专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]稀土镁合金的制备方法-CN201310201733.7有效
  • 张洪杰;佟立波;张庆鑫;邱鑫;田政;程丽任;孟健 - 中国科学院长春应用化学研究所
  • 2013-05-27 - 2013-08-14 - C22F1/06
  • 本发明提供了一种稀土镁合金的制备方法,该方法首先将稀土镁合金铸锭进行固溶处理,得到固溶处理后的稀土镁合金;然后将所述得到的固溶处理后的稀土镁合金进行热变形加工,得到热变形的稀土镁合金板材,所述热变形加工的温度为350℃~450℃;最后将所述得到的热变形的稀土镁合金板材进行单道次轧下量为50%的累积叠轧,经退火,得到稀土镁合金。本发明首次采用热变形加工-累积叠轧复合工艺成功制备出了稀土镁合金,有效解决了由于合金中粗大的LPSO相分布不均而导致的力学性能恶化的问题,并且,本发明工艺流程简单,设备成本低,有利于未来大规模的工业化生产
  • 超细晶稀土镁合金制备方法
  • [发明专利]一种氧化锆陶瓷的烧制方法-CN201310304944.3有效
  • 陈峰;闫志巧 - 广州有色金属研究院
  • 2013-07-19 - 2013-11-20 - C04B35/48
  • 一种氧化锆陶瓷的烧制方法,其特征是具体步骤是:以市售粒径30~60nm的3Y-TZP纳米粉为原料,经过喷雾造粒、模压制成生坯;将生坯放入烧结炉中,以5℃/分钟升温至550~600℃,保温1~2小时升温速率为400~500℃/分钟,将炉温快速升至1300~1400℃,保温时间为1~3分钟;降温速率为150~200℃/分钟,将炉温快速降至1150~1200℃,保温时间为10~20小时;降温至室温,得到氧化锆陶瓷本发明的方法通过增加烧结过程中的升降温速率,减少坯体在高温段停留的时间,在保证致密化的同时,减小晶粒尺寸,获得了致密度>99%,晶粒尺寸在150~180nm的3Y-TZP氧化锆陶瓷。
  • 一种超细晶氧化锆陶瓷烧制方法
  • [发明专利]一种块体纳米结构/金属材料制备装置和方法-CN202011189699.2有效
  • 王建军;张晓琼;王志华 - 太原理工大学
  • 2020-10-30 - 2022-05-13 - C21D7/10
  • 本发明公开了一种块体纳米结构/金属材料制备装置和方法,该装置包括带有抑制二次加载功能的分离式Hopkinson杆、脉冲电流辅助系统和环境箱,所述脉冲电流辅助系统包括可编程脉冲电源、金属垫块和绝缘薄膜正方体样品夹持在入射杆和透射杆间的两金属垫块之间,通脉冲电流,发射撞击杆与入射杆法兰撞击,产生应力波后沿入射杆传至金属样品,并对其沿z向压缩加载,旋转样品,分别对样品沿x、y方向压缩加载,经过多向多道次的循环高速压缩加载实现晶粒达到纳米结构/本发明可以实现对强度高、塑性差的金属材料纳米化/化;且制备的产品尺寸较大,晶粒分布均匀。
  • 一种块体纳米结构超细晶金属材料制备装置方法
  • [发明专利]直流磁控溅射制备纯铝厚膜的方法-CN200610095114.4无效
  • 张津;杨栋华;欧信兵;麻彦龙 - 重庆工学院
  • 2006-09-09 - 2007-02-21 - C23C14/14
  • 本发明提出一种直流磁控溅射制备纯铝厚膜的方法,其步骤如下:选用纯铝靶材,准备并安装衬底,调节靶材与衬底的距离;接着抽真空,净气12-25min,预溅射15-45min;然后溅射沉积,工作气压为0.6,氩气流量20-40cm3/s,溅射电流0.8-1.6A,溅射电压180-300V;在溅射时间5-15min后暂停沉积,10-30min继续,如此反复,直至获得所需要的厚度的纯铝厚膜本方法可获得厚度在2μm以上的纯铝厚膜,纯铝膜质量较好、厚度较厚、晶粒度小,可作为保护涂层应用于表面工程领域或直接应用于微电子学领域等。
  • 直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜方法

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