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[发明专利]选择性形成沟槽的方法-CN200910207745.4有效
发明人：朱品蒨;陈信琦;郑博伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性形成沟槽的方法。首先，提供基材。基材包含第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有掺杂剂。其次，进行湿蚀刻，以选择性在第二半导体元件周围的基材中形成一组沟槽、选择性对第一半导体元件进行第一源极/漏极离子注入，或是选择性对第二半导体元件进行第二源极/漏极离子注入。
选择性形成沟槽方法

[发明专利]导体纳米线的选择性形成-CN201410440487.5在审
发明人：彭兆贤;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。本发明还涉及导体纳米线的选择性形成。
导体纳米选择性形成

[发明专利]导体纳米线的选择性形成-CN202110378439.8在审
发明人：彭兆贤;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。
导体纳米选择性形成

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN201910938338.4在审
发明人： J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN202210891880.0在审
发明人： J.W.梅斯;M.E.吉文斯;S.P.霍卡;V.帕鲁丘里;I.J.拉伊杰马克斯;邓少任;A.伊利贝里;E.E.托伊斯;D.朗格里;C.德泽拉;M.图米恩 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供了选择性沉积的方法。材料相对于不同材料成分的第二表面选择性地沉积在基板的第一表面上。相对于第二表面，在第一表面上由气相反应物选择性地形成抑制剂，例如聚酰亚胺层。相对于第一表面，感兴趣的层从气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，诸如介电过渡金属氧化物和氮化物的材料可以使用这里描述的技术相对于介电表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]用选择剂形成区域选择性薄膜的方法-CN202180061551.7在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰 -专利权人：株式会社EGTM
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种形成区域选择性薄膜的方法包括：选择剂供应步骤，将选择剂供应至内部置有基板的腔室的内部，以使所述选择剂吸附至所述基板的非生长区域；净化步骤，净化所述腔室的内部；前驱体供应步骤，将前驱体供应至所述腔室的内部，以使所述前驱体吸附至所述基板的生长区域；净化步骤，净化所述腔室的内部；及薄膜形成步骤，将反应物质供应至所述腔室的内部，以使所述反应物质与被吸附的所述金属前驱体发生反应而形成薄膜。
选择形成区域选择性薄膜方法

[发明专利]选择性沉积的薄膜器件以及形成选择性沉积的薄膜的方法-CN201110234925.9无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及选择性沉积的薄膜器件以及形成选择性沉积的薄膜的方法。一种用于在衬底上选择性沉积薄膜结构(515)的方法。该工艺气体(709)分解到该衬底上以形成选择性沉积的薄膜结构(515)。还公开了用于形成选择性沉积的薄膜结构(515)的设备和薄膜器件。
选择性沉积薄膜器件以及形成方法

[发明专利]热形成选择性钴层的方法-CN201580058667.X有效
发明人：艾华;吕疆;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;马伯方;柳尚澔;刘风全;付新宇;叶伟锋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上
形成选择性方法

[发明专利]半导体薄膜的选择性外延形成-CN200780019831.1有效
发明人： M·鲍尔;K·D·韦克斯 -专利权人： ASM美国公司
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：通过重复均厚淀积和选择性刻蚀的循环工艺在半导体窗口(114)中选择性形成外延层(125)。均厚淀积阶段在绝缘区(112)如场氧化物上留下非外延材料(120)，而选择性刻蚀阶段优先去除非外延材料(120)，同时周而复始地增进淀积的外延材料(125)。相对于在绝缘体(112)上不发生淀积的选择性工艺，该外延材料(125)的质量得到改善。在该工艺的刻蚀阶段中使用锗催化剂可以帮助增大刻蚀速率并且便于在整个循环中经济地维持等温和/或等压条件。通过使用丙硅烷、在绝缘区(112)之上形成无定形材料(120)以及最小化每个淀积阶段中无定形材料与外延材料的厚度比，可以提高产量和质量。
半导体薄膜选择性外延形成

[发明专利]选择性导电阻挡层形成-CN201580009551.7有效
发明人： J·J·徐;J·J·朱;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-19 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有将第一互连层(110)耦合至沟槽(302)的通孔(304)的管芯。该半导体器件还包括在沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在通孔的侧壁上的阻挡层(306)。该半导体器件具有在第一互连层的表面上的掺杂导电层(308)。该掺杂导电层在通孔的侧壁之间延伸。该半导体器件进一步包括在通孔和沟槽两者中的在阻挡层上的导电材料(202)。该导电材料在布置在第一互连层的表面上的掺杂导电层上。
选择性导电阻挡形成

[发明专利]用于形成微阀的选择性接合-CN200580011090.3有效
发明人： B·R·戴维斯 -专利权人：铝微有限公司
申请日： 2005-02-15 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： A63B37/02 文献下载
摘要：披露了一种用于形成微机械加工装置的方法，其包括设置第一硅层和第二硅层。蚀刻一部分第二硅层，以形成滑动部和层部。滑动部可相对于层部移动。一部分第一硅层涂覆有大小和形状与滑动部的大小和形状相应的覆层材料。也可通过利用只是在与覆层材料相邻的区域增强或导致接合的覆层材料来选择性地涂覆第一硅层的部分来实施该方法覆层。
用于形成选择性接合

[发明专利]布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置-CN03805505.8无效
发明人：青森繁 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板(103)的反应室(101)内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层(105)的步骤1；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤2；对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤3；使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4；在所述选择区域中形成金属膜(110)的步骤5。
布线金属形成方法选择性装置

[发明专利]具有选择性保护组件的选择性开关-CN200410089077.7有效
发明人：丁其零;陈颖;陈黎俊;周积刚;龚骏昌 -专利权人：上海电器科学研究所（集团）有限公司
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H02H3/093 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有选择性保护组件的选择性开关，包括一断路器组件和一选择性保护组件，断路器组件和选择性保护组件通过进/出线端实现电气连接，还通过机械连动装置实现机械连接，选择性保护组件中包括一电子延时脱扣装置电子延时脱扣装置包括：检测单元，检测电流并输出检测信号；电子控制单元，与检测单元相连，接收、分析检测单元输出的检测信号并产生控制信号；脱扣器，与电子控制单元相连，接收电子控制单元产生的控制信号，脱扣器连接到选择性保护组件中的操作机构本发明的有益效果是，其中的电子延时脱扣装置工作稳定，能精确地检测到短路电流、并作出快速判断和动作，借此提高了产品的测量精度，达到可靠的选择性保护作用。
具有选择性保护组件开关

[发明专利]选择性印刷-CN201680077448.0有效
发明人： I.佐米克;H.朗;G.罗曼特科夫;F.科甘;S.布兰德里斯 -专利权人：惠普印迪戈股份公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本公开涉及将图像选择性印刷到基材上的方法。该方法包括将第一墨水组合物电子照相印刷到基材的所选区域上。该方法还包括在该基材的至少未印刷区域上施加底漆。
选择性印刷

[发明专利]选择性反射-CN200510052124.5有效
发明人：巴雷特·利佩;马克·尼芬;斯蒂芬·R·奥迪娅 -专利权人：伯斯有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G03B21/56 文献下载
摘要：一种投影屏及其制造方法，该投影屏包括一多层、多波段、单堆叠装置，该装置选择性地反射波长在多个窄波长段内的光。该多层、多波段、单堆叠装置可以是一种标准具装置。该多层可以淀积在漫射衬底上。
选择性反射

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