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[发明专利]一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统-CN202211142371.4在审
发明人：彭中;李寿琴;刘逸枫;甘居富;罗周;向春林;程茂林;杜炳胜 -专利权人：云南通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法，采用太阳能级多晶硅生产中的精制三氯氢硅为原料，经脱碳塔除去甲基二氯硅烷，再经脱重塔除去重组分，得到金属杂质含量不高于0.5ppbw、B、P杂质不高于0.05ppbw、总碳含量不高于0.1ppm的精制三氯氢硅，同时公开了一种制备电子级多晶硅生产用三氯氢硅的系统，保证最终成品三氯氢硅杂质含量符合生产电子级三氯氢硅要求的同时，保证输出的成品三氯氢硅中杂质含量稳定，为为连续生产质量稳定的电子级多晶硅提供良好的前提条件。
一种电子多晶生产用三氯氢硅制备方法系统

[实用新型]多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统-CN201120324241.3有效
发明人：汪应军;张骞 -专利权人：湖北晶星科技股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统，分为三个工段：一号脱轻塔、二号脱重塔、三号脱轻塔、四号脱重塔、五号脱重塔组成一套系统，接受合成工段生产的三氯氢硅原料液；六号脱重塔和七号脱重塔组成一套系统，接受经氢化炉氢化后的三氯氢硅混合液返回料；八号脱二氯二氢硅塔、九号脱高沸塔各为一个独立系统，分别脱去二氯二氢硅和四氯化硅。本实用新型三氯氢硅分离提纯系统能有效分离提纯合成工段生产的三氯氢硅原料液和氢化后得到的三氯氢硅混合液返回料中的三氯氢硅，降低精馏产品中杂质的含量。
多晶生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统

[发明专利]一种三氯氢硅合成方法及装置-CN201510997567.5有效
发明人：吴昌勇;银波;黄彬;高建强;武珠峰 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅合成方法及装置，该方法将粒径范围为200～400目的硅粉与氯化氢反应合成三氯氢硅，本发明中的三氯氢硅合成方法使用粒径范围为200～400目的硅粉制备三氯氢硅，该硅粉为宽粒径范围的硅粉，生产成本低，生产的难度系数降低，由于宽粒径的硅粉的流化气速较低，制备三氯氢硅时可降低通入的相应的氯化氢的通入的物质的量，降低尾气回收的难度与成本，相对于现有技术中生产三氯氢硅使用的硅粉而言，本发明中的粒径范围为200～400目的硅粉的比表面积大，从而可以提高气固接触面积，反应的强度提高，进而提高本发明中的三氯氢硅合成方法和三氯氢硅合成装置的产能。
三氯氢硅硅粉合成粒径宽粒径制备氯化氢反应生产成本低方法使用合成装置难度系数气固接触尾气回收流化气氯化氢产能生产

[发明专利]一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯工艺-CN202210969993.8在审
发明人：郭婷;赵长森;牛强;徐凯;韩婷婷 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅工业生产技术领域，提供一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯工艺。所述工艺包括：脱轻：将来自冷氢化工段的液相粗氯硅烷通入脱轻塔得到液相粗三氯氢硅；络合吸附：将液相粗三氯氢硅通入络合吸附装置，对部分金属杂质及B、P非金属杂质进行络合吸附；粗馏：将络合吸附后得到的液相粗三氯氢硅通入粗馏单元，除去金属杂质及B、P非金属杂质、高低沸物，得到初级提纯的三氯氢硅液；CPS吸附：将初级提纯的三氯氢硅液通入CPS吸附装置，进一步除去杂质；精馏：将CPS吸附后的液相三氯氢硅通入精馏单元，得到高纯度三氯氢硅液本发明将络合吸附、CPS吸附和精馏工艺优化结合，能有效降低三氯氢硅中的B、P等杂质，并降低精馏成本。
一种多晶生产过程中的三氯氢硅提纯工艺

[发明专利]改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法-CN200910308969.4无效
发明人：唐前正;张新;李钊;王璜;卫雄;山玉庸 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明多晶硅生产领域，具体涉及改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法。为提供一种能耗少的方法用于处理改良西门子法的副产物二级三氯氢硅。本发明方法采用对二级三氯氢硅进行单独收集的技术方案。单独收集二级三氯氢硅可降低生产能耗，避免二级三氯氢硅与原料氯硅烷之间的交叉污染。再将收集的二级三氯氢硅进行提纯处理以进一步利用该副产品。
改良西门子二级三氯氢硅处理方法

