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[发明专利]一种铅锡基钙钛矿异质结的太阳能电池及其制备方法-CN202111265409.2在审
发明人：林珍华;常晶晶;王庆瑞;苏杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种铅锡基钙钛矿异质结的太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括叠层设置的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿异质结层、空穴传输层和电极层；钙钛矿异质结层为双层或多层钙钛矿层结构，且相邻的钙钛矿层之间能形成异质结；钙钛矿层材料的结构通式为ABXmY3‑m，其中，A为阳离子且A选自MA、FA、Rb本发明的太阳能电池在铅锡钙钛矿异质结一端采用传统的铅基钙钛矿材料，另一端采用低毒的铅锡基钙钛矿材料，降低了电池中整体的铅含量，对环境污染程度小。
一种铅锡基钙钛矿异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种在表面制绒的异质结电池上制备钙钛矿薄膜的方法-CN202011002388.0有效
发明人：沈文忠;王杨润乾;王鑫;刘洪 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
一种表面异质结电池制备钙钛矿薄膜方法

[发明专利]一种黑磷-铅-钙钛矿异质结材料及其制备方法和应用-CN202310407873.3在审
发明人：喻学锋;郑颖;黄浩 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷‑铅‑钙钛矿异质结材料及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：采用电化学插层法对块状黑磷进行插层反应；加入硝酸溶液，施加反向电压进行电化学反应；加入铅源，施加正向电压进行电化学反应；将钙钛矿前驱体溶液与前述步骤得到的产物进行加热反应。本发明将电化学剥离同步沉积法与逆温结晶法结合制备黑磷‑铅‑钙钛矿外延异质结材料，电化学剥离黑磷的同时将铅沉积到黑磷纳米片上，以铅作为过渡层和锚点，然后使用逆温结晶法在黑磷‑铅纳米片上外延生长钙钛矿，形成铅过渡层桥接黑磷与钙钛矿的黑磷‑铅‑钙钛矿异质结构。
一种黑磷钙钛矿异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线与锐钛矿相二氧化钛的异质结的制备方法-CN201410088477.X有效
发明人：韩高荣;俞一峰;任召辉;尹思敏;巩思宇;姜姗;李翔;徐刚;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B01J23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线与锐钛矿相二氧化钛的异质结的制备方法，以钛酸四正丁酯的乙醇溶液和前钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线作为水热反应的物料，通过钛酸四正丁酯的水解获得锐钛矿相二氧化钛，以氨水作为矿化剂，并加入去离子水促进钛酸四正丁酯的水解，然后转移至反应釜中进行水热处理，得到前钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线与二氧化钛的异质结，再经后续的高温处理，得到钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线与二氧化钛的异质结。本发明制备工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于大规模生产；制得的复合材料中二氧化钛能较好的长在钙钛矿相钛酸铅单晶纳米线上，分布均匀；且可见光催化效率较高。
一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米锐钛矿相二氧化异质结制备方法

[发明专利]利用卤化氢制备铯铅卤钙钛矿纳米线异质结的方法-CN202110267821.1在审
发明人：申朝晖;张高倩;赵谡玲;徐征;宋丹丹;乔泊;宋鹏杰;乔庆元 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明提供了利用卤化氢制备铯铅卤钙钛矿纳米线异质结的方法，属于钙钛矿纳米线异质结技术领域，将1‑十八烯、油酸和碳酸铯混合，制备油酸铯前驱体溶液；将1‑十八烯、油胺、辛胺和卤化铅混合，制备含铅的混合溶液；将油酸铯前驱体加入到含铅的混合溶液中制备纳米线；冰浴冷却离心后将纳米线沉淀分散到极性弱的有机试剂中。将纳米线分散液滴加到玻璃片上，使钙钛矿纳米线定向分布；另将一玻璃片覆盖住涂有纳米线的玻璃片的部分，将其置于卤化氢气氛中，一段时间后纳米线暴露的部分完成阴离子交换，在纳米线长度方向形成异质结。本发明操作简单，成本低，易于控制，可批量化，量子效率高，重复性高；制备的纳米线异质结结构稳定，可应用在光电领域。
利用卤化制备铯铅卤钙钛矿纳米线异质结方法

[发明专利]一种新型无铅P-N结甲胺碘铅钙钛矿电池的制备方法-CN201510358528.0在审
发明人：马给民;保罗·比蒂;陈浩 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光伏电池领域，公开了一种无铅P-N结甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿电池，包括基板、透明电极、N型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、P型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、后电极。本发明通过钙钛矿半导体薄膜间形成的P-N同质结或异质结，有利于受光激发产生的电子-空穴对的有效分离和传输，同时依靠无铅甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体自身的长寿命载流子，可实现电池的高光电转换效率。此外，本发明无需制备空穴传输层，从而简化了现有钙钛矿电池的制备工艺，降低了制备成本；也无需大量使用金属Pb，有利于绿色、环保的产业化进程。
一种新型结甲胺碘铅钙钛矿电池制备方法

