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[发明专利]铜铟镓硒靶材的制作方法-CN201010132083.1无效
发明人：锺润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒靶材的制作方法，包含铜铟镓硒化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初坯制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓的金属粉末或其合金粉末以及硒粉以有机溶剂均匀混合，再以高温反应合成为铜铟镓硒化合物，再将铜铟镓硒化合物形成粒径小于5μm的粉末，然后制作为铜铟镓硒靶材。藉由本发明铜铟镓硒靶材制作铜铟镓硒薄膜，可以省略硒化步骤，以确保制程的安全性，同时能够缩减制程时间、减少耗能、增加材料的利用率，进一步改善薄膜的均匀度及晶相，更提升太阳能电池的转换效率。
铜铟镓硒靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒废物料的回收方法-CN201810726510.5在审
发明人：李红科;谭明亮;李胜春 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供铜铟镓硒废物料的回收方法，包括：物料处理，将铜铟镓硒废物料磨细成物料粉末；氯化焙烧处理，采用氯化剂，在温度210‑400度条件下，焙烧所述物料粉末，得到含硒、镓氯化物的挥发气及含铜、铟的焙烧渣；挥发气处理，对含硒、镓氯化物气体进行处理，得到纯硒、镓；氯化焙烧渣处理，对含铜、铟的焙烧渣进行处理，得到纯铟、铜。本发明提供的回收方法，通过氯化焙烧使铜铟镓硒四种元素生成对应的氯化物，利用铜铟镓硒的氯化物挥发温度不同，控制合适的温度将铜铟镓硒废物料进行氯化焙烧，实现铟、镓的有效分离，减少酸用量从而减低生产成本并改善环保性
铜铟镓硒氯化焙烧废物料氯化物物料粉末焙烧渣挥发气回收焙烧氯化物气体物料处理有效分离元素生成环保性氯化剂酸用量渣处理纯硒纯铟挥发磨细生产成本

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法-CN201710740745.5有效
发明人：王宪;韩安军;韦小庆;黄勇亮;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值
铜铟镓硒吸收处理方法基于太阳电池制备

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备-CN200910006531.0无效
发明人：夏莹菲;赵夔;陆贞冀 -专利权人：北京华仁合创太阳能科技有限责任公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，第一步先沉积铜、铟、镓三元金属薄膜，再蒸镀上一层硒薄膜形成纳米量级的铜铟镓硒薄膜结构，Se蒸镀源的温度为260～300℃，重复上述步骤10～50次；第二步再将叠加起来的铜铟镓硒吸收层薄膜做快速退火处理，即得到微米量级的多晶铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：各种元素比例可以得到精确控制；相比其他制备铜铟镓硒薄膜的方法，各元素在薄膜整个厚度范围中分布均匀，变化梯度小；整个工艺过程简单方便，适合大规模连续生产。另外，本发明也公开了上述方法所得到的铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜、包含此铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的太阳能电池以及上述方法所使用的制造设备。
铜铟镓硒太阳能电池吸收薄膜制备方法设备

[发明专利]一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法-CN202011509085.8有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上沉积铜铟镓硒光吸收层；（3）在铜铟镓硒光吸收层上沉积CdS缓冲层；（4）在CdS缓冲层上沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层，形成铜铟镓硒太阳能电池；（5）对铜铟镓硒太阳能电池进行缺陷钝化处理。本发明能够有效减少铜铟镓硒太阳能电池的缺陷密度，延长铜铟镓硒薄膜太阳能电池的最佳使用寿命，提高户外铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实际使用功率。
一种解决铜铟镓硒太阳能电池问题缺陷钝化方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法-CN200910223955.2无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法，利用溅镀法形成硫化亚铜层，并利用铜铟镓硒溶胶凝胶溶液，以浸泡、旋转、印刷或喷涂方式配合预干烘烤处理，形成多个铜铟镓硒堆栈层，接着利用快速升温热处理，将硫化亚铜层与铜铟镓硒堆栈层融合而形成铜铟镓硫硒吸光层，藉以构成具高光电转换效率以及高吸光率的铜铟镓硒太阳能电池。
一种铜铟镓硒太阳能电池吸光层及其制造方法

[发明专利]一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法-CN201310100636.9无效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种平面铜铟镓硒溅射靶材，由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20-25）∶（10-19）∶（6-12.5）∶（50-60）。本发明还提供了一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法。该靶材由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，能够大幅降低铜铟镓硒薄膜电池的生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该靶材的制备方法以高纯金属铜、铟、镓、硒为原料，经过球磨、过筛、热压等工艺制得平面铜铟镓硒溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到89%以上、氧密度高可达150-250ppm
一种平面铜铟镓硒溅射制备方法

