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[发明专利]一种有机电致发光元件及其制作方法-CN200710064862.0无效
发明人：李大勇;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及有机电致发光元件技术领域，公开了一种有机电致发光元件，包括阴极层和阳极层，以及夹在阴极层与阳极层之间的至少一层有机化合物薄膜，还包括一金属氧化物薄膜层，位于阳极层与有机化合物薄膜层之间，紧邻阳极层本发明同时公开了一种制作有机电致发光元件的方法，该方法包括：A、在阳极衬底上制作纳米级的金属氧化物薄膜层；B、对制作的金属氧化物薄膜层进行彻底氧化处理；C、在氧化后的金属氧化物薄膜层上制作有机化合物薄膜层；D、蒸镀金属阴极并封装。
一种有机电致发光元件及其制作方法

[实用新型]一种低成本柔性薄膜太阳能电池前电极-CN202122887462.8有效
发明人：姚婷婷;马立云;李刚;沈洪雪;王天齐;彭赛奥;杨扬;金克武;徐佳馨;王金磊;苏文静;甘治平 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低成本柔性薄膜太阳能电池前电极，包括柔性基底，其特征在于：在柔性基底上，从下至上依次设有金属氧化物薄膜一、合金薄膜、金属薄膜、金属氧化物薄膜二；所述金属氧化物薄膜一的厚度为20～50nm、合金薄膜的厚度为0.1～1nm、金属薄膜的厚度为3～11nm、金属氧化物薄膜二的厚度为20～50nm。
一种低成本柔性薄膜太阳能电池电极

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921788743.4有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的至少一个金属氧化物薄膜晶体管和至少一个低温多晶硅薄膜晶体管；金属氧化物薄膜晶体管包括依次设置的金属氧化物半导体图形、栅极绝缘层、第一栅极、金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层和栅极绝缘层上设有第一过孔，第一源极和第一漏极分别通过第一过孔而与金属氧化物半导体图形接触；低温多晶硅薄膜晶体管包括依次设置的低温多晶硅半导体图形、栅极绝缘层、第二栅极、以及金属氧化物保护层，在所述金属氧化物保护层和栅极绝缘层上设有第二过孔
阵列显示面板

[发明专利]一种溶胶‑凝胶法制备金属氧化物水处理膜的方法-CN201710486431.7在审
发明人：马军;吕东伟;赵雨萌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：一种溶胶‑凝胶法制备金属氧化物水处理膜的方法，本发明涉及水处理技术领域，具体涉及采用溶胶‑凝胶法合成金属氧化物薄膜。本发明要解决采用传统固相烧结法制备金属氧化物膜需要超过1000℃高温，难以控制操作的技术问题。方法一、制备溶胶；二、处理不锈钢网；三、将溶胶旋涂在不锈钢网上；四、将镀膜后的不锈钢网放入马弗炉中煅烧得到金属氧化物薄膜。采用溶胶‑凝胶法制备金属氧化物薄膜具有合成温度低、操作方便、制备成本低等特点，并且对于特征金属氧化物薄膜其除具有膜本身的截留过滤特性外还具有催化性、磁性等特征。
一种溶胶凝胶法制金属氧化物水处理方法

[发明专利]电子传输薄膜及制备方法、光电器件及显示装置-CN202210067994.3在审
发明人：范嘉城 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请涉及电子传输薄膜及制备方法、光电器件及显示装置，电子传输薄膜的材料为金属氧化物，该制备方法包括：提供金属氧化物溶液，金属氧化物的表面含有有机配体，有机配体包括主链的碳原子数大于或等于8的第一有机配体，提供基板，并在基板表面的方向施加一电场，电场方向与基板表面的垂线之间的夹角为‑45°～45°，将金属氧化物溶液设置在基板上，以得到电子传输薄膜，通过在金属氧化物溶液中添加第一有机配体，有助于增加金属氧化物纳米粒子之间的距离，使得其更稳定的存在溶液中，且在基板表面的方向施加一电场时，外部电场能极化有机配体中极性分子的偶极矩，从而调节整个电子传输薄膜的电子迁移率。
电子传输薄膜制备方法光电器件显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201410360479.X在审
发明人：包智颖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、一种阵列基板和一种显示装置。所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层的材质为缺氧相金属氧化物纳米薄膜。有源层采用缺氧相金属氧化物纳米薄膜，缺氧相金属氧化物的氧空位的存在使得金属阳离子周围的电子密度增加，进而造成在离氧化物导带边缘的下方很近处形成类似于施主态的能级，使得其禁带宽度减小，载流子需要较低的能量就可以产生跃迁，另外，由于纳米薄膜具有较大的比表面积和高表面能，氧空位很容易暴露在纳米颗粒表面，因此，采用缺氧相金属氧化物纳米薄膜作为有源层，使得载流子具有高的迁移率，进而可以提高薄膜晶体管的响应速度。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜的方法-CN202010040093.6在审
发明人：胡荣;柳红东;刘玉荣 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤，前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中，充分搅拌溶解12h，再陈化2~4h制得前驱液；氧化物薄膜制备具体是将制备好的前驱液通过旋涂或喷涂方式于基板表面制备湿膜，并通过热退火处理制得金属氧化物薄膜。以较低浓度进行配制前驱液，前驱液可放置长达10天以上不失效；不使用有机溶剂，利于前驱液有效回收；制备的薄膜与基板结合能力强，表面缺陷少，有效利用低浓度前驱液制备出均匀性、致密性优异的金属氧化物薄膜，制备的薄膜使用稳定性好
一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜方法

