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[发明专利]一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法-CN201310128455.7有效
发明人：金湘亮;陈长平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2013-04-13 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其步骤是：在P衬底上注入形成N阱和P阱，在N阱内制作环形栅PMOS结构（P阱包围N阱），或在P阱内制作环形栅NMOS结构（N阱包围P阱），在N阱和P阱之间形成侧向环形PN结光电二极管结构。制作出的光电探测器结合了光栅晶体管噪声低、频谱响应范围宽，光电二极管指数型大电流的特点，实现高动态范围、高响应灵敏度、低噪声的光电探测。
一种芯片集成用硅基复合增强光电探测器制作方法

[发明专利]量子密钥分发系统的数据后处理方法-CN201510500542.X有效
发明人：马雄峰;赵琦 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子密钥分发系统的数据后处理方法，包括以下步骤：分别探测发送方发射的多个信号；根据信号的数量和多个信号的数量得到第一探测器的探测效率和第二探测器的探测效率；根据第一探测器的探测效率和第二探测器的探测效率得到安全的密钥，或者，根据第一探测器的探测效率、第二探测器的探测效率得到安全的密钥、相位误码和比特误码得到安全的密钥。本发明实施例的处理方法通过两种不同的方案得到安全密钥，其中包括没有误码率的理想情况和有误码的实际情况，从而可以更好地保证量子密钥分发系统的安全性，改善现有的量子密钥分发处理方法，提高用户的使用体验。
探测效率量子密钥分发系统第二探测器第一探测器密钥数据后处理误码量子密钥分发安全密钥比特误码发送方误码率安全探测发射保证

[发明专利]基于量子点的成像探测器-CN201680046421.5有效
发明人： M·A·查波;D·匹托克 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：一种成像系统(100)的辐射探测系统包括辐射敏感探测器阵列(112)。所述阵列包括具有光学透明封装材料(114)的探测器像素，所述光学透明封装材料具有支撑一种或多种不同闪烁材料(118)的一个或多个颗粒(116)，其中，每种闪烁材料是纳米至微米量子点的形式。一种方法包括：利用探测器像素接收辐射，其中，所述探测器像素包括具有一个或多个量子点的封装，其中，所述量子点中的每个包括闪烁材料；利用所述探测器像素生成指示所接收的辐射的信号；并且重建所述信号以构建图像。
基于量子成像探测器

[发明专利]基于光量子通信技术的深空探测通信系统-CN201210533006.6有效
发明人：叶晖;张伟;舒适;张红英;张建刚 -专利权人：上海卫星工程研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于光量子通信技术的深空探测通信系统，包括：若干深空探测器、地球轨道卫星和地面站，深空探测器上设置有量子信息发送分系统，地球轨道卫星上设置有量子通信接收站，量子通信接收站分别与量子信息发送分系统和地面站通信连接；量子信息发送分系统与量子通信接收站之间进行量子通信，将深空探测器探测到的科学探测数据转换成光量子信号发送至量子通信接收站，量子通信接收站接收光量子信号，对光量子信号进行信息解码将光量子信号还原为数字信号本发明从根本上解决了传统经典通信方案的能耗问题，为深空探测任务提供了一种建立高速、宽带的通信链路的有效方法。
基于光量子通信技术探测系统

[发明专利]一种氧化锌量子点增强的紫外探测器及其制备方法-CN201611082033.0在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器及其制备方法，该石墨烯/氮化镓紫外探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、氮化镓层、硼掺杂石墨烯层及氧化锌量子点层，所述的紫外探测器还设有第一电极和第二电极其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积氮化镓层；然后将石墨烯转移至氮化镓层上；在硼掺杂石墨烯层上制备氧化锌量子点层；最后在硼掺杂石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得紫外探测器。本发明的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器利用氧化锌量子点引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/氮化镓紫外探测器。
一种氧化锌量子增强紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其制备方法-CN201611082048.7在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器及其制备方法，该石墨烯/碲镉汞红外探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲镉汞层、石墨烯层及砷化镓量子点层，所述的红外探测器还设有第一电极和第二电极其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲镉汞层；然后将石墨烯转移至碲镉汞层上；在石墨烯层上制备砷化镓量子点层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得红外探测器。本发明的砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器利用砷化镓量子点引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲镉汞红外探测器。
一种砷化镓量子增强红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种碳量子点增强的光电探测器及其制备方法-CN201611109564.4在审
发明人：庄爱芹 -专利权人：庄爱芹
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器及其制备方法，该硅化锗/锡化锗光电探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、锡化锗层、硅化锗层及碳量子点层，所述的光电探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上其制备方法如下先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积锡化锗层；然后将硅化锗沉积至锡化锗层上；在硅化锗层上制备碳量子点层；最后在硅化锗层及导电镀膜层上分别制作电极，获得光电探测器。本发明的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器利用碳量子点引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的硅化锗/锡化锗光电探测器。
一种量子增强光电探测器及其制备方法

