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[发明专利]一种碱金属氟化物掺杂的P型Mg3-CN202310850760.0在审
发明人：李周;董德铭;宋吉明;李旭成;宛晗;江舒婷;程成;梁小龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱金属氟化物掺杂P型Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于能源转换技术领域。本发明所述碱金属氟化物掺杂P型Mg3Sb2热电材料的化学组成表达式为Mg3‑yCdySb2‑x％AF；其中x％AF表示掺杂剂AF在热电材料基体Mg3‑yCdySb2中的掺杂质量百分比，AF可选取LiF，NaF，KF，RbF或CsF；0＜x≤2，0≤y≤1。本发明以碱金属氟化物作为碱金属掺杂剂，采用真空固相烧结结合快速热压方法制备碱金属氟化物掺杂Mg3Sb2基热电材料，避免了使用碱金属单质掺杂剂的弊端，实现了碱金属元素的有效掺杂，制得的P型Mg3Sb2基热电材料表现出较高的电导率和塞贝克系数以及低的热导率，综合热电性能较为优异，具有较大的商业化潜力。
一种碱金属氟化物掺杂 mg base sub

[发明专利]一种全ZrCoSb基Half-Heusler热电材料、热电器件及制备方法-CN202310858920.6在审
发明人：李善;张倩;包鑫;尹力 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明属于热电材料及热电器件领域，具体涉及一种全ZrCoSb基Half‑Heusler热电材料及制备方法，以及利用热电材料制备热电器件。本发明提供的全ZrCoSb基Half‑Heusler热电材料包括p型ZrCo(Sb1‑xBix)1‑ySny和n型ZrCo1‑zNizSb1‑xBix，其中，0＜x≤0.6，0＜y≤0.2，0＜z≤0.2。对上述p型和n型系列材料的热电性能检测发现，p型ZrCo(Sb0.5Bi0.5)0.85Sn0.15和n型ZrCo0.85Ni0.15Sb0.5Bi0.5热电材料不仅具有相对更优的热电性能，并且两者的热膨胀系数相近，利用这两种材料制成的热电器件表现出更优的可靠性和转换效率。
一种 zrcosb half heusler 热电材料热电器件制备方法

[发明专利]一种提升n型Mg3-CN202310991628.1在审
发明人：龙震宇;熊素琴;梁继升;苗蕾;刘呈燕;王潇漾 -专利权人：广东震宇节能环保技术有限公司;广西大学
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升n型Mg3Sb2基热电半导体平均热电优值的方法，通过具有高掺杂电子浓度的化学元素组成为Mg3.2‑xZrxSb1.5Bi0.5‑yTey的材料混合具有低本征电子浓度的化学元素组成为Mg3.2Sb1.5Bi0.5的材料进行烧结，实现了在Mg3Sb2基块体材料中的调制掺杂技术，有效的减少了电离杂质散射对电子迁移的影响，极大地提高了电子迁移率，提升了低温区热电性能，优化了材料的电学性能，整体提升了材料的平均热电优值，具有广阔的应用前景。
一种提升 mg base sub

[发明专利]一种具有高熵子晶格结构的双半赫斯勒热电材料及其制备方法-CN202310669388.3在审
发明人：周香林;王超越 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开一种具有高熵子晶格结构的双半赫斯勒热电材料，其化学组成为TixZrxHfx(NbyV8‑3x‑y)FezNi8‑zSb8，为在双半赫斯勒热电材料Ti2FeNiSb2的Ti位引入TiZrHfNbV高熵子晶格；其中Ti、Zr、Hf、Nb、V元素占比关系为03x+y≤8，且x0，y0；Fe和Ni元素占比关系为0z8。本发明还公开了所述热电材料的制备方法，包括将各元素单质依次进行配料熔炼、热处理、球磨及放电等离子烧结步骤。所述具有高熵子晶格结构的双半赫斯勒热电材料与母体双半赫斯勒相比，具有显著协同优化的电输运性能和热导率，高的热电转换潜力，同时制备过程易操作，生产效率高。采用本发明的材料与制备工艺有望可显著提高能源的热电转换效率。
一种具有高熵子晶格结构赫斯热电材料及其制备方法

