专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种薄膜材料的制备方法-CN201410320202.4在审
  • 张风燕;陈文志;陈伟;黄瑄;陈朝;程其进;云大钦;张彬彬;冯嘉 - 厦门大学
  • 2014-07-08 - 2014-09-10 - H01L31/032
  • 本发明公开了一种薄膜材料的制备方法,包括如下步骤:(1)根据Cu1~xIn1~yGamSe2~zSn式中的化学计量比,将的卤族化合物或硝酸盐溶解于低碳醇中,配置成含的低碳醇溶液;(2)将乙基纤维素缓慢加入步骤(1)制备的的低碳醇溶液中搅拌混合均匀,再加入松油醇的低碳醇溶液,搅拌混合直至溶液变为粘稠液;(3)在非真空条件下将粘稠液刮涂到衬底上于130~160℃烘干10~30分钟,再加热氧化得到氧化物;(4)氧化物在氢氩混合气氛中加热氢化还原形成合金;(5)合金用硫粉硫化后再用化,即得所述薄膜材料。
  • 一种铜铟镓硫硒薄膜材料制备方法
  • [发明专利]制备薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法-CN201310162449.3有效
  • 王家雄 - 王家雄
  • 2013-05-06 - 2013-07-31 - H01L31/18
  • 制备薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法。(1)、在柔性基板的一侧表面,沉积钼层,以及一层铌附加层;(2)、在铌附加层的表面电镀多层和/或单元素层,或和/或之间构成的合金层,和/或单元素层与合金层的混合层;(3)、真空蒸发一层或多层,以及一层钠、钾或锂盐;(4)、将已镀有多层的基材在惰性气体气氛中,在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火,以获得吸收层;(5)、沉积一层硫化镉、硫化或硫化锌作为在吸收层之上的缓冲层本发明能够被方便地使用于制备高转换率而低成本的薄膜太阳能电池。
  • 制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产方法
  • [发明专利]一种吸收层的制备方法-CN201811466295.6在审
  • 叶亚宽;李新连;陈涛 - 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
  • 2018-12-03 - 2020-06-12 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种吸收层的制备方法,具体包括如下步骤:在背电极钼层上制备预制膜,所述预制膜组成元素的原子比例满足:0.8≤Cu/(In+Ga)≤0.96,0.25≤Ga/(In+Ga)≤0.35;将所述预制膜分两个阶段进行化反应,其中,第一阶段在第一载气流量值的气氛中反应第一预设时长;第二阶段在第二载气流量值的气氛中反应第二预设时长,最终得到含化钼层的吸收层,所述化钼层的厚度为本发明的技术方案能够控制化钼的生成,在降低钼和层间的接触电阻,提高导电性能的同时,保证不增加电池内阻负担,不出现粘结性问题。
  • 一种铜铟镓硒吸收制备方法
  • [发明专利]合金的制备方法-CN201710287772.1在审
  • 易鉴荣;唐臻;林荔珊 - 柳州豪祥特科技有限公司
  • 2017-04-27 - 2017-08-18 - C22C9/00
  • 本发明公开了一种合金的制备方法,步骤包括按重量份数比选取原料并破碎成粗粉并混合均匀;进行气流磨制;将气流磨制后的混合粉末装入反应釜中,抽真空后向反应釜内充入氩气;将所述反应釜升温至300~400℃;将所述反应釜升温至600~800℃;将所述反应釜升温至900~1100℃;冷却所述反应釜至80~100℃,得到合金;将所述合金与粉分别装入石英管的两端,并对石英管进行抽真空操作;采用管式炉对装有合金一端加热至1050~1100℃,并保持这个温度;管式炉加热装有合金一端的同时加热装有粉一端;使在800℃下反应20~30h;关闭管式炉,停止加热,冷却至室温,得到合金。
  • 铜铟镓硒合金制备方法
  • [发明专利]一种薄膜材料的制备方法-CN201510420561.1有效
  • 刘芳洋;高春晖;蒋良兴;赵联波;曾芳琴 - 中南大学
  • 2015-07-16 - 2017-08-04 - H01L31/032
  • 本发明公开了本发明涉及一种薄膜材料的制备方法,属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层硫,在一定条件下进行化退火,得到薄膜材料。该方法通过反应溅射制备硫预制层,可以有效控制薄膜成分和生长情况,再通过化退火实现的并入,制得薄膜。这种反应溅射预制层后化的方法制备出的薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布,薄膜的致密度高,体积膨胀小,可有效地解决现有方法制备半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制
  • 一种铜铟镓硫硒薄膜材料制备方法
  • [发明专利]双节钙钛矿/太阳能电池-CN201410632557.7在审
  • 马给民 - 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
  • 2014-11-12 - 2016-06-08 - H01L31/032
  • 本发明涉及太阳能电池,具体的说是涉及一种双节型钙钛矿、太阳能电池,它包括:上层的钙钛矿层、下层的层,所述钙钛矿层包括依次层压在一起的上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层;所述层包括依次层压在一起的氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层。双节钙钛矿、能加宽光谱的吸收,使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子,能在下层薄膜继续被吸收,转换率能超过30%。本发明具有高转换率功能,适合批量生产。
  • 双节钙钛矿铜铟镓硒太阳能电池

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