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[发明专利]一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法-CN202210262564.7在审
发明人：李立宏;向钟元;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料制备技术领域，公开了一种一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法。该一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料为棒状，其结构表达式为ABO3。制备方法包括：(1)将五氧化二铌、第一碱金属盐或碱土金属盐、第一熔盐进行混合以及焙烧处理，得到一维非钙钛矿型铌酸盐；（2）将所述非钙钛矿型铌酸盐与酸通过离子交换反应得到含水合氢离子的一维非钙钛矿型铌酸盐Sub>2O5作为模板与可选的第二过渡金属氧化物、第二碱金属盐或碱土金属碳酸盐、第二熔盐混合后进行焙烧处理，得到一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料本发明的制备方法具有绿色环保，流程简单，后处理温度低的特点，并且可以获得具有优异性能的一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料。
金属掺杂钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法

[发明专利]一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法和柔性压电薄膜及其应用-CN201910243812.1有效
发明人：李立宏;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料制备技术领域，公开了一种一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法和柔性压电薄膜及其应用。其中，该方法包括：(1)将五氧化二铌、第一过渡金属氧化物、可选的第一碱金属盐或碱土金属盐、第一熔盐与醇进行熔融以及焙烧处理，得到非钙钛矿型铌酸盐；(2)将所述非钙钛矿型铌酸盐作为模板，然后将所述模板与可选的第二过渡金属氧化物、第二碱金属盐或碱土金属碳酸盐、第二熔盐混合后进行焙烧处理，得到一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料。本发明的制备方法具有绿色环保、制备过程简单、后处理温度低的特点，并且可以获得具有优异的压电性能和压力敏感性的一维多元钙钛矿材料。
金属掺杂钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法柔性薄膜应用

[发明专利]一种反铁电陶瓷及其制备方法-CN202110233602.1在审
发明人：蔡伟强;王修才;肖泽;李子昊;李祥龙;谭荣爽;许家苗;梁煜键;黄德成;苏建端;陈建文;于昕梅;朱文博 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：所述反铁电陶瓷，原料主要包括钙钛矿型铌酸银化合物，所述钙钛矿型铌酸银化合物为AgNbO3中掺杂有Bi、La或Ti元素，所述钙钛矿型铌酸银化合物的晶粒尺寸为400由于选用了纳米级别的钙钛矿型铌酸银化合物，在烧结过程中能够有效降低烧结温度，实现节约能源、降低成本的效果。由于钙钛矿型铌酸银化合物掺杂有Bi、La或Ti元素，有效增强反铁电陶瓷的击穿强度，提高储能密度。该反铁电陶瓷的制备方法包括步骤：钙钛矿型铌酸银化合物的制备；造粒；陶瓷坯体制备；烧结。其中的钙钛矿型铌酸银化合物的制备步骤采用了水热反应制备钙钛矿型铌酸银化合物，使得后续的烧结过程可以在无气氛保护的环境下进行。
一种反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体-CN201680042083.8在审
发明人：菊地谅介;中村透;羽藤一仁;长谷川哲也;广濑靖 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。
锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法以及半导体结构

[发明专利]一种钙钛矿铌钛酸盐纳米粉体的制备方法-CN200910114011.1无效
发明人：刘来君;方亮;胡长征 -专利权人：桂林工学院
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿铌钛酸盐纳米粉体的制备方法。将五氧化二铌、碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛、三氧化二铋，按化学计量比为(1-x)[(Na_0.5K_0.5)NbO₃]-x[(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃]配料，其中：0.00＜x＜1.00；经过高能球磨混料、预烧、二次球磨等工序，最终制备颗粒尺寸小于30纳米铌酸钠钾-钛酸铋钠固溶体纳米粉体本发明方法可制备一系列钙钛矿铌钛酸盐电子陶瓷纳米粉体，颗粒细小，粒度分布均匀，可满足不同领域需求；本发明方法简单，节能省时，成本适中，适合批量生产。
一种钙钛矿铌钛酸盐纳米制备方法

