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[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池吸收层及太阳能电池-CN201821656699.7有效
发明人：叶亚宽;郭逦达;赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层，其包括铜镓硒层、铟硒层和第三铜铟镓硒层。所述铟硒层叠层设置于所述铜镓硒层。所述第三铜铟镓硒层叠层设置于所述铟硒层。其中，所述第三铜铟镓硒层的镓含量大于所述铟硒层的镓含量，所述第三铜铟镓硒层的铟含量大于所述铟硒层的铟含量。本申请提供的所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层的表面贫铜，富含镓和铟，从而使得所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层为OVC相，所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层与缓冲层结合，更利于获得掩埋PN结，提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率
铜铟镓硒太阳能电池吸收层铟硒铜铟镓硒层层叠层硒层太阳能电池铜铟镓硒转换效率缓冲层富含贫铜申请掩埋

[发明专利]铜铟镓硒物料回收方法-CN201810645536.7在审
发明人：谭明亮;李胜春;潘勇进;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明是关于铜铟镓硒物料回收方法。该方法包括：粉碎铜铟镓硒物料，得到铜铟镓硒物料粉末；对铜铟镓硒物料粉末进行磁选，得到铁质物料粉末与磁选铜铟镓硒物料粉末；对磁选铜铟镓硒粉末进行处理，得到铜、铟、镓、硒。该技术方案可以避免铁元素进入浸出液，从而降低了分离提纯铜铟镓硒的难度。
铜铟镓硒物料粉末磁选物料回收分离提纯铁质物料浸出液铁元素

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用-CN201310409032.2无效
发明人：缪向水;黄醒 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括如下步骤：（1）采用贫铜铜铟镓硒靶材，溅射第一贫铜铜铟镓硒预置层；（2）采用富铜铜铟镓硒靶材，在第一贫铜铜铟镓硒预置层上溅射富铜铜铟镓硒预置层；（3）采用贫铜铜铟镓硒靶材，在富铜铜铟镓硒预置层上溅射第二贫铜铜铟镓硒预置层；（4）热处理得到铜铟镓硒吸收层；贫铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收及其制备方法应用

[发明专利]一种γ相硒化铟的合成方法-CN201910922320.5有效
发明人：张强;白平平;童培云;肖翀;赵宇飞;张绍桢 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种γ相硒化铟的合成方法。本发明采用两步法来合成γ相硒化铟，即先由单质硒和单质铟合成低硒的硒化物，再由低硒的硒化物与单质硒合成γ相硒化铟，避免了单质铟和单质硒直接合成硒化铟，从而避免了体系放出大量的热导致单质硒的挥发，同时反应能在常压下进行，对设备要求简单，而且合成的硒化铟均为γ相，对选择性合成多种晶相的化合物有一定的指导意义。
一种相硒化铟合成方法

[发明专利]铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201310433349.X有效
发明人：吕文博;宋秋明;李朝晖;谭兴;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底，采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层；采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层；采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层；采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层；采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层，制得铜铟镓硒薄膜前驱体；及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理，得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法，而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。
铜铟镓硒光吸收制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201220321401.3有效
发明人：彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 -专利权人：广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201120144916.6有效
发明人：马给民 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]一种铜铟镓硒靶材的制备及应用方法-CN201310414057.1有效
发明人：牙文飞;陈涛;马康;彭侃;顾玉涵;王玉晓 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒靶材的制备及应用方法，通过先将铟、镓、硒三种原料进行三元混炼，经再加工得到铟镓硒三元合金靶材，然后再与高纯铜板绑定得到铜铟镓硒靶材，高纯铜板既作为铜铟镓硒靶材的原料又作为靶材背板，有效避免了将熔点较高的铜与铟、镓、硒一起共同熔炼而造成的靶材组分难以控制的问题。在本发明所得的铜铟镓硒靶材的应用过程中，先通过溅射在衬底上形成铟镓硒和铜的混合薄膜，再通过退火使得铜扩散进入铟镓硒中形成铜铟镓硒薄膜，该应用方法简便，且所得铜铟镓硒薄膜质量高，具有广阔的应用前景。
一种铜铟镓硒靶材制备应用方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层、制备方法及太阳能电池-CN201811189521.0在审
发明人：叶亚宽;郭逦达;赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其包括在背电极层表面通过磁控溅射法制备铜镓铟金属叠层，形成铜铟镓预制膜；在硒气氛中对所述铜铟镓预制膜进行退火，形成铜铟镓硒预制吸收层；对所述铜铟镓硒预制吸收层进行硒、铟、镓共蒸发，形成铜铟镓硒太阳能电池吸收层。本申请提供的方法制得的铜铟镓硒太阳能电池吸收层与上层缓冲层结合更利于获得掩埋PN结，从而提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率。
铜铟镓硒太阳能电池吸收层铜铟镓硒铜铟镓预制膜制备预制退火太阳能电池背电极层磁控溅射金属叠层转换效率共蒸发缓冲层硒气氛镓铟申请掩埋上层

[发明专利]具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法-CN202211490001.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料
具有钇替位掺杂二维硒化铟半金属金属材料制备方法

[发明专利]利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜-CN201380000852.4有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
利用熔点熔剂太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜制作方法据此方法制作铜铟镓硒系

[发明专利]铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料及其合成方法、薄膜电池-CN201610364756.3有效
发明人：张晓琨;杨咏梅;向勇;高诗光;夏天培 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的合成方法，包括以下步骤，提供硒前驱体溶液、铜铟镓硒前驱体溶液、铜锑前驱体溶液，所述三种前驱体溶液中硒元素总摩尔量是铜元素总摩尔量的1.5‑3倍；将硒前驱体溶液与铜锑前驱体溶液，注入到铜铟镓硒前驱体溶液中，升温至100‑300℃，以长链烯化合物为螯合剂，合成铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料。本发明还涉及一种由上述方法合成的铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料以及一种应用上述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的一种薄膜电池，所述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料具有以铜铟镓硒材料为核体，以铜锑硒材料形成壳体的核壳结构
铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料及其合成方法薄膜电池

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310687514.4有效
发明人：熊治雨;肖旭东;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201610846012.5有效
发明人：朱延军 -专利权人：江苏丰远新材料科技有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层；硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控，制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好，提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率，增加了太阳能电池的开路电压。
铜铟镓硒薄膜预制层制备铜铟镓硒太阳能电池磁控溅射材料技术领域光电转换效率系列化合物热处理光伏薄膜光吸收层开路电压背电极步形成硒化物沉积衬底硒化薄膜

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