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[发明专利]通过原子层沉积形成的电荷俘获层-CN201710300524.6有效
发明人：汤福;谢琦;J·W·梅斯;蒋晓强;M·E·吉文斯 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积形成的电荷俘获层。本申请公开了一种用于形成适用于V‑NAND堆叠体的层的方法。具体地说，为了形成氮氧化物层，所述方法可以包括用于形成氧化物和氮化物的多重循环。
通过原子沉积形成电荷俘获

[发明专利]通过伪随机层映射的物理层安全-CN201980100898.0在审
发明人： P·塞西尔;K·S·J·拉杜;L·罗斯;F·雅德尔 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H04B7/0413 文献下载
摘要：用于通过伪随机层映射的物理层安全的系统、方法、装置和计算机程序产品。
通过随机映射物理层安全

[发明专利]通过层转移制造结构的方法-CN200880106202.7有效
发明人： B·苏利耶布歇;S·凯尔迪勒;W·施瓦岑巴赫 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过将施主衬底(30)的层(32)转移到接受衬底(10)来制造半导体结构的方法，所述方法包括如下步骤：(a)在施主衬底(30)中生成脆化区(31)，以便限定前述层(32)，(b)处理施主衬底，以便增大两个衬底之间的键合强度，(c)使施主衬底(30)直接晶片键合到接受衬底(10)，(d)在脆化区(31)中分离施主衬底(30)，以便形成所述半导体结构，其中接受衬底的表面除周边的冠以外均被转移层(
通过转移制造结构方法

[发明专利]通过三层网络连接二层域-CN201380005373.1有效
发明人：维克托·莫瑞诺;德哈南杰伊·饶;桑杰伊·塞恩;塞米尔·蒙谢特;哈斯米特·格罗福尔 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G06F15/16 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括为第一二层数据中心中的三层路由器建立地址解析缓存，其中，所述地址解析缓存包括多个条目，每个条目包含主机网络地址、主机硬件地址、以及为主机服务的交换机的交换机标识符；在第一二层数据中心内拦截地址解析洪泛
通过三层网络连接二层域

[发明专利]通过原子层沉积组合的自成形阻挡层和晶种层-CN202180046987.9在审
发明人：基莱·乔丹·布莱克内;耶兹迪·多尔迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：集成电路(IC)中的导电结构包括填充有金属的在介电层中的凹陷特征。所述凹陷特征包括保形的、自形成的扩散阻挡层和晶种层，以限制金属氧化成将扩散通过电介质的离子。自形成的扩散阻挡层和晶种层也可形成能够通过酸性溶液去除的表面氧化物层。
通过原子沉积组合成形阻挡晶种层

[发明专利]通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积共形膜-CN201610206201.6有效
发明人：米卡尔·达内克;乔恩·亨利;谢恩·唐 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积保形膜。提供了用于在原子层沉积过程中使用含卤素的蚀刻剂沉积共形膜的方法。
通过原子沉积蚀刻共形膜

[发明专利]通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜-CN201310101501.4无效
发明人： P.F.卡西亚;R.S.麦克莱恩 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜。具体地说，气体渗透阻挡层可通过原子层沉积法(ALD)沉积在塑料或玻璃基材上。ALD涂层的使用可在低浓度的涂层缺陷下，以数十纳米厚度降低许多量级的渗透率。
通过原子沉积形成塑料基材阻挡

[发明专利]通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜-CN200480013439.2无效
发明人： P·F·卡西亚;R·S·麦克莱恩 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：气体渗透阻挡层可通过原子层沉积法(ALD)沉积在塑料或玻璃基材上。ALD涂层的使用可在低浓度的涂层缺陷下，以数十纳米厚度降低许多量级的渗透率。这些薄涂层保护了塑料基材的柔韧性和透明性。
通过原子沉积形成塑料基材阻挡

