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[发明专利]一种高储能特性的钛酸铋钠基高熵陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202310024073.3在审
发明人：王根水;邓韬;刘振 -专利权人：国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能特性的钛酸铋钠基高熵陶瓷材料及其制备方法和应用。所述钛酸铋钠基高熵陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3
一种高储能特性钛酸铋钠基高熵陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202011024601.8在审
发明人：庞东方;赵化愚 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，化学通式为[N‑(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：采用传统固相法制备钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；将制备的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷置于氨气氛中，并在低温下进行保温处理，制得氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，氨气或脲提供氮源制得的氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的电致应变为0.52‑1.1％，矫顽场为25.54‑48.47kv/cm，适合于制造大应变无铅压电致动器。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310768347.X在审
发明人：李卓;王子瑄;张家勇;牛艳辉 -专利权人：长安大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料，组成式为：(Bi0.5Na0.5)0.82原料、MgO原料和SnO2原料配料后球磨，然后经过预烧、二次球磨、压片、排胶、烧结、抛光和表面金属化，得到钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料本发明制备的钛酸铋钠基高熵介质储能陶瓷材料的储能性能优良，制备工艺简单、重复性好、成本低廉，适宜工业化。
钛酸铋钠基高熵介质陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钛酸铋钠基高温压电陶瓷的制备方法-CN201911420194.X在审
发明人：任鹏荣;王奕轲;王欣 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基高温压电陶瓷的制备方法，通过成分设计引入BiFeO3，使得陶瓷中的弛豫相转变为铁电相，从而获得高的退极化温度。本发明是一种钛酸铋钠基高温压电陶瓷的制备方法，提供一种高压电常数、低退极化温度钛酸铋钠(BNT)陶瓷，提高压电常数的温度稳定性，降低介电损耗，方法简单、成本低、可重复性好，所得钛酸铋钠高温压电陶瓷压电性能优异
一种钛酸铋钠基高温压电陶瓷制备方法

[发明专利]高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202211726940.X在审
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜，化学通式为：0.9212(Bi0.5Na0.5)TiO高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取硝酸铋、乙酸钠、乙酸钡、乙酸镧、乙酸锶溶于乙酸，制得第一溶液；步骤S2，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取乙酰丙酮、钛酸四丁酯、四水合乙酸锰溶于乙二醇甲醚，制得第二溶液；步骤S3，将第一溶液和第二溶液混合得到混合溶液，调整混合溶液的浓度和酸碱度，制得前驱体溶液；步骤S4，清洗基片，并将基片吹干；步骤S5，将前驱体溶液涂覆在基片上，制备得到高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。
高电致应变钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铜铋钠/聚合物基三相复合材料及其制备方法-CN201610167690.9有效
发明人：苏艳丽 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铜铋钠/聚合物基三相复合材料及其制备方法。本发明的陶瓷/聚合物基三相复合材料由钛酸铜铋钠陶瓷粉末、聚偏氟乙烯和纳米银粒子混合均匀后经热压成型制得；制备的钛酸铜铋钠/聚合物基三相复合材料相对介电常数在1 KHz下可达202，在高储能电容器等领域具有广阔的应用前景
一种钛酸铜铋钠聚合物三相复合材料及其制备方法

[发明专利]用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法-CN202310298484.1在审
发明人：吴家刚;吴肖骏;殷杰;文澜骥;吴超 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N30/06 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，公开了用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法。本发明通过对传统固相法合成的位于临界位置附近的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷进行交流电场的预极化操作，在遍历的钛酸铋钠基弛豫体中引诱出原生性的大尺寸的非遍历极性区域，降低场致应变过程中的成核势垒，显著增强电致应变效应本发明的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷通过简单处理后在60 kV/cm电场激励下的电致应变相比于初始状态存在明显的提升，具有比普通钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷更为优异的性能。
用于钛酸铋钠基弛豫铁电体应变增强方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201910873427.5在审
发明人：杜毅;王佳佳 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的化学计量比为：（1‑x)Bi
钛酸铋钠基无铅压电陶瓷化学计量比烘干预烧制备传统烧结工艺二次球磨介电常数介电性能烧结工艺压电陶瓷极化烧结陶瓷片锆元素被银排胶球磨压片造粒掺杂改进