[发明专利]金属铌酸盐和／或钽酸盐，它们的制备和由它们形成的钙钛矿-CN95119973.0无效
发明人：Ｋ·赖赫特;Ｆ·施伦克里 -专利权人：Ｈ·Ｃ·施塔克公司;弗劳恩霍弗实用研究促进协会
申请日： 1995-10-12 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：通式为Ｍｅ（Ⅱ）A2O6或Me(Ⅲ)AO4的高活性金属铌酸盐和／或金属钽酸盐，及其制备方法，以及对它们进一步处理以形成通式为X(B′B″O3）的钙钛矿的方法以及由本发明所提供的这些钙钛矿，式中Ｘ代表Pb向该铌酸盐／钽酸盐中提供０．１—２０mol%的Li，Na和／或Ｋ的添加剂。
金属铌酸盐钽酸盐它们制备形成钙钛矿

[发明专利]一种聚偏氟乙烯/铌酸钙纳米片@铝氧化物复合材料及其制备方法和应用-CN202211610239.1在审
发明人：刘晓旭;李佳龙;陈东洋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开一种聚偏氟乙烯/铌酸钙纳米片@铝氧化物复合材料及其制备方法和应用，将碳酸钾、碳酸钙和氧化铌在无水乙醇中混合球磨处理得到铌酸钙钾钙钛矿前驱体，将该前驱体置于硝酸中搅拌得到多层铌酸钙钙钛矿，将多层铌酸钙钙钛矿乳化后得到单层铌酸钙钙钛矿纳米片；将单层铌酸钙钙钛矿纳米片以及硫酸铝混合搅拌制得包覆有铝氧化物壳结构的纳米片；将包覆有铝氧化物壳结构的纳米片与聚偏氟乙烯溶液混合搅拌制得聚偏氟乙烯/铌酸钙纳米片@铝氧化物复合材料。
一种聚偏氟乙烯铌酸钙纳米氧化物复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿型铌钽酸银固溶体的制备方法-CN201310600588.X无效
发明人：袁宏明;常海波;张晨阳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明的一种钙钛矿型铌钽酸银固溶体的制备方法，属于无机材料制备工艺的技术领域。本发明是利用NH4HF2、Ag2O、Nb2O5、Ta2O5和H2O2为反应原料，经混合搅拌、水热制备过程制得钙钛矿型铌钽酸银化合物AgNb1-xTaxO3,(0＜x＜1)，水热反应条件是温度180～240本发明方法简便，反应原料廉价，反应条件温和，适合难容物质和含有高温热力学不稳定离子（Ag+）的铌钽酸盐复合氧化物的合成，避免了由于高温烧结产生单质银或者氧化银杂质。
一种钙钛矿型铌钽酸银固溶体制备方法

[发明专利]压电元件及其制造方法-CN202110279425.0在审
发明人：伊藤亮;后藤隆幸 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于抑制可靠性降低且低成本地提供使用了碱金属铌酸系的压电陶瓷的层叠型压电元件。本发明的技术方案为利用银的含量为80质量％以上的金属形成内部电极(10)，并且利用以具有钙钛矿型结构的碱金属铌酸盐为主成分、还含有锰酸锂的压电陶瓷构成压电陶瓷层(40)。
压电元件及其制造方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201710314003.6有效
发明人：马万里;凌旭峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法。在阴极基底上旋涂五氯化铌与水反应生成的氧化铌水合物溶液，制备厚度为40～200纳米的氧化铌薄膜，形成钙钛矿太阳能电池的电子传输层；在电子传输层上依次制备钙钛矿吸光层、空穴传输层以及收集空穴的金属阳极，得到钙钛矿太阳能电池本发明利用溶液法制备氧化铌电子传输层的方法，具有工艺简单、易于调控的特点，制备的氧化铌薄膜均匀、平整、致密，可实现大规模及卷对卷生产工艺；同时，制备氧化铌电子传输层的过程在低温下进行（≤150°C），无需高温煅烧，适合于采用柔性衬底制备钙钛矿太阳能电池。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种光伏器件内封装方法及内封装光伏器件-CN202210255522.0在审
发明人：方国家;葛艳松 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏器件内封装方法及内封装光伏器件，该光伏器件内封装方法包括：在电子传输层表面涂覆氯化铌前驱体，110～130℃退火，在电子传输层表面形成含氯的五氧化二铌薄膜，即下封装层；在下封装层表面制备钙钛矿吸光层；在钙钛矿吸光层表面涂覆正丁基溴化胺溶液，使钙钛矿吸光层表层转化为二维钙钛矿薄膜，即上封装层。本发明通过在钙钛矿吸光层与电子传输层之间形成含氯的五氧化二铌薄膜，使得钙钛矿结晶更贯穿，晶粒变大，缺陷态变小，减少碘离子迁移通道抑制碘离子迁移；正丁基溴化胺将三维钙钛矿吸光层表层转化为二维钙钛矿薄膜，使得钙钛矿吸光层表面缺陷减少，并使残余碘化铅变少，最终使钙钛矿光伏器件的光电性能及稳定性显著提升。
一种器件封装方法