[发明专利]一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用-CN202310740401.X在审
发明人：任武洋;王志明;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用，涉及热电材料技术领域。解决了现有半霍伊斯勒热电材料本征晶格热导率较高以及常规熔融法制备工艺受组分元素熔点差异局限的问题。该材料是由非化学计量比的Zr、Ni、Bi元素组成且晶体结构中具有本征空位缺陷的半霍伊斯勒热电材料，其化学式为Zr0.88NiBi。还提供一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料的制备方法，按预设比例取Zr、Ni、Bi单质，使用高能球磨法对原料进行球磨，获得无块状凝结的混合粉末；采用热压烧结工艺对混合粉末进行固化得热压烧结样品；对热压烧结样品进行高温退火，降温冷却至室温得到成品。本发明的半霍伊斯勒材料晶格热导率低，性能优异。
一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料制备方法应用

[发明专利]一种黑磷复合掺杂型CoSb3-CN202310623583.2在审
发明人：刘晓兵;孙海瑞;杨兵超 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，尤其涉及一种黑磷复合掺杂型CoSb3基热电材料及其制备方法。将Co粉和Sb粉烧结后得到初产物，加入黑磷，球磨混匀，冷压成块，高温烧结成型即可，方法简单，操作易控，效果显著；有效降低了晶格热导率，实现了利用复合元素量的调整来改变CoSb3的载流子浓度、载流子迁移率以及晶格热导率，最终优化其热电性能。
一种黑磷复合掺杂 cosb base sub

[发明专利]一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法-CN202010320707.6有效
发明人：杨长红;冯超;钱进;林秀娟;程振祥;黄世峰 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
一种兼具负电效应钛酸铋钠基薄膜及其制备方法

[发明专利]一种3D火焰电壁炉用纳米热电活性材料及其制备方法-CN202010038031.1有效
发明人：张德林;李建新;史志刚;刘际麟 -专利权人：湖北若林电器科技有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D火焰电壁炉用纳米热电活性材料及其制备方法，热电基质：二氧化硅20‑30份、聚对苯二亚甲基10‑20份和聚四氟乙烯10‑15份；热电材料：碳纳米管5‑20份、Bi10‑20份、Sb10‑20份、多孔隙材料20‑40份、石墨烯10‑15份、铜粉6‑10份和半导体材料10‑15份，纳米线的制备：将碲化铋、掺杂锑的碲化铋、掺杂硒的碲化铋、锌化锑、半赫斯勒合金的混合物、Bi和Sb分别进行除杂处理，本发明涉及热电活性材料技术领域。该3D火焰电壁炉用纳米热电活性材料及其制备方法，在制备纳米热电活性材料时，在纳米线的表面形成一层石墨烯和铜的混合薄膜，石墨烯和铜均具有良好的导热性和导电性，能够降低热电材料在进行热电转换时的能量损耗，热电转化效果更好，更加节能。
一种火焰壁炉纳米热电活性材料及其制备方法

[发明专利]一种方钴矿热电材料及其制备方法-CN202111579739.9在审
发明人：暴丰;曹聪帅;高学森;杨爽;李全 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种方钴矿热电材料及其制备方法，包括：原料称量、真空封管、退火热处理、破碎研磨制粉、氢氩混合气还原以及烧结步骤；其中，将研磨得到的热电材料粉末利用氢氩混合气进行还原；并将经还原后的热电材料粉末在保护气氛中烧结得到块状方钴矿基热电材料。本发明通过在惰性气体环境中进行原料称量，并对装有原料的石英管进行真空封管，然后对原料依次进行熔融淬火、退火热处理和研磨制粉，接着对磨制的热电材料粉末进行还原后，再在保护气氛中烧结，以降低原料中的活泼元素与氧气结合生成氧化物的概率，从而减少了氧化物杂质对热电材料性质的影响，提高了材料的载流子浓度，降低了热电材料的电阻率，从而提高了材料的热电性能。
一种方钴矿热电材料及其制备方法