[发明专利]一种金属氧化物薄膜的制备方法-CN201710192874.5有效
发明人：单福凯;孟优;郭子栋;刘奥;刘国侠 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种金属氧化物薄膜的制备方法，尤其是一种金属氧化物高介电常数(简称高K)薄膜和金属氧化物半导体薄膜的制备方法，采用纳米尺寸热物理效应和静电纺丝法相结合的工艺，用于金属氧化物高K介电薄膜制备及薄膜晶体管制备场合，解决传统金属氧化物薄膜制备成本昂贵，工艺复杂，难以工业化生产或者成膜质量低，可靠性差的难题，实现低成本且工业化生产，其整体工艺简单，原理可靠，成膜质量高，制备时间短，能够实现工业化生产，制备的薄膜晶体管性能高，稳定性好，成本低，应用前景广阔，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。
一种金属氧化物薄膜制备方法

[发明专利]钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜电极材料及其制备方法-CN200610089091.6无效
发明人：杨文胜;王毅;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种高取向钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜电极材料及其制备方法，属于薄膜超级电容器电极材料及其制备技术领域。该薄膜电极材料是由钴铝双羟基复合金属氧化物的纳米片平行于导电基片层层堆积而成，层间有阴离子平衡电荷。该薄膜电极材料的制备方法是：将甘氨酸插层的钴铝双羟基复合金属氧化物在甲酰胺中进行剥层，获得钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片溶胶，然后将该溶胶浇注到预先处理好的表面带负电荷的导电基片上，通过蒸发溶剂制备出钴铝双羟基复合金属氧化物纳米片薄膜优点在于：该薄膜可以用作薄膜超级电容器的电极材料，比电容高、倍率特性好、电化学循环性能佳。
钴铝双羟基复合金属氧化物纳米薄膜电极材料及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制备方法-CN202010388320.4有效
发明人：李金明 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本揭示实施例提供一种薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制备方法，薄膜晶体管基板包括衬底及有源层，其中，有源层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，且所述第一金属氧化物为P型半导体材料，第二金属氧化物为N型半导体材料本揭示实施例获得到的薄膜晶体管具有较大的电子迁移率，同时其漏电电流较小，获得的设备具有较高的显示质量以及综合性能。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法-CN201210430697.7无效
发明人：朱星宝;刘美林;关成志;吕喆;魏波;黄喜强;张耀辉;苏文辉;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低，不能满足实际应用的技术问题。本发明提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法：一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液，二、施加电场并挥发溶剂，三、烧结。本发明应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。
多孔基底材料制备致密金属氧化物薄膜方法

[发明专利]一种多元金属氧化物薄膜及其制备方法与应用-CN202111628240.2在审
发明人：刘德宇;况永波;修浩;安娜;周扬 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元金属氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将凝胶剂、至少两种不同的金属阳离子、氨水、表面活性剂与成膜剂混合形成溶胶，其中，所述凝胶剂包括柠檬酸；以及，采用超声喷雾的方式，将所述溶胶施加于基底表面，之后于100℃～500℃退火处理2～120min，制得多元金属氧化物薄膜。本发明提供的多元金属氧化物薄膜的制备方法操作简单、低成本、安全、高效，可以在温和条件下制备多元金属氧化物薄膜；同时制备的多元金属氧化物薄膜具有高覆盖率、良好的结晶度和丰富的孔隙结构，并通过调整工艺参数来调控薄膜表面孔径大小和孔隙率
一种多元金属氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN201911013083.7在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
金属氧化物薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管阵列基板显示面板衬底基板大尺寸显示面板第二区域第一区域技术瓶颈间隔设置像素电极分区域有效地功耗制作兼容驱动应用

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921788052.4有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本实用新型实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
阵列显示面板

[发明专利]一种氧化物组合薄膜制备方法-CN202110196155.7在审
发明人：吴宝嘉;王帅;顾广瑞;张宇巍;冯慧东 -专利权人：延边大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明适用于材料技术领域，提供了一种氧化物组合薄膜制备方法，氧化物组合薄膜包括层叠设置的基底、第一金属氧化物层、涂覆层以及第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层由改性纳米Si(NO3)2制成；所述涂覆层由卤氧化铋制成；所述第二金属氧化物层材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3；所述卤氧化铋包括以下成分、十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、硼氢化钠、乙醇；本发明实施例通过形成改性纳米Si(NO3)2制备的第一金属氧化层、卤氧化铋制备的涂覆层和第二金属氧化层，所制成的氧化物组合薄膜不仅导电性能更好，具有良好的发展前景。
一种氧化物组合薄膜制备方法