[发明专利]促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂以及方法-CN201810362288.5在审
发明人：蒲年文;荆七一;李中江;冯少强 -专利权人：四川省川威集团有限公司;四川星明能源环保科技有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及冶金技术领域，具体而言，涉及一种促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂以及方法。促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂由促进钙钛矿析出的含钙析出剂和促进钙钛矿粗化的碳酸盐促进剂按照质量比为1‑3：1的比例制成。该添加剂成本低廉，该添加剂能有效增加钙钛矿的粒径，有效促进高钛型高炉渣中钛组分富集到钙钛矿相，并有利于钙钛矿析出。
钙钛矿相钙钛矿高炉渣高钛添加剂增大的析出碳酸盐冶金技术领域添加剂成本有效促进组分富集促进剂析出剂质量比粗化粒径

[发明专利]三层类钙钛矿结构铁电－铁磁功能复合体的新制备方法-CN02115948.3无效
发明人：张辉;方亮;袁润章;杨卫明;鄢俊兵;程海斌;安继明;刘韩星 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2002-06-10 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种三层类钙钛矿结构铁电－铁磁功能复合体的新制备方法。它是利用化学反应,合成三层类钙钛矿结构铌(钽)酸盐AB2M3O10(A=K,Na,Li,Rb,Cs及其复合离子;B=Sr,Ba,Ca,Pb及其复合离子;M=Nb,Ta及其复合离子)。经酸处理、有机胺插层后,通过共沉淀法在层间形成铁氧体MFe2O4,得到三层类钙钛矿结构铁电层与铁氧体交替排列的铁电－铁磁功能复合体。
三层类钙钛矿结构功能复合体制备方法

[发明专利]一种冶炼铌铁并富集稀土和钛的方法-CN202310050701.5在审
发明人：张波;刘承军;梁玉东;姜茂发 -专利权人：东北大学
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C22B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种冶炼铌铁并富集稀土和钛的方法，其包括：S1、提供含铌、钛、稀土和铁的共伴生矿或冶金渣；S2、添加改质剂和硅质还原剂，高温熔炼还原后，得到分层的铌铁合金熔体和含稀土、钛的炉渣；S3、将所述含稀土、钛的炉渣控温冷却至室温，使炉渣中的稀土和钛在钙钛矿相中定向析出并长大；S4、将冷却后的炉渣破碎磨细，通过浮选得到富含稀土的钙钛矿精矿。本发明利用硅质还原剂进行含稀土、铌、钛、铁的共伴生矿或冶金渣中多种金属元素的选择性还原，在高温熔融状态下选择性还原物料中的铁氧化物和铌氧化物，避免了钛氧化物和稀土氧化物的还原，成功冶炼了铌铁合金熔体，得到高品位铌铁合金熔体和高品位富含稀土的钙钛矿精矿
一种冶炼富集稀土方法

[发明专利]一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法-CN201610916238.8有效
发明人：杨明辉;李悦;熊锋强;万里鹏;焦雨桐 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：采用惰性气氛退火处理钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体SrNbO
一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法

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