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[发明专利]利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法-CN202280009152.0在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;郑主焕;曹贤植 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，区域选择性薄膜形成方法包括：核生长阻滞剂供应步骤，将核生长阻滞剂供应至置有基板的腔体之内，使所述核生长阻滞剂吸附至所述基板的非生长区域；净化所述腔体内部的步骤；前驱体供应步骤，向所述腔体内供应前驱体，使得所述前驱体吸附至所述基板的生长区域；净化所述腔体内部的步骤；以及薄膜形成步骤，向所述腔体内供应反应物质，使该反应材料与所述吸附的前驱体反应以形成薄膜。
利用生长阻滞区域选择性薄膜形成方法

[发明专利]用选择剂形成区域选择性薄膜的方法-CN202180061551.7在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种形成区域选择性薄膜的方法包括：选择剂供应步骤，将选择剂供应至内部置有基板的腔室的内部，以使所述选择剂吸附至所述基板的非生长区域；净化步骤，净化所述腔室的内部；前驱体供应步骤，将前驱体供应至所述腔室的内部，以使所述前驱体吸附至所述基板的生长区域；净化步骤，净化所述腔室的内部；及薄膜形成步骤，将反应物质供应至所述腔室的内部，以使所述反应物质与被吸附的所述金属前驱体发生反应而形成薄膜。
选择形成区域选择性薄膜方法

[发明专利]利用表面保护物质的薄膜形成方法-CN202011203995.3有效
发明人：李根守;金才玟;金荷娜;崔雄辰;郑恩爱;李东炫;李明洙;文志原;张东学;鲁贤植 -专利权人： 株式会社EGTM;爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜形成方法，更详细地涉及利用表面保护物质的薄膜形成方法。根据本发明的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体，将金属前驱体吸附于所述基板；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质，与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜。该方法在所述薄膜形成步骤之前，还包括：供给所述表面保护物质而吸附于所述基板的表面保护物质供给步骤；以及净化所述腔体内部的步骤。
利用表面保护物质薄膜形成方法

[发明专利]利用表面保护物质的薄膜形成方法-CN202080092598.5在审
发明人：李根守;金才玟;崔雄辰 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法，包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体，以将所述金属前驱体吸附于所述基板上；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质以与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜；该方法在所述薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供给步骤，供给所述表面保护物质吸附到所述基板上；以及净化所述腔体内部的步骤。
利用表面保护物质薄膜形成方法

[发明专利]利用表面保护物质的薄膜形成方法-CN202080079543.0在审
发明人：李根守;金才玟;金荷娜;崔雄辰 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法，包括：表面保护层形成步骤，向放置基板的腔体内部供给表面保护物质，以在上述基板表面形成表面保护层；对上述腔体内部进行一次净化的步骤；金属前驱体供给步骤，向所述腔体内部供给金属前驱体；对上述腔体内部进行二次净化的步骤；及薄膜形成步骤，向上述腔体内部供给反应物质以与所述金属前驱体反应形成薄膜。
利用表面保护物质薄膜形成方法

[发明专利]金属氮化物薄膜的形成方法-CN202080062228.7在审
发明人：李根守;朴吉在;洪钟台;辛喆熙 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，金属氮化物薄膜的形成方法包括：沉积步骤，向基板供应金属前驱体而在上述基板的表面有选择地沉积；卤化处理步骤，向上述基板供应卤素气体而在上述基板的表面形成金属卤素化合物；及氮化步骤，向上述基板供应氮源而与上述金属卤素化合物反应形成金属氮化物。
金属氮化物薄膜形成方法

[发明专利]利用了表面保护物质的薄膜形成方法-CN202111172039.8在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;金河俊 -专利权人： 株式会社EGTM
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。
利用表面保护物质薄膜形成方法