专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果14646960个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]选择吸收层及其制备方法-CN200780006506.1有效
  • 殷志强 - 殷志强
  • 2007-03-02 - 2009-03-18 - C23C14/14
  • 本发明涉及光选择吸收层及其制备方法,该光选择吸收层由在真空镀膜技术下铁铬合金与非金属气体反应沉积形成的复合材料薄膜构成,所述非金属气体优选为包含氮和氧元素的气体。本发明还涉及包含所述光选择吸收层的太阳能集热元件或太阳能选择吸收涂层体系及其制备方法,以及所述复合材料薄膜作为太阳能集热元件或太阳能选择吸收涂层体系的光选择吸收层的用途。
  • 选择性吸收及其制备方法
  • [发明专利]一种硅纳米柱阵列光电池的选择栅极及其制作方法-CN201310306868.X有效
  • 刘静;伊福廷 - 中国科学院高能物理研究所
  • 2013-07-22 - 2013-11-13 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种硅纳米柱阵列光电池的选择栅极及其制作方法,该选择栅极是覆盖在未被刻蚀纳米柱阵列的光电池表面,在除覆盖该选择栅极以外的光电池表面是被刻蚀形成的硅纳米柱阵列。该方法是采用紫外光刻技术、自组装氯化铯纳米岛技术与微加工的等离子体刻蚀技术来完成硅表面选择纳米织构化,经过热扩散的方法制作P-N结结构,再通过套刻对准技术及真空镀膜技术制作出纳米织构化光电池的选择栅极本发明提供的选择栅极,具有低成本和较强的工艺适应性能,在充分利用纳米织构化减小反射的特性的同时,还避免了前表面全部纳米织构化带来的欧姆接触不良的弊端,减小了串联电阻,增加欧姆接触,提高纳米织构化太阳电池的光电转换效率
  • 一种纳米阵列光电池选择性栅极及其制作方法
  • [发明专利]用于锂硫二次电池的离子选择隔膜及其制备与应用方法-CN201310412963.8有效
  • 黄佳琦;张强;彭翃杰;魏飞 - 清华大学
  • 2013-09-11 - 2016-11-02 - H01M2/16
  • 本发明属于离子选择膜技术领域,特别涉及一种用于锂硫二次电池的离子选择隔膜及其制备与应用方法。本发明利用离子选择材料或其复合结构作为锂硫电池隔膜材料,克服了原有锂硫电池中多硫化物在正负极间扩散带来的充放电效率较低以及电池性能稳定性较差的缺点。通过在锂硫电池电解液体系中选择透过锂阳离子、阻挡多硫化物阴离子透过,提高电池系统的整体电化学性能。针对原有隔膜体系仅提供正负极电子绝缘的功能单一型,本发明中的离子选择隔膜同时实现电子绝缘和离子选择导通两种功能,并有望为抑制多硫化物迁移等锂硫电池技术障碍提供新的解决方案,通过配合高容量正极材料使用
  • 用于二次电池离子选择性隔膜及其制备应用方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top