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[发明专利]一种量子阱红外焦平面阵列及其制作方法-CN200910041873.6无效
发明人：孙鲁;江灏 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子阱红外焦平面阵列，其包括衬底、置于该衬底正面的由量子阱红外探测器单元组成的量子阱红外探测器阵列、置于该衬底背面的读出电路阵列，所述量子阱红外探测器阵列和背面读出电路阵列通过上电极引线和下电极引线互联，在所述量子阱红外探测器阵列中相邻的量子阱红外探测器单元列与列之间还设有红外光反射镜台。本发明利用在量子阱红外焦平面阵列中所设计的红外光反射镜台，将垂直入射的红外光信号反射为与量子阱红外探测器单元上表面平行的红外光信号。本发明同时公开了一种量子阱红外焦平面阵列的制作方法。本发明的量子阱红外焦平面阵列采用正面入射方式实现红外光信号的探测，能有效吸收红外光信号、加工工艺简便。
一种量子红外平面阵列及其制作方法

[发明专利]镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器-CN200610148069.4无效
发明人：陆卫;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;陈效双;李志锋 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
镓砷铝镓砷甚长波量子红外探测器

[发明专利]基于GaN基多量子阱材料的堆栈光电探测器及其制备方法-CN202010730546.8在审
发明人：周欣璇;施政;谢明远;王永进 -专利权人：南京亮芯信息科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了基于GaN基多量子阱材料的堆栈光电探测器，包括若干个p‑n量子阱器件制成的串联堆栈光电探测器和并联堆栈光电探测器、混联堆栈光电探测器，每一个p‑n量子阱器件包括从上往下依次设置的p‑电极、p‑GaN层、多量子阱层、n‑GaN层和n‑电极；串联堆栈光电探测器由p‑n量子阱器件的不同电极金属键合连接制成；并联堆栈光电探测器由至少两个p‑n量子阱器件的同电极金属键合连接制成，混联堆栈光电探测器是在串联堆栈光电探测器与并联堆栈光电探测器连接位置之间加入金箔层和电子阻隔层制成本发明的堆栈光电探测器以及制备方法，易于集成，降低了光损耗，提高了探测响应的速度，阈值广，提高了光电探测器精度。
基于 gan 基多量子材料堆栈光电探测器及其制备方法

[发明专利]光伏型多量子阱红外探测器-CN200710171387.7无效
发明人：陆卫;王文娟;甄红楼;李天信;陈平平;张波;李宁;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
光伏型多量红外探测器

[发明专利]一种氮化物量子阱红外探测器及其制备方法-CN201510127695.4有效
发明人：王新强;荣新;沈波;陈广;郑显通;王平;许福军;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。
一种新型氮化物量子红外探测器及其制备方法

[发明专利]共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器-CN200610148068.X有效
发明人：陆卫;殷菲;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;陈效双;李志锋 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。
共振增强铟镓砷量子红外探测器

[发明专利]一种多频段探测的量子阱探测器及其制造方法-CN201710498919.1有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种多频段探测的量子阱探测器及其制造方法，所述探测器包括衬底、反射层、反射腔室、固体填充层、谐振腔、N个量子阱单元以及位于每个量子阱单元上的上电极和下电极，所述固体填充层沉积在衬底上方，所述N个量子阱单元位于所述固体填充层之上，所述量子阱单元包括能障层和能阱层，且至少有两个量子阱单元中的能阱层不同，所述反射层和对应的量子阱单元之间的固体填充层为该量子阱单元对应的谐振腔，且所述谐振腔的高度为入射到其正上方的量子阱单元中的入射光波长的本发明提供的一种多频段探测的量子阱探测器，可以同时实现多频段红外光的探测，也可以提高入射光吸收率。
一种频段探测量子探测器及其制造方法

[发明专利]一种太赫兹量子级联激光器光学拍频信号检测系统及方法-CN201710118849.2有效
发明人：黎华;万文坚;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G01R23/17 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹量子级联激光器光学拍频信号检测系统及方法，其中，检测系统包括：太赫兹量子阱探测器，用于探测太赫兹量子级联激光器发射的太赫兹多模激光以及光学拍频信号，并转化成电信号；离轴抛面镜组，用于汇聚激光器产生的太赫兹多模激光并将其引导至太赫兹量子阱探测器；探测器直流源，用于向太赫兹量子阱探测器输出直流；T型偏置器，用于将所述探测器直流源输出的直流偏置提供给所述太赫兹量子阱探测器，并耦合出探测器检测到的光学拍频信号；与放大器，用于对T型偏置器耦合出的光学拍频信号进行放大本发明可以有效地表征太赫兹量子级联激光器光学拍频信号的频谱特性。
一种赫兹量子级联激光器光学拍频信号检测系统方法