[发明专利]生产多晶硅的方法-CN200710121059.6有效
发明人：沈祖祥;严大洲;汤传斌;肖荣晖;毋克力 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种生产多晶硅的方法，用工业硅和氯化氢反应生成三氯氢硅；将三氯氢硅经提纯后与氢气反应生成多晶硅；收集主要包括氢气、氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的尾气：加压和冷却尾气，气液分离氢气、氯化氢、和二氯二氢硅与液态的三氯氢硅和四氯化硅；使气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅通过液态的吸收剂，分离氢气与氯化氢和二氯二氢硅；通过升温和/或加压将氯化氢和二氯二氢硅从液态吸收剂中解吸出来；通过控制压力和/或温度分离氯化氢与二氯二氢硅；和通过温度和压力通过气液分离将三氯氢硅与四氯化硅分离
生产多晶方法

[发明专利]三氯氢硅除碳装置及三氯氢硅除碳方法-CN202211462460.7在审
发明人：周国峰;危胜;许正清;梁艳红 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海芯测科技有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：提供了一种三氯氢硅除碳装置，其包括：储料罐，用于接收四氯化硅原料和含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料，并进行混合以形成第一混合液；反应罐，用于接收所述第一混合液，以使甲基二氯硅烷与四氯化硅反应以生成甲基三氯硅烷，从而形成三氯氢硅、四氯化硅以及甲基三氯硅烷的第二混合液；精馏塔，用于接收所述第二混合液，并将三氯氢硅分离至所述精馏塔的塔顶，且将所述甲基三氯硅烷和四氯化硅分离至所述精馏塔的塔釜。还提供了一种三氯氢硅除碳方法。在本发明中，由于四氯化硅和甲基三氯硅烷的沸点相近，且二者均与三氯氢硅的沸点相差较大，因此在精馏塔分离时可以邮箱将三氯氢硅与四氯化硅和甲基三氯硅烷分离，从而有效去除三氯氢硅中的碳杂质。
三氯氢硅装置方法

[发明专利]一种用于三氯氢硅尾气处理的清洁化方法及装置-CN201910029610.7在审
发明人：宋兴桥 -专利权人：天津中科拓新科技有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于三氯氢硅尾气处理的清洁化方法及装置。包括吸收塔，光反应器、混合器、精馏塔组成的三氯氢硅尾气处理装置；将光催化反应应用于三氯氢硅尾气吸收过程。有效回收三氯氢硅尾气中的二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅和氯化氢，并通过光反应器将二氯二氢硅和三氯氢硅转化为四氯化硅，提高了原料的利用率。吸收剂来源于反应生成的粗四氯化硅，不需外加吸收剂。由于将二氯二氢硅和三氯氢硅转化为四氯化硅进入四氯化硅精制系统，轻组分量减少，降低四氯化硅精制系统的负荷。通过吸收和光反应，有效减少进入喷淋系统的尾气，减少了喷淋塔负荷。尾气中的HCl回收率达90‑99.5％，二氯二氢硅和三氯氢硅转化率达90‑99.5％。
四氯化硅三氯氢硅尾气二氯二氢硅三氯氢硅光反应器精制系统清洁化吸收剂尾气混合器吸收塔光催化反应处理装置喷淋系统有效回收有效减少光反应精馏塔氯化氢喷淋塔组分量回收率吸收转化应用

[发明专利]一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法-CN202210421943.6在审
发明人：牛刚;马锐 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明为一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法。一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法，为：精馏工序中经过高沸分离塔分离后的塔釜液，在歧化树脂的催化作用下进行歧化反应，出口为含有三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅、一甲基三氯硅烷的混合液；将所述的混合液进行分馏，将四氯化硅和一甲基三氯硅烷分离出来。本发明所述的一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法，利用化学反应将三氯氢硅、一甲基二氯硅烷转化为二氯二氢硅、四氯化硅、一甲基三氯硅烷后，一甲基三氯硅烷更容易分离出来，从而达到去除含碳物质的目的。
一种分离三氯氢硅中一甲基硅烷杂质方法

[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统-CN202210759614.2有效
发明人：吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。
生产多晶控制方法控制系统

