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[发明专利]一种含有铜铟镓硒的物料的回收方法-CN201810608465.3在审
发明人：谭明亮;李胜春;刘凯华;孙刚 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有铜铟镓硒的物料的回收方法，所述方法包括：将含有铜铟镓硒的物料与还原剂进行反应，得到气态的含硒化合物；同时在所述反应温度下得到铟镓共熔体。所述方法使用还原剂将含有铜铟镓硒的物料中的铜铟镓硒还原成单质混合形态，单质硒与还原剂反应生成变成气态物质分离出来，而熔点较低的铟镓则以共熔体形式与铜分离，从而得到成分相对简单的气态含硒化合物和铟镓共熔体，通过后续处理可从烟气回收硒，从所述共熔体中分离回收铟和镓，解决了目前工艺存在的整个回收体系化学成分较复杂，分离回收工序较冗长的问题。
铜铟镓硒共熔体还原剂铟镓分离回收硒化合物回收熔点方法使用后续处理混合形态气态物质烟气回收单质硒单质还原

[发明专利]一种铜铟镓硒废料的回收方法-CN201810621347.6在审
发明人：谭明亮;李胜春;潘勇进;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种铜铟镓硒废料的回收方法，所述方法包括：将铜铟镓硒废料进行真空蒸馏，分离获得硒和蒸馏废料；对所述蒸馏废料进行电解，获得铜以及含有铟镓的剩余电解液；对所述含有铟镓的剩余电解液进行分离，获得铟和镓；提供了一种铜铟镓硒废料的新的回收思路，工艺简单，降低了铜铟镓硒废料对环境的污染；将剩余的萃余液加入适量的硫酸铜晶体与硫酸，配置成硫酸铜电解液使用，继续用于电解蒸馏废料获得铜，使硫酸铜电解液的流动形成一个闭合循环
铜铟镓硒蒸馏硫酸铜电解液剩余电解液回收铟镓电解硫酸铜晶体闭合循环真空蒸馏萃余液硫酸污染废水排放配置流动

[发明专利]一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201510760154.5在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓金属预制高温过程反应方法铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]处理含铜铟镓硒废料的方法-CN201810507096.9在审
发明人：潘勇进;李胜春;刘凯华;谭明亮 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理含铜铟镓硒废料的方法，该方法包括以下步骤：1)将含铜铟镓硒废料进行前处理，得到粗硒和含有铜离子、铟离子、镓离子的第一混合液；2)选择性吸附铜离子，将选择性吸附的铜离子解吸，电解沉积铜；3)选择性吸附铟离子，将选择性吸附的铟离子解吸，通过锌粉置换熔铸得到粗铟，将粗铟进行电解沉积铟；4)碱化造液生成镓酸钠，电解沉积镓。本发明引入对金属有较高分离能力的不同的离子交换树脂，对含铜铟镓硒废料经过前处理后进入溶液的铜离子、铟离子和镓离子进行分离提纯，经过后续的电解得到分离开的纯度为质量百分比99.99％的高纯的铜、铟、镓金属产品
选择性吸附铜铟镓硒铟离子电解沉积铜离子前处理镓离子粗铟离子交换树脂铜离子解吸质量百分比分离能力分离提纯锌粉置换混合液镓金属镓酸钠碱化粗硒高纯解吸造液电解熔铸金属引入

[实用新型]镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置-CN201621048854.8有效
发明人：张晓清;汤勇;黄云翔;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-09-10 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置。装置包括位于硒化炉腔内的样品托架、样品加热台、分流板、坩埚、坩埚加热器和硒颗粒；铜铟镓合金预制层样品的两端放置在样品托架上，样品加热台位于铜铟镓合金预制层样品上方，样品托架下方设有坩埚和坩埚加热器，坩埚内装有所述硒颗粒，坩埚上方开口设有供硒蒸汽穿过的分流板，分流板位于铜铟镓合金预制层样品下方；硒化炉腔的一侧壁设有抽气系统，与抽气系统相对的硒化炉腔另一侧壁设有进气系统。本实用新型制备的铜铟镓硒薄膜其成分中各元素特别是镓元素分布均匀；制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率大大提高。
元素均匀分布铜铟镓硒薄膜吸收制备装置

[实用新型]一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层-CN201920635526.5有效
发明人：彭寿;马立云;李刚;姚婷婷;王天齐;彭塞奥;金克武 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层，包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5；通过在铜铟镓膜层中插入硒膜层，解决了铜铟镓硒吸收层中镓元素分布不均的问题，由于前驱体叠层中硒层两侧与铜铟镓膜层均接触，硒化反应往前驱体两侧进行，使得镓的梯度沿吸收层背面和吸收层表面两个方向，从而促进镓元素在铜铟镓硒吸收层中深度分布及吸收层带隙宽度的增大，进而提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率
吸收层镓元素铜铟镓膜层铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜铟镓硒吸收层基础吸收前驱体硒膜薄膜太阳能电池光电转换效率本实用新型开路电压硒化反应带隙叠层硒层背面

