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[实用新型]一种45度角反射50％的分光镀膜玻璃-CN202123352550.4有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种45度角反射50％的分光镀膜玻璃，其特征在于，包括超白玻璃基板；在超白玻璃基板上A面镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上面镀有一层第二二氧化硅膜；在超白玻璃基板上B面镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上表面镀有一层第二二氧化硅膜，在第二二氧化硅膜上，镀有一层第三五氧化二铌膜；在超白玻璃基板的A面形成减反射的AR膜，B面形成镜面反射的FR50膜。
一种 45 反射 50 分光镀膜玻璃

[实用新型]一种反射为30%的中性分光膜玻璃-CN202022810917.1有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反射为30％的中性分光膜玻璃，包括超白玻璃基板，在超白玻璃基板上镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层二氧化硅膜，在二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜。二氧化硅膜的厚度为所述第一五氧化二铌膜厚度的5倍，所述第二五氧化二铌层的厚度为所述第一五氧化二铌膜厚度的7倍。本实用新型提供的反射为30％的中性分光膜玻璃，通过在超白玻璃基板上依次镀五氧化二铌膜、二氧化硅膜和五氧化二铌膜，并设置三者之间的厚度关系，使得膜层结构能够带来反射30％，透射70％，CRI指数为99％分光中性色效果
一种反射 30 中性分光玻璃

[发明专利]使铌氮氧化物层生长的方法-CN201610802484.0在审
发明人：菊地谅介;中村透;田村聪;村濑英昭;羽藤一仁 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供使具有小的载流子密度的铌氮氧化物层生长的方法。本发明为使铌氮氧化物层生长的方法，该方法具备以下工序：工序(a)，一边将结晶性氧化钛基板的温度维持为600℃以上且750℃以下，一边使第1铌氮氧化物膜在所述结晶性氧化钛基板上生长；和工序(b)，在所述工序(a)之后，一边将所述结晶性氧化钛基板的温度维持为350℃以上，一边使第2铌氮氧化物膜在所述第1铌氮氧化物膜上生长。在此，所述铌氮氧化物层具备所述第1铌氮氧化物膜和所述第2铌氮氧化物膜。
使铌氮氧化物生长方法

[发明专利]形成含铌膜的组合物和含铌膜的气相沉积-CN201880040099.4有效
发明人：克莱蒙特·兰斯洛特-马特拉斯;李柱昊;卢沅泰 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C07F9/00 文献下载
摘要：披露了形成含铌膜的组合物、合成其的方法、以及使用该形成含铌膜的组合物通过原子层沉积工艺在一个或多个基板上形成含铌膜的方法。
形成含铌膜组合沉积

[发明专利]一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法-CN201810020989.0有效
发明人：杨夏;朱美珍 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，属于超导量子芯片领域。本发明解决了现有量子芯片铌膜刻蚀工艺中刻蚀速度快则产生过刻，基片破损严重，即使刻蚀速度慢也会产生薄膜边缘粗糙，有点状残留且难以去除的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)清理基片，得到干净的基片；(2)在片上镀铌膜，得到镀铌膜的基片；(3)对镀铌膜的基片上的铌膜进行曝光显影，得显影后的基片；(4)对基片进行刻蚀；(5)对刻蚀后的基片进行后处理本发明可以达到快速刻蚀铌膜的同时还能有效除去点状刻蚀残留物，同时还不产生过刻，达到刻蚀表面干净、图形边缘平整的效果。
刻蚀后处理超导量子芯片含铌刻蚀残留物薄膜边缘刻蚀表面曝光显影图形边缘芯片领域点状膜刻去除去胶显影量子破损粗糙平整残留

[实用新型]铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片-CN201120363110.6有效
发明人：单连伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片。微波介质陶瓷广泛应用于卫星、雷达、移动通信等众多领域，20世纪后期，微电子信息处理技术和电子信息技术获得了快速的发展，这极大促进了微波移动通信技术的发展需求。一种铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片，其组成包括：铌镁酸钡膜（1）、钛酸锶钡膜（2），所述的铌镁酸钡膜上复合钛酸锶钡膜，然后再复合铌镁酸钡膜，再复合铌镁酸钡膜，如此反复，将铌镁酸钡膜和钛酸锶钡膜交替复合成层叠结构
铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷

[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法-CN201580002747.3在审
发明人：菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜
生产单晶氧氮化方法铌膜上产生氢气