[发明专利]一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法-CN201710498996.7有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制造方法，其中，量子阱红外探测器包括衬底、掺杂衬底、量子阱单元、谐振腔、上电极、上电极连接层和下电极，所述上电极覆盖在所述衬底的上方，所述谐振腔位于所述上电极和量子阱单元的中间，且高度为入射光波长的1/4，所述量子阱单元和所述上电极在谐振腔之外区域连接，所述量子阱单元的上方为掺杂衬底，所述下电极安装在掺杂衬底上方，其中通过离子注入工艺形成掺杂衬底。本发明提供的量子阱红外探测器在量子阱单元和衬底之间增加了谐振腔，并且谐振腔的高度为入射光波长的1/4，刚好使得从量子阱单元透射到衬底中的透射光被抵消掉，提高了量子阱红外探测器的光吸收率。
一种提高吸收率量子红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法-CN201510755793.2有效
发明人：张戎;曹俊诚;邵棣祥 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法，所述宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器包括衬底、下电接触层、第一多量子阱层、中电接触层、第二多量子阱层以及上电接触层。本发明具有以下有益效果本发明的太赫兹量子阱光电探测器具有非常宽的响应谱，单个器件即可有效覆盖1.5~8 THz频率范围，半高宽达2.84 THz，比现有普通太赫兹量子阱光电探测器提升约89%。
一种响应赫兹量子光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种具有高吸收率的双波段量子阱红外探测器-CN201820847725.8有效
发明人：武阳;李平舟;刘红梅 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种具有高吸收率的双波段量子阱红外探测器，包括：第一接触层，第一接触层的背面具有金属反射层，第一接触层的正面具有第一量子阱单元和第一电极，第一量子阱单元上具有公共接触层，公共接触层上具有第二量子阱单元和公共电极，第二量子阱单元上具有第二接触层，第二接触层上具有金属耦合光栅结构和第二电极，金属耦合光栅结构上具有石墨烯层；本实用新型中的量子阱红外探测器的吸收效率不仅相较于传统的量子阱红外探测器得到了大大地提高，而且还能实现中波频段和长波频段的红外光的探测，在实际环境中具有较大的应用价值；适用于半导体光电探测器领域。
接触层量子阱红外探测器量子阱本实用新型高吸收率公共接触耦合光栅双波段频段红外光半导体光电探测器长波金属金属反射层第二电极第一电极公共电极石墨烯层实际环境吸收效率传统的背面探测应用

[发明专利]自放大红外探测器-CN200510029982.8无效
发明人：陆卫;刘昭麟;陈平平;周旭昌;李宁;张波;甑红楼;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs\GaAs\AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系
放大红外探测器

[发明专利]一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器-CN201810598277.7有效
发明人：李宁;郑元辽;陈平平;李志锋;杨贺鸣;周玉伟;唐舟;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。
一种基于共振效应 gaas 基双色量子红外探测器

[实用新型]基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器-CN201820908870.2有效
发明人：李宁;郑元辽;陈平平;李志锋;杨贺鸣;周玉伟;唐舟;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。
共振双色量子阱红外探测器量子阱源区层探测器双色红外量子阱探测器量子阱探测器器件制备工艺二极管结构分子束外延选择性通过二极管偏压方向下电极层响应产生重大意义传统的电极层负偏压光电流波段衬底制备探测生长响应

[发明专利]量子放大的p型量子阱红外探测器-CN200810036257.7无效
发明人：陆卫;王旺平;侯颖;李天信;陈平平;张波;甄红楼;李宁;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子放大的p型量子阱红外探测器。该探测器包括：量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层。其特征是：p型量子阱有源层集成在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层上。其核心机理为利用p型量子阱有源层进行中、长波红外吸收，产生的空穴由共振隧穿二极管的双势垒附近的量子点俘获，引起共振隧穿电流的强烈变化，从而使得本发明的器件兼有量子点共振隧穿二极管的高量子放大倍率和p型量子阱探测器的正入射红外波段响应能力克服了制约量子阱红外探测器应用性能的二个关键问题，即正入射禁戒和量子效率低。
量子放大红外探测器

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