[发明专利]铜铟镓硒吸收层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法-CN201880002666.7在审
发明人：叶亚宽 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒吸收层的制备方法包括：在基底上依次形成铜镓合金层和铟层构成的铜铟镓预制膜。将铜铟镓预制膜放入具有第一温度阈的反应腔中。向反应腔中通入具有第一载气流量值的硒气氛，使铜铟镓预制膜在第一时长内反应，以在铜铟镓预制膜表面形成非饱和的In‑Se二元相和Cu‑Se二元相。向反应腔内通入具有第二载气流量值的硒气氛，使得表面形成有非饱和的In‑Se二元相和Cu‑Se二元相的铜铟镓预制膜在第二预设时长内反应，获得铜铟镓硒预制膜。在预设的第二温度阈和第三预设时长内对铜铟镓硒预制膜进行退火处理，获得太阳能电池吸收层。
预制膜铜铟镓反应腔制备铜铟镓硒吸收层表面形成铜铟镓硒预设时长二元相温度阈硒气氛载气流太阳能电池吸收层太阳能电池铜镓合金层退火处理放入基底时长预设铟层

[发明专利]基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的方法-CN200910089397.5无效
发明人：何整风;傅正文 -专利权人：何整风
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及铜铟镓硒光伏薄膜电池的方法，该方法包括：步骤1：通过一离子源离化工作气体使其处于等离子体态，以向一蒸发源室内提供该等离子体；步骤2：利用一电子枪蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气；步骤3：通过将一坩埚接正偏压，使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞，产生硒等离子体；以及步骤4：将被镀基片加热到预期硒化温度，利用置于蒸发源室内的蒸发源在硒等离子体气氛背压环境下，分别蒸发铜、铟、镓金属材料，以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。采用该方法降低了铜铟镓硒薄膜生长过程中硒化温度，提高了铜铟镓硒薄膜各种材料比例精度，实现了大面积均匀制备铜铟镓硒薄膜。
基于等离子体制备铜铟镓硒薄膜电池方法

[发明专利]铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法-CN201310162904.X有效
发明人：徐东;徐永清;叶帅 -专利权人：深圳市亚太兴实业有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法，方法包括：配制步骤，配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤，非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤，对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。
铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法

[发明专利]太阳能电池吸收层的非真空涂布方法-CN200910223957.1无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池吸收层的非真空涂布方法，用以在非真空的常压环境下，于玻璃基板的钼薄层上形成铜铟镓硒层，包括利用超音波振动混料机对铜铟镓硒与混料液进行混合以形成均匀混合的铜铟镓硒涂料，并藉多个超音波喷头，将铜铟镓硒涂料涂布在以输送装置带动的钼薄层上，接着以红外线加热灯管进行烘干处理，以去除铜铟镓硒涂料中的混料液，而形成供太阳能电池用的铜铟镓硒吸收层，藉以吸收光能并转换成电能。
太阳能电池吸收真空方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池硫化镉层的制备方法、太阳能电池及铜铟镓硒层上生长硫化镉层的方法-CN201910138995.0在审
发明人：左悦;孙合成 -专利权人：华夏易能（南京）新能源有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法、太阳能电池及铜铟镓硒层上生长硫化镉层的方法，所述铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法包括：预设有铜铟镓硒层的衬底置于酒石酸钾溶液中浸泡，使得酒石酸钾溶液中的至少部分钾离子扩散进铜铟镓硒层中；向酒石酸钾溶液中加入镉盐和碱，充分混合得到混合溶液，混合溶液中含有酒石酸与镉的络合物；加热混合溶液，使得络合物中的镉离子扩散进铜铟镓硒层中，并且使铜铟镓硒层的表面含有至少部分镉离子；以及向混合溶液中加入硫脲，充分反应，在铜铟镓硒层上生长出硫化镉层。
铜铟镓硒太阳能电池硫化制备方法铜铟镓硒层上生长

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法-CN201010120009.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，包括以下步骤：首先，依据配方比例，混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末；其次，在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末，使形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末；再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌形成铜铟镓硒浆料；接着，将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上，软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层；以及最后，再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族元素粉末的RTA炉中，高温形成VIA族蒸气气氛下退火长晶，以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的的光吸收层。
真空制作铜铟镓硒吸收方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法-CN201010111127.2无效
发明人：陈文仁;林群福;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，该方法包括以下步骤：首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末；其次，该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料；接着，将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上，再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层；接着，利用多道独立气压缸控制的滚轮，来回滚压该光吸收前驱层；以及最后，将滚压后的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒光吸收层的制作。
真空制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的设备-CN200910089398.X无效
发明人：何整风;傅正文 -专利权人：何整风
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的设备，利用悬浮偏压电子枪、强流离子源、高精度阻热蒸发源组合制备铜铟镓硒光伏薄膜，包括：蒸发源室；离子源，用以离化工作气体使其处于等离子体态，以向蒸发源室内提供该等离子体；电子枪，用以蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气，其坩埚接正偏压，使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞，产生硒等离子体；及蒸发源，置于所述蒸发源室中，用于在硒等离子体气氛下，分别蒸发铜、铟、镓金属材料，以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。采用该设备降低了铜铟镓硒薄膜生长过程中硒化温度，提高了铜铟镓硒薄膜各种材料比例精度，实现了大面积均匀制备铜铟镓硒薄膜。
基于等离子体制备铜铟镓硒薄膜电池设备

[发明专利]一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法-CN201310100735.7有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层，即得。该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合，不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低，而且溅射工艺过程中沉积速率快，同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p-n结内吸收层连结结构IAJ，生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。
一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射生产薄膜方法