[发明专利]一种铌酸锂超构表面的制备方法-CN202111032740.X在审
发明人：任梦昕;靳春艳;兀伟;曹雷;蔡卫;张心正;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
一种铌酸锂超构表面制备方法

[发明专利]弹性波装置及其制造方法-CN201380015669.1有效
发明人：神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。
弹性装置及其制造方法

[发明专利]一种低反射高透射膜及其制备方法-CN201911244787.5有效
发明人：夏伟;张兵;郑建军;张成金;姚仕军;方添志;赵帅 -专利权人：天津美泰真空技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种低反射高透射膜，包括在玻璃基板上依次层叠的含铌底膜和ITO膜，所述含铌底膜为2‑3层，含铌底膜和ITO膜的厚度之和小于#imgabs0#本发明所述的低反射高透射膜，镀在显示屏玻璃上能够实现低反射
一种反射透射及其制备方法

[实用新型]一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜-CN201920094813.X有效
发明人：徐风海 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、分别镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，二氧化硅膜的厚度大于五氧化二铌膜厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍，ITO导电层的厚度大于五氧化二铌膜厚度的3倍且小于五氧化二铌膜厚度的4倍，由于采用的上述厚度配合下的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层，可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免ITO导电膜需要在高温镀膜线上实现，简化了ITO导电膜的镀膜难度，并提高了ITO导电膜的镀膜成功率，同时，解决了低温镀ITO消影的难题。
五氧化二铌二氧化硅膜消影单面镀膜上表面基板本实用新型基板上表面镀膜难度高温镀膜光电玻璃厚度配合常温下消影层镀膜成功率

[发明专利]一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导-CN202011106942.X有效
发明人：尹志军;崔国新;叶志霖;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导。所述方法包括：在铌酸锂薄膜样品中的铌酸锂层表面正畴区域上制备具有预设刻蚀形状的金属掩膜后，将具备金属掩膜的待极化铌酸锂薄膜样品接入极化电路，对金属掩膜覆盖区域的铌酸锂进行畴翻转，使得金属掩膜覆盖区域由正畴翻转为负畴，利用预设夹具固定住畴翻转后的铌酸锂薄膜样品，并去除表面的金属掩膜后，利用刻蚀溶液对畴翻转后样品的表面区域进行预设时长的刻蚀，得到铌酸锂薄膜波导。整个过程利用正负畴的腐蚀速度差异制备铌酸锂薄膜波导，可以较好地控制刻蚀侧壁的宽度和质量，制备的波导刻蚀侧壁较为光滑，波导损耗较低。
一种铌酸锂薄膜波导湿法刻蚀方法

[实用新型]一种反射为70%的中性分光膜玻璃-CN202022786724.7有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反射为70％的中性分光膜玻璃，包括超白玻璃基板，在超白玻璃基板上镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上表面镀有一层第二二氧化硅膜，在第二二氧化硅膜的上表面镀有一层第三五氧化二铌膜，在第三五氧化二铌膜的上表面镀有一层第三二氧化硅膜，在第三二氧化硅膜的上表面镀有一层第四五氧化二铌膜。7层膜层结构能够带来反射70％、透射30％，CRI指数为98％，反射光颜色为中性色的效果。最重要的，本实用新型角度色比较优秀，在45度视角观察下颜色也基本不偏色，满足使用要求。
一种反射 70 中性分光玻璃

[实用新型]一种非导半反半透膜结构-CN202222578387.1有效
发明人：宋永进;杜鹏 -专利权人：深圳市康盛光电科技有限公司;水发兴业能源（珠海）有限公司;珠海兴业新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种非导半反半透膜结构，包括基材层及镀膜层，所述镀膜层包括五氧化二铌膜层及二氧化硅膜层，所述五氧化二铌膜层涂覆在所述基材层上，所述二氧化硅膜层涂覆在所述五氧化二铌膜层上，所述五氧化二铌膜层的厚度为20‑50nm，所述二氧化硅膜层的厚度为20‑30nm。在基材层上涂覆镀膜层，改变原本基材层的透射和反射比例，从而形成兼具透过性、反射性及绝缘性的膜结构。
一种非导半反半透膜结构

[发明专利]一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法-CN202010952813.6有效
发明人：王争;张文;钟家强;史生才 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超导钛‑铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。本发明在超导钛‑铌薄膜之间沉积一层缓冲层钛薄膜，可有效阻隔铌薄膜内的杂质分子向超导钛薄膜扩散，进而保持超导钛薄膜的超导特性稳定。
一种改善超导薄膜接触电极制备方法

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