[发明专利]通过覆盖集成层形成电路的方法-CN200810167076.8有效
发明人：托马斯·彼得·布罗迪 -专利权人：阿德文泰克全球有限公司
申请日： 2008-10-08 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种通过覆盖集成层形成电路的方法。在该形成电路组件的方法中提供了基板，该包括多个构成电路的第一部分。第一部分的表面比形成所述电路的其他部分的表面高。通过真空中的一种或多种阴影掩模汽相沉积工艺在基板上沉积所有的部分。通过在真空中进行阴影掩模汽相沉积工艺在第一部分的暴露表面上沉积第二部分，使之达到已磨除的光致抗蚀剂的顶部表面的高度。
通过覆盖集成形成电路方法

[发明专利]通过压缩粉碎料层的磨机-CN201580054730.2有效
发明人：埃里克·埃代特;阿兰·科东尼厄 -专利权人：法孚斯弗克布公司
申请日： 2015-10-07 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B02C15/06 文献下载
摘要：通过压缩粉碎料层的磨机(1)，包括：横轴圆筒(2)，其内壁具有粉碎辊(3)的轨道，位于所述圆筒内、驱动圆筒围绕其轴旋转的装置，其旋转速度使材料向外旋转、所述粉碎辊(3)，把所述粉碎辊压在所述圆筒的轨道上的装置、位于圆筒一端以便供应待粉碎的材料的入口(7)以及位于所述圆筒另一端的粉碎材料的出口(8)、控制材料运动的装置，使得每次旋转时材料仅在圆筒一小部分长度上行进，并且在达到到达出口前数多次通过圆筒与辊子之间
通过压缩粉碎

[发明专利]通过气体调温的床垫加热层-CN201710465536.4有效
发明人：倪文彬;丁传林 -专利权人：湖北省海舍创享健康智能科技有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A47C27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过气体调温的床垫加热层，包括支撑层和设置在支撑层内中部的两块主功能层。本发明的有益效果：从根本上解决了床垫的温度和湿度的问题，让身体一直处在一个合适的状况下进行睡眠。
通过气体调温床垫加热

[实用新型]通过气体调温的床垫加热层-CN201720712361.8有效
发明人：倪文彬;丁传林 -专利权人：湖北省海舍创享健康智能科技有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： A47C27/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过气体调温的床垫加热层，包括支撑层和设置在支撑层内中部的两块主功能层。本实用新型的有益效果：从根本上解决了床垫的温度和湿度的问题，让身体一直处在一个合适的状况下进行睡眠。
通过气体调温床垫加热

[发明专利]通过外延层过成长的元件形成-CN200980136547.1有效
发明人：詹姆斯·费兰札;安东尼·罗特费尔德;白杰;朴志洙;珍妮佛·海翠克;李继忠;陈志源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。
通过外延成长元件形成

[发明专利]通过集成式金属层或重布层来形成天线-CN201911230065.4在审
发明人： O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本申请案涉及通过集成式金属层或重布层来形成天线。本发明揭示具有一体式天线的半导体装置的系统及制造方法。所述半导体装置包含衬底，所述衬底在所述衬底内具有多个金属层，其中所述多个金属层邻近于所述衬底的作用侧。天线结构形成于金属层中的一者上。所述天线结构可经配置以连接到外部装置。所述衬底可包含连接到所述衬底的所述作用侧的重布层。所述天线结构可形成于所述重布层中而非形成于所述金属层中的一者上。所述天线结构的面积可经配置以使得连接到所述天线结构的装置能够在通信网络上操作。
通过集成金属重布层来形成天线

[发明专利]通过非接入层的安全短消息服务-CN201880049594.1在审
发明人： S·奈尔;A·杰里肖;N·S·巴卡姆帕蒂 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H04W12/10 文献下载
摘要：使用加密密钥来加密短消息服务(SMS)消息，该加密密钥在用户设备和接入和移动性管理功能(AMF)处被存储，以及将经加密的SMS消息添加到非接入层(NAS)消息的有效载荷，该MAS消息包括NAS报头。
通过接入安全短消息服务

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