[实用新型]一种多晶硅生产用氢气除杂系统及多晶硅生产系统-CN202120971611.6有效
发明人：武珠峰;吴昌勇;宋高杰;张治锦;刘兴平;宋正平;潘从伟 -专利权人：内蒙古新特硅材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C01B3/52 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅生产用氢气除杂系统及多晶硅生产系统，除杂系统包括淋洗塔和冷凝器，淋洗塔下部用于储存沸腾的三氯氢硅，且设有进气管，进气管用于供氢气通入沸腾的三氯氢硅中，以使其内部分水与三氯氢硅反应；淋洗塔的上部设有喷淋结构，用于将三氯氢硅雾化，从沸腾的三氯氢硅中逸出的气相与雾化的三氯氢硅接触，至逸出的气相内剩余的水与三氯氢硅反应，以得到除水的气相；冷凝器与淋洗塔顶部相连，用于对除水的气相冷凝，以将其内的汽化三氯氢硅液化采用本实用新型进行氢气干燥，能在不引入外界杂质的前提下，将多晶硅生产用氢气中的水分干燥至1PPm以下。
一种多晶生产氢气系统

[发明专利]一种提高三氯氢硅品质的方法-CN202111158816.3有效
发明人：官健;刘逸枫;罗轩;袁野;钟国俊 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高三氯氢硅品质的方法，将合成精馏中提纯三氯氢硅时脱重得到的三氯氢硅重组分与四氯化硅产品液混合，依次经树脂吸附柱、反歧化树脂柱后，再作为合成精馏原料循环使用，以控制合成精馏得到的精制三氯氢硅物料中硼含量≤0.06ppb、磷含量为0.2～0.5ppb、有机硅含量为1～4ppm。本发明通过将合成精馏中循环的三氯氢硅重组分与四氯化硅混合，再进行脱硼磷等杂质处理后，再重复用于合成精馏以得到精制三氯氢硅，具有提升精制三氯氢硅及多晶硅产品质量的目的。
一种提高三氯氢硅品质方法

[实用新型]一种二氯氢硅提纯装置-CN202022594122.1有效
发明人：赵毅;施旖旎;王明月 -专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二氯氢硅提纯装置，具体涉及二氯氢硅提纯技术领域，包括包括支脚、提纯塔和外壳体，所述提纯塔外部的底端设置有外壳体。本实用新型通过设置有活性炭颗粒板、过滤网、第一卡块、第一卡槽、第二卡槽和第二卡块，提纯塔内部的过滤网可以对二氯二氢硅中的较多的杂质，过滤网对二氯二氢硅进行过滤之后，活性炭颗粒板在重新对二氯二氢硅进行过滤，活性炭颗粒板内部的活性炭颗粒可以吸附二氯二氢硅中硼、磷、以及金属，对二氯二氢硅进行较细的过滤，二氯二氢硅从活性炭颗粒板内部过滤之后可以提取比较纯的二氯二氢硅，当需要对活性炭颗粒板和过滤网拆卸时，分别把第一卡块和第二卡块拿出第一卡槽和第二卡槽的内部即可
一种二氯氢硅提纯装置

[发明专利]制备三氯氢硅的方法及其设备-CN201310389455.2有效
发明人：张志刚;严大洲;杨永亮;肖荣晖;汤传斌 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提出了制备三氯氢硅的方法及其设备，该方法包括：在反歧化催化剂的作用下，使得二氯二氢硅与四氯化硅在反歧化反应器中发生反歧化反应，以便获得包括三氯氢硅的反歧化反应产物。采用该方法可以将反应副产物二氯二氢硅转化为三氯氢硅，从根本上解决了回收后的二氯二氢硅无法充分利用而被迫用水（或碱液）淋洗造成硅物料浪费和后序废水处理难度大的问题。且采用该方法制备三氯氢硅，反应条件温和，对设备的压力、温度要求等相对较低，一次性投资小，运行成本低，二氯二氢硅单程转化率高，可在低成本下实现利用价值低的二氯二氢硅和四氯化硅转化为利用价值高的三氯氢硅，因此该方法具有很好的经济和环保效益
制备三氯氢硅方法及其设备

[发明专利]一种二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅工艺-CN201210471193.X无效
发明人：李仕扬;沈伟 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅工艺，尤其是一种多晶硅生产系统中的二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅工艺，属于硅化工技术领域；本发明的二氯二氢硅反歧化工艺采用液态二氯二氢硅和液态四氯化硅混合进料，反应采用的是装载催化剂的固定床反应器，反应条件温和，设备投资低，耗能少，能够对多晶硅生产系统的副产物二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅，降低生产成本和二氯二氢硅的处理费用；本工艺还设计有气液分离单元和精馏原料产品分离系统，能够充分利用生产系统现有工艺设备，提高多晶硅生产系统的原料利用率。
一种二氯二氢硅反歧化生产三氯氢硅工艺