛涛 -专利权人：柏涛涛
申请日： 2017-11-04 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C22C49/14 文献下载
摘要：本发明公开一种高强度的板材，包括以下重量份数配比的原料立方氮化硼微粉68‑77份、钨粉40‑78份、碳化硅晶须19‑22份、钴粉16‑20份、铪粉8‑10份、铝粉60‑79份、钯粉4‑8份、钌粉2‑6份
一种强度板材及其制备方法

[发明专利]以生漆为质基配合晶须制备涂料的方法及其制品-CN201410178583.7在审
发明人：吴跃飞;陈科;肖跃军;王剑;文辉;丛景荣;田黎;张熊兵;胡佩;柯明健;曾令军;欧阳灿 -专利权人：湖南预制家技术研究有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C09D193/00 文献下载
摘要：以生漆为质基配合晶须制备涂料的方法及其制品。是一种以生漆为主要原料的环境友好、生态性能优良的涂料制备方法及相应制品。以生漆为质基配合填充料制备的涂料，这种涂料中含有生漆、填充料、稀释剂等成份，其关键技术这种涂料中添加并使其含有生漆100份；和碱式硫酸镁晶须或氢氧化镁晶须或二氧化硅晶须或硼酸镁晶须或硼酸铝晶须或氧化镁晶须或氧化锌晶须或钛酸钾晶须或硫酸钙晶须或碳酸钙晶须或碳化硅晶须或钛酸锌晶须或氮化硅晶须使用晶须类作为填充料配合生漆使用时，漆膜的干燥速度可以提高31%以上。当配合使用偶联剂时，可以再提高漆膜的干燥速度15%以上。对于解决低温季节施工与便于生漆常温施工有显著进步性意义。
生漆配合制备涂料方法及其制品

[发明专利]一种原位悬浮聚合包覆磷石膏晶须复合母粒制备方法-CN202210097315.7在审
发明人：谢贵明;刘浩;李青彪;郭雷;聂晨晨;龙禹 -专利权人：贵州大学;铜仁学院
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C08K7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位悬浮聚合包覆磷石膏晶须复合母粒制备方法，涉及无机填料改性及复合材料制备技术领域。包括以下步骤：采用氢氧化钠和硫酸钠处理磷石膏晶须，提高晶须表面的羟基数量，得到羟基化的磷石膏晶须；用硬脂酸、钛酸酯、硅烷偶联剂等对羟基化磷石膏晶须进行表面改性，得到活性磷石膏晶须；将活性磷石膏晶须与丙烯酸酯类单体进行原位悬浮聚合得到原位悬浮聚合包覆磷石膏晶须的复合母粒磷石膏晶须复合母粒可用做高分子材料的填料，磷石膏晶须表面长链聚合物包覆层能增强磷石膏晶须与高分子基体之间界面作用，发挥晶须的高度取向结构优势，从而达到磷石膏晶须增韧增强高分子复合材料的目的。
一种原位悬浮聚合包覆磷石膏复合制备方法

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