[发明专利]P型类赫斯勒结构热电材料及其制备方法-CN202310264735.4在审
发明人：骆军;叶松;董子睿;张继业 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型类赫斯勒结构热电材料及其制备方法，其化学式为：TiFexCu2x‑1Sb，其中x取值范围为0.67≤x≤1；采用高能球磨(HEBM)与火花等离子体烧结(SPS)方法制备出呈类赫斯勒结构的纯相，该合金表现出与半导体型半赫斯勒合金类似的优异热电性能，其中x＝0.7的成分存在最高zT值，且在973K时达到最大值0.75。通过低温物理性质测试，发现其低温热容(Cel)及电阻率(ρ)随温度变化趋势与非费米液体金属体系完全类似，表明该合金同时具有非费米液体金属的特征。该类材料具有独特的晶体结构，并表现出新奇的物理性质，有望在热电、磁性、超导等方面取得应用。
赫斯结构热电材料及其制备方法

[发明专利]一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法-CN202310063279.7有效
发明人：隋解和;谢亮军;刘紫航;郭逢凯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
一种基于 mgagsb 热电材料高热稳定性接触电阻阻挡制备方法

[发明专利]热电材料和包含其的热电装置-CN201980003235.7有效
发明人：金宰贤;李秀贞;李艺瑟;朴哲凞 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：根据本发明的热电材料是p型方钴矿，并且包含Fe和Sb元素。在p型方钴矿粉末的烧结期间添加少量的Al，从而将p型方钴矿和Al一起烧结，并因此在热电材料中生成少量的AlSb，从而使降低热电材料性能的FeSb2组分的生成最小化。因此，热电材料可以有利地用于包含热电材料的热电装置中。
热电材料包含装置

[发明专利]热电转换材料、热电转换组件和热电转换材料的制造方法-CN201980008399.9有效
发明人：岛田武司;王楠;松田三智子 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：提供无量纲品质因数ZT高的热电转换材料、热电转换组件和热电转换材料的制造方法。本发明涉及的热电转换材料(1)具有：具有包含Yb、Co和Sb而成的方钴矿型晶体结构的多个多晶晶粒(11)、和存在于相邻的上述多晶晶粒(11)之间、具有O相对于Yb的原子比超过0.4且小于1.5的晶体(13)的粒间层(12)。本发明涉及的热电转换材料的制造方法包括：称量工序(S1)、混合工序(S2)、将上述原材料的熔液利用液体急冷凝固法进行急冷凝固而制作带的带制作工序(S3)、在调节了氧浓度的非活性气氛中进行热处理的第一热处理工序(S4)、在还原气氛中进行热处理的第二热处理工序(S5)和在非活性气氛中进行加压烧结而制造上述热电转换材料(1)的加压烧结工序(S6)。
热电转换材料组件制造方法

[发明专利]一种p型镁银锑热电材料及其制备方法和应用-CN202211474314.6在审
发明人：李娟;刘睿恒;侯旭峰;赵令浩;李桂娟;任保国;冯江河;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型镁银锑热电材料及其制备方法和应用，该方法先通过高温预熔的方式使Mg、Ag和Sb三种元素两两反应，形成化合物；然后再通过高能球磨的方式使所述化合物活化并反应，得到MgAgSb化合物；再通过对所述MgAgSb化合物进行热压烧结处理，得到所述p型镁银锑热电材料。避免了两步球磨第一步反应不完全的影响，同时一步球磨提高了制备效率；同时该方法也规避了长时间高温熔融Mg蒸气挥发Mg的缺失带来的化学计量比偏移，合成样品纯度更高。
一种型镁银锑热电材料及其制备方法应用

[发明专利]一种n型SmMg2-CN202211020109.2在审
发明人：张倩;张宗委;毛俊;谢国强;曹峰;李孝芳;王心宇;刘兴军 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型SmMg2Sb2基热电材料及其制备方法，所述n型SmMg2Sb2基热电材料的化学通式为SmMg2.3Sb2‑x‑yBiyTex，0x≤0.03，0≤y≤0.5。本发明的技术方案的SmMg2Sb2基热电材料具有较低的本征空穴浓度，室温下约4×1016 cm‑3，同时其电子迁移率比空穴迁移率高出220%，高温时（＞600 K）电子浓度和空穴浓度相差较小，材料呈现出n型导电特征，态密度有效质量为2.6m0，高于所有报道的p型AB2X2合金。
一种 smmg base sub

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