[发明专利]铜铟镓硒废芯片的回收方法及回收系统-CN201810669830.1在审
发明人：李红科;李胜春 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种铜铟镓硒废芯片的回收方法及系统。该回收方法包括：对铜铟镓硒物料进行氧化焙烧，以使所述铜铟镓硒物料中的薄膜功能层与衬底基板分离，并得到含有氧化硒气体的烟气；对所述含有氧化硒气体的烟气进行处理，以得到单质硒；对所述薄膜功能层进行处理，以分别得到单质铜、单质铟和单质镓。该技术方案可实现铜铟镓硒薄膜功能层与衬底基板的分离，以便于降低铜铟镓硒的提纯难度并提高其回收率。
铜铟镓硒功能层衬底基板氧化硒单质回收烟气薄膜芯片铜铟镓硒薄膜回收系统氧化焙烧单质铜单质硒提纯回收率

[发明专利]一种铜铟镓硒回收方法-CN201810680823.1在审
发明人：潘勇进;李胜春;谈笑天;鱼志坚;白少森 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒回收方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低铜铟镓硒的回收成本，并减少废水排放。所述铜铟镓硒回收方法包括将含铜铟镓硒物料和浓硫酸混合，对所获得的物料分散体系进行焙烧，获得二氧化硒、二氧化硫以及焙烧残余物；利用水吸收二氧化硫和二氧化硒，使得二氧化硒被二氧化硫还原成单质硒；对焙烧残余物进行后处理，获得单质铜、单质铟和单质镓。本发明提供的铜铟镓硒回收方法用于含铜铟镓硒物料的处理中。
铜铟镓硒焙烧二氧化硒回收二氧化硫残余物单质太阳能电池技术后处理废水排放物料分散单质铜单质硒浓硫酸水吸收还原

[发明专利]一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法-CN201510361280.3有效
发明人：王冠;吴国发 -专利权人：汉能联创移动能源投资有限公司
申请日： 2015-06-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法。本发明利用铜铟镓硒薄膜光伏组件中作为背电极的钼层能够与碱反应的特性，将破碎后的铜铟镓硒薄膜光伏组件碎块浸在碱液中，并控制碱液的浓度与温度，使碱液与钼层发生反应，而不与铟、镓反应，待钼层被腐蚀掉后，使铜铟镓硒层与基板分离利用本发明可以对以不锈钢板等金属材质为基板的铜铟镓硒光伏组件进行回收。同时由于基板被直接分离，从而分离后所留下的铜铟镓硒层粉末中的铟、镓、硒元素品位大大提高。 1
光伏组件铜铟镓硒碱液钼层铜铟镓硒薄膜铜铟镓硒层回收基板碎块不锈钢板基板分离金属材质直接分离背电极碱反应硒元素破碎腐蚀品位

[发明专利]一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法-CN201510104365.3有效
发明人：王冠;吴国发 -专利权人：汉能联创移动能源投资有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法。本发明利用铜铟镓硒薄膜光伏组件中作为背电极的钼层能够与碱反应的特性，将破碎后的铜铟镓硒薄膜光伏组件碎块浸在碱液中，并控制碱液的浓度与浓度，使碱液与钼层发生反应，而不与铟、镓反应，待钼层被腐蚀掉后，使铜铟镓硒层与背板分离利用本发明可以对以不锈钢板等金属材质为背板的铜铟镓硒光伏组件进行回收。同时由于背板被直接分离，从而分离后所留下的铜铟镓硒层粉末中的铟、镓、硒元素品位大大提高。
一种铜铟镓硒光伏组件回收方法

[发明专利]一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法-CN201510759999.2在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓硒高温沉积过程电极反应方法

[发明专利]一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法-CN201910540528.0有效
发明人：邹臻峰;成志华;陈少逸;劳宏彬;吴建邦;黄宏利;陈方才 -专利权人：铜仁梵晖新能源有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法，包括如下步骤：S1：以不锈钢柔性材料为衬底，采用PVD溅射法在衬底的表面沉积第一层铜铟镓薄膜，同时进行低温硒化处理，形成第一层铜铟镓硒薄膜层；S2：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜上沉积第二层铜铟镓薄膜，同时在高温下进行硒化处理，形成第二层铜铟镓硒薄膜吸收层；S3：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜上沉积第三层铜铟镓薄膜，同时进行低温热退火处理和硒化处理，形成第三层铜铟镓硒薄膜界面层。通过控制镓的掺杂含量，实现了V型双梯度能带分布。工艺流程简单，可控性和稳定性程度高，实现工艺优化后的CIGS电池转换效率提升1.0％以上。
一种 pvd 法制掺杂铜铟镓硒吸收方法