[发明专利]微动目标探测系统及方法-CN202111238420.X在审
发明人：孙腾;徐颖;彭月;赵康;王静;陈红;苏必达;王景峰 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01S7/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种微动目标探测系统及方法，该微动目标探测系统包括：量子态激光器、微动模拟系统和激光探测器；其中，所述微动模拟系统包括控制部和用于承载目标的转动部；所述控制部，用于根据所需模拟的微动状态驱动所述转动部转动，所述转动部在转动时带动所述目标按照所需模拟的微动状态转动；所述量子态激光器，用于输出量子态激光，所述量子态激光可照射到所述目标上；所述量子态激光器与所述目标的距离恒定，且该距离不超过输出量子态激光可被探测的最大距离；所述激光探测器，用于探测由所述目标与所述量子态激光作用后的回波，所述激光探测器与所述目标的距离恒定。本方案，能够提高对微动目标的探测精度。
微动目标探测系统方法

[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法-CN201910588485.3有效
发明人：宋波;刘梦婷;王先杰;姚泰;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p‑n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p‑n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
一种紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于复合结构的石墨烯-量子点双色光探测器及其制备方法-CN201810254366.X有效
发明人：王军;朱瑶瑶;潘锐;苟君;陈超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于光探测器技术领域，具体涉及一种基于复合结构的石墨烯‑量子点双色光探测器及其制备方法。针对现有的石墨烯‑量子点混合光探测器由于量子点对光的吸收波段的限制，导致了一个探测器只能检测波长为较窄范围内的光的缺陷，本发明的技术方案是：由下至上由金属衬底、绝缘层Ⅰ、石墨烯Ⅰ、量子点Ⅰ、介质层、石墨烯Ⅱ、量子点Ⅱ和绝缘层Ⅱ共八层层状结构构成，所述量子点Ⅰ两侧分别设置有两个电极Ⅰ，两个电极Ⅰ分别作为源电极和漏电极；所述量子点Ⅱ两侧分别设置有两个电极Ⅱ，两个电极Ⅱ分别作为源电极和漏电极；所述量子点Ⅰ和量子点Ⅱ分别采用两种量子点材料制作。
一种基于复合结构石墨量子色光探测器及其制备方法

[发明专利]一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺-CN202111114969.8有效
发明人：邓文娟;朱斌;邹继军;彭新村;朱志甫;王壮飞;周甜 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱层上，P型发射层制作在P型上帽层上，其中多量子阱层由I型势垒层、I型势阱层组成，多量子阱层为20周期，其结构是通过MOCVD进行制备。本发明可以同时探测紫外和近红外双波段，同时具有“日盲”的特性；可以通过调节不同的外延层组分或者势阱层厚度来选择不同的探测波段；与此同时有较快的时间响应，灵敏度高，量子效率高，且有较好的波段选择性，可探测微弱信号，探测成本低等。
一种 algan gan 量子红外紫外探测光电阴极及其制备工艺

[发明专利]一种通过随机改变它们的有效性用于检测控制量子密码装置中单光子探测器的攻击的设备及方法-CN201180055059.5有效
发明人：马修·勒格瑞;格雷戈瑞·瑞博迪 -专利权人： ID量子技术股份有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种显露攻击企图的设备和方法，所述攻击企图既包括施加在量子密码系统的单光子探测器上的攻击企图，也包括施加在量子密码设备的特洛伊木马攻击企图，所述量子密码设备含有至少一个单光子探测器。这两种攻击探测都依赖于随机改变所述单光子探测器中的设定参数、以及比较每个设定参数的测量的探测概率值与预期的探测概率值。单光子探测器修改的参数可以是例如它的有效性或它的激活计时。
一种通过随机改变它们有效性用于检测控制量子密码装置光子探测器攻击设备

[发明专利]X射线散射估计-CN202280012408.3在审
发明人： E·拉胡德 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01T1/164 文献下载
摘要：一种X射线探测器(100)包括：X射线探测器元件(130i,j)的像素化阵列(110)，其被配置为根据表示接收到的X射线量子的探测事件来确定所述接收到的X射线量子的探测时间；以及处理器(120)，其基于由所述像素化阵列(110)中的相邻X射线探测器元件(130i,j、130i,j(a..h))在彼此的预定时间间隔内探测到的探测事件对的计数来估计由所述X射线探测器元件(130i,j)接收的散射X射线量子的量。
射线散射估计

[发明专利]硅基Si/Si1-x-CN201811617182.1在审
发明人：孙芳魁;赵永红 -专利权人：哈尔滨工大华生电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：硅基Si/Si1‑xGex量子阱APD,本发明属于探测器领域，其中包括P+衬底（1），P+衬底（1）上外延10微米P‑base:Sub>1‑xGex量子阱结构base:Sub>1‑xGex量子阱结构上方外延base:Sub>1‑xGex量子阱结构加入base:Sub>1‑xGex量子阱红外探测
硅基 si base sub

[发明专利]光电探测器-CN201910594827.2在审
发明人：罗文勋;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：提供一种光电探测器。光电探测器包括设置在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱。在半导体衬底中在第一阱的一侧上设置有具有第二掺杂类型的第二阱，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。在半导体衬底中设置有具有第二掺杂类型的第一经掺杂埋入区，其中第一经掺杂埋入区在第一阱及第二阱之下在横向上延伸穿过半导体衬底。在半导体衬底中在垂直方向上在第一经掺杂埋入区与第一阱之间设置有具有第二掺杂类型的第二经掺杂埋入区，其中第二经掺杂埋入区接触第一阱，使得沿第二经掺杂埋入区及第一阱存在光电探测器p‑n结。
光电探测器