[发明专利]钛酸铋钠基铁电陶瓷及其制备方法与应用-CN201710258834.6在审
发明人：郝喜红;姚远;孙宁宁;李雍;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基铁电陶瓷及其制备方法与应用，钛酸铋钠基铁电陶瓷化学通式为(1‑x)[0.9(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.1NaNbO3]‑xZn；式中0≤x≤0.01；制备方法包括按化学计量比配制各原料组分后混合均匀，预烧后磨碎，得到磨碎后粉体；然后造粒，得到造粒后粉体；然后干压，再冷等静压，得到致密化陶瓷坯体；将致密化陶瓷坯体排胶，然后烧结，得到钛酸铋钠基铁电陶瓷本发明通过将锌掺杂在钛酸铋钠基铁电陶瓷中，提高其击穿强度及饱和极化值，提高储能密度及稳定性，降低漏电流，有助于晶体的生长取向；有利于高功率大容量存储电容器件的开发和应用。
钛酸铋钠基铁电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器及其制备方法-CN201410333883.8有效
发明人：郭益平;吴芬;段华南;康红梅;李华;刘河洲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器及其制备方法，包括下电极、上电极(104)，以及下电极和上电极(104)之间设置的钛酸铋钠基薄膜(103)，其中钛酸铋钠基薄膜(103)和上电极(104其制备方法为在玻璃基板上采用磁控溅射的方法生长导电氧化物层或是直接选用商业化的覆有导电氧化物涂层的导电玻璃基板，采用化学溶液沉积法在导电氧化物涂层上制备钛酸铋钠基薄膜，在钛酸铋钠基薄膜上采用物理法制备上电极
基于钛酸铋钠薄膜体系电阻随机存储器及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液、制备方法及其应用-CN202310516789.5在审
发明人：王卓;赵婷;易志辉;吴丹;薛颖;亢金腾;叶荣辉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液、制备方法及其应用，按质量比计，包括聚偏氟乙烯溶液：二维钛酸铋钠粉体＝(4.7250‑6.6615)：(0.0087‑0.0261)；制备方法：将氧化铋、二氧化钛、无水碳酸钠、氯化钠、无水乙醇加入球磨罐中混合均匀后用去离子水洗涤、烘干、煅烧、冷却得到二维钛酸铋钠前驱体(NBT4)；将二维钛酸铋钠前驱体(NBT4)、二氧化钛、无水碳酸钠、氯化钠、无水乙醇混合均匀后去离子水洗涤、烘干、煅烧、冷却得到二维钛酸铋钠粉体；在聚偏氟乙烯溶液加二维钛酸铋钠粉体，磁力搅拌得到钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液；应用为：将钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液采用流延法制备聚偏氟乙烯基二维钛酸铋钠复合材料；本发明工艺简单
一种钛酸铋钠聚偏氟乙烯溶液制备方法及其应用

[发明专利]一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201811015483.7在审
发明人：王根水;胡蕃廷;陈学锋;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，所述钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料的化学组成为(1‑x)Bi_1/2Na_1/2TiO<
电容器材料钛酸铋钠基高介陶瓷高温稳定制备化学组成

[发明专利]具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法-CN202010037107.9有效
发明人：戴中华;谢景龙;樊星;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法，克服了现有技术中钛酸铋钠基储能陶瓷能量存储性能不佳的问题，制备的产品能量存储密度以及效率高、电学稳定性好。该陶瓷的制备工艺简单，可重复性高，对配方组分进行化学比例的计算，称量高纯的原料粉末，经球磨烘干、预烧结、造粒压片、高温烧结，制得具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷。该钛酸铋钠基电子陶瓷材料储能密度最大值为1.83J/cm3，储能效率为83％。
具有高储能密度效率钛酸铋钠基电子陶瓷制备方法

[发明专利]一种高储能特性的钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法和应用-CN202211041725.6有效
发明人：王根水;邓韬;刘振 -专利权人：国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能特性的钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法和应用。所述钛酸铋钠基复合陶瓷的组成为：（1‑x）Bi0.5Na0.5TiO3‑0.5xSm
一种高储能特性钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法-CN202010320707.6有效
发明人：杨长红;冯超;钱进;林秀娟;程振祥;黄世峰 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti<在143℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
一种兼具负电效应钛酸铋钠基薄膜及其制备方法

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