[发明专利]一种体相异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202011579531.2有效
发明人：兰章;吴季怀 -专利权人：华侨大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种体相异质结钙钛矿太阳能电池，在电池骨架内形成有填充孔道，该填充孔道通过高温热分解包裹在各功能层(电子传输层、绝缘隔离层和空穴传输层)对应的纳米晶材料表面的聚多巴胺层而形成，各填充孔道里填充有机‑无机杂化或全无机钙钛矿光吸收材料，形成钙钛矿光吸收层贯穿于各功能层间(电子传输层、绝缘隔离层和空穴传输层)的体相异质结，在保持钙钛矿光吸收层厚度不变的情况下，含铅钙钛矿光吸收层材料的用量能降低到传统介观和平面异质结钙钛矿太阳能电池用量的10～30％，同时形成的体相异质结具有良好的界面接触状态，可保证太阳能电池的高光电转换效率。本发明还公开了一种体相异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法。
一种相异质结钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法-CN202010313327.X在审
发明人：方彦俊;魏佳军;李力奇;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及X射线探测器领域，公开了一种基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法，该探测器中的X射线吸收层包括APbX3型铅卤钙钛矿量子点和有机半导体，通过将钙钛矿量子点作为敏化剂嵌入到有机半导体异质结中钙钛矿量子点直接将X射线高能光子转化为电子空穴，并作为闪烁体辐射发光；有机相异质结对钙钛矿的转换电荷进行转移，基于自身光电效应产生载流子，两种机制协同下提高X射线探测器的响应灵敏度，降低检测极限。本发明的探测器的制备方法为将有机半导体和钙钛矿的悬浮液雾化沉积形成X射线吸收层，得到的膜平整且降低了暗电流水平，工艺流程简单且缩减了成本。
基于钙钛矿量子射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种纯无机铅卤钙钛矿异质结及其制备方法和应用-CN202310163751.4在审
发明人：方彦俊;李力奇;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，公开一种纯无机铅卤钙钛矿异质结及其制备方法和应用，制备方法包括将导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至80～300℃和400～660℃，通入载气，保温30～180mins，经过两轮气相沉积过程得到所述钙钛矿双层异质结吸收层。基于该异质结所制备的器件X射线探测灵敏度高，检测极限低，同时具有较好的稳定性和极低的暗电流，适用于X射线探测及成像应用。
一种无机铅卤钙钛矿异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法与在核辐射探测器中的应用-CN202211116050.7在审
发明人：张国栋;崔富财;华云秋;孙雪;李想;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法与在核辐射探测器中的应用。该大面积卤化物钙钛矿单晶异质结的生长方法，包括步骤如下：将经预处理的溴铅铯或溴铋铯衬底置于装有钙钛矿前驱体溶液的试剂瓶中，之后密封；将上述密封的试剂瓶固定在水槽中，通过逆温结晶法或降温结晶法在衬底上进行大面积卤化物钙钛矿单晶薄膜的外延生长，得到大面积卤化物钙钛矿单晶异质结。本发明的方法具有成本低、简单、高效的优点；本发明的钙钛矿单晶异质结探测器在反向偏压下可有效抑制离子迁移引起的暗电流漂移，从而获得高灵敏度、低检测限的探测效果。
一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法核辐射探测器中的应用

[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用-CN202210350539.4在审
发明人：王亚飞;邹涛;邹天成 -专利权人：王亚飞;邹涛;邹天成
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。
一种钙钛矿双层异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片与锐钛矿相二氧化钛的异质结的制备方法-CN201410161160.4有效
发明人：韩高荣;俞一峰;任召辉;钞春英;巩思宇;虞婷婷;李翔;徐刚;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片与锐钛矿相二氧化钛的异质结的制备方法，采用水热的方法，以钛酸四丁酯的乙醇溶液和钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片作为水热反应的初始反应物料，通过钛酸四正丁酯的水解来获得锐钛矿相二氧化钛，利用氨水作为矿化剂，并加入适量去离子水来促进钛酸四正丁酯的水解和调节反应物料的体积，最后转移至反应釜中，在200℃下水热反应一定时间后，即得到钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片与锐钛矿相二氧化钛的异质结。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本较低，易于大规模生产，制得的复合材料中的二氧化钛纳米颗粒能较好的长在钙钛矿相钛酸铅单晶纳米片上，所得的样品可以作为一种性能良好的可见光催化剂。
一种钙钛矿相钛酸铅单晶纳米锐钛矿相二氧化异质结制备方法

[发明专利]一种在钙钛矿层中掺入硫化亚铜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201910268995.2在审
发明人：杨富强 -专利权人：杨富强
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在钙钛矿层中掺入硫化亚铜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池包括自下而上的ITO基底层、所述ITO基底层上的CuInS₂层、所述CuInS₂层上的介孔TiO₂层、所述TiO₂层上的硫化亚铜‑钙钛矿复合层、以及所述硫化亚铜‑钙钛矿复合层上的银层，其中，所述钙钛矿为CH₃NH₃PbI₃；本发明通过在钙钛矿的前驱体溶液中加入碘化亚铜‑硫脲络合物，络合物中的Cu⁺和I⁻分别和钙钛矿晶界中配位不饱和的卤离子和铅离子相互作用形成体相异质结，大大降低了钙钛矿的缺陷态深度及载流子复合几率，进而提升器件的性能。
钙钛矿硫化亚铜太阳能电池钙钛矿层复合层基底层络合物掺入制备前驱体溶液载流子复合碘化亚铜提升器件不饱和卤离子铅离子缺陷态形成体介孔晶界硫脲配位相异银层

[发明专利]碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法-CN201910804843.X有效
发明人：梁凤霞;赵兴远;陈红云;罗林保;蒋静静 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法，是在绝缘基底上生长有PtTe2薄膜，在PtTe2薄膜上的局部区域生长有MAPbBr3钙钛矿单晶，PtTe2薄膜与MAPbBr3钙钛矿单晶形成异质结。本发明的光电探测器，制备过程简单、性能稳定、性能好，为过渡族金属碲化物及钙钛矿材料在光电探测器中的应用开拓了新的前景。
碲化铂甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法

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