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- [发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202111665730.X在审
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陈海燕;蒋方丹;吴坚
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嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
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2021-12-30
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2023-07-11
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H01L31/0224
- 本发明公开了一种异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制备异质结电池的主体结构，主体结构的表层为透明导电膜层；在透明导电膜层上形成金属种子层；在金属种子层上形成掩膜；在金属种子层上形成电极区域；在电极区域形成金属电极。这样，通过在金属种子层上形成有掩膜，且在金属种子层上形成有电极区域，金属电极适于构建在电极区域内，由于电极区域设置于在金属种子层上，以使金属电极适于与主体结构进行连接。此外，在异质结电池的生产过程中未使用有机物，以使异质结电池的生产过程中所产生的有机废水得到降低甚至消除，从而节省对有机废水进行处理时所消耗的资源，降低异质结电池的生产成本。
- 异质结电池制备方法
- [发明专利]利用化学键结形成化合物磊晶层的方法及磊晶产品-CN201210218735.2有效
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徐国维
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林慧珍
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2012-06-29
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2014-01-15
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H01L21/205
- 本发明是一种利用化学键结形成化合物磊晶层的方法及磊晶产品，该方法包括：在一基材载板上形成一接触层；使该接触层表面的该非金属原子形成非金属离子，并使该非金属离子与该接触层表面的原子相互结合，形成一不饱和离子键结层；激发该非金属离子，使尚未与该接触层表面的原子相互结合的其它键结成为悬空键结；导入有机金属化合物及反应气体，令该有机金属化合物的金属离子能均匀地与该悬空键结相结合，并使反应气体的阴离子以离子键结的方式与该金属离子相结合故不仅能降低磊晶障壁，更能导引有机金属化合物的金属离子与该悬空键结均匀地结合。再者，其键结强度远大于传统的物理接触方式，故能有效避免各层分离剥落。
- 利用化学键形成化合物磊晶层方法产品
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