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[实用新型]像增强型全光固体超快成像探测器-CN201820203457.6有效
发明人：何凯;田进寿;汪韬;韦永林;徐向晏;卢裕;闫欣;王兴;尹飞;刘虎林;陈萍;温文龙;辛丽伟;王超;王俊锋;赛小锋 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型属于超快诊断技术领域，具体涉及一种像增强型全光固体超快成像探测器。该探测器包括外壳以及真空封装在外壳内部的光电阴极和半导体超快探测芯片；外壳的一端设置输入窗口，外壳的另一端设置输出窗口，所述光电阴极位于靠近输入窗口的一端，所述半导体超快探测芯片位于靠近输出窗口的一端；所述光电阴极和半导体超快探测芯片之间设置有一片或者多片微通道板。本实用新型解决了现有的全光固体超快诊断技术探测灵敏度低的技术问题。结合了基于微通道板的微光像增强技术和基于半导体辐射光学效应的全光固体超快成像技术，通过微通道板的倍增功能和全光固体超快探测芯片的高时间分辨特性，可以实现弱光条件下的高时间分辨成像。
全光超快探测光电阴极微通道板芯片半导体本实用新型成像探测器时间分辨输出窗口输入窗口一端设置诊断技术增强型半导体辐射探测灵敏度成像技术光学效应弱光条件外壳内部真空封装微光探测器多片成像倍增

[发明专利]一种全介质、宽带偏振与相位调控超表面及远场超分辨聚焦器件-CN201911160646.5有效
发明人：陈刚;温中泉;张智海;梁高峰 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种全介质、宽带偏振与相位调控超表面及远场超分辨聚焦器件，包括基底和全介质超表面。对于给定方向的线偏振光，通过设置不同快轴方向角的全介质半波片超表面单元，实现出射光偏振调控；对于给定位置处全介质半波片超表面单元，通过设置结构单元快轴方向角为π/2，实现二值相位(0π)调控。该器件是一种全介质超表面聚焦器件，具有透过率高、多功能(偏振转换和光束聚焦)、质量轻和易于集成等优点，可应用于光学聚焦、光束整形和光学显微等领域。
一种介质宽带偏振相位调控表面远场超分辨聚焦器件

[发明专利]全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法-CN201910594755.1在审
发明人：汪韬;高贵龙;何凯;闫欣;田进寿;李少辉;尹飞;辛丽伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法，解决现有超快诊断设备无法同时具备高时间分辨率、高空间分辨率性能，以及现有电子光学电真空超快诊断设备诊断效果差的问题。其中芯片包括沿入射信号光传输方向依次设置的调制光栅、光学膜系、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构、第一增透膜、基片及第二增透膜，信号光入射调制光栅，探针光入射第二增透膜；所述光学膜系对信号光进行增透、对探针光进行增反；所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构用于探测信号光，并经调制光栅调制，在半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构内部形成与信号光相对应的空间分布图样；
增透膜全光多量子阱结构超快响应探针光信号光调制半导体光栅超快探测诊断设备芯片光学膜探测器入射增透探测高空间分辨率高时间分辨率入射信号光传输方向电子光学光栅调制空间分布探测信号依次设置电真空图样诊断

[实用新型]全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器-CN201921026323.2有效
发明人：汪韬;高贵龙;何凯;闫欣;田进寿;李少辉;尹飞;辛丽伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器，解决现有超快诊断设备无法同时具备高时间分辨率、高空间分辨率性能，以及现有电子光学电真空超快诊断设备诊断效果差的问题。其中芯片包括沿入射信号光传输方向依次设置的调制光栅、光学膜系、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构、第一增透膜、基片及第二增透膜，信号光入射调制光栅，探针光入射第二增透膜；所述光学膜系对信号光进行增透、对探针光进行增反；所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构用于探测信号光，并经调制光栅调制，在半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构内部形成与信号光相对应的空间分布图样；
固体探测芯片探测器

[发明专利]基于可饱和吸收材料与超弱倏逝场的全光纤超快激光器-CN201610659235.0在审
发明人：朱涛;高磊;李雨佳;高聪 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：一种基于可饱和吸收材料与超弱倏逝场的全光纤超快激光器，由泵浦激光器、合束器、泵浦增益光纤、包层功率剥离器、偏振无关隔离器、正色散光纤、偏振控制器、超弱倏逝场光纤、高功率宽带滤波器和耦合器组成；本发明的有益技术效果是：提供了一种全光纤超快激光器。
基于饱和吸收材料超弱倏逝场光纤激光器

[发明专利]一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关-CN202110934195.7在审
发明人：刘富荣;张露露;陈清远;谢轩轩;连阳波 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，属于全光网络应用技术领域。全光开关包括层底、信号光波导、调控光波导和相变材料薄膜。信号光波导与调控光波导交互设计，相变材料薄膜嵌入在光波导交界处。硫系化合物相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变信号光的光场传输行为，从而实现了全光开关。本发明利用硫系化合物相变材料的非易失性超快相变(ps‑ns量级)特性，并结合光驱动的超快性，实现全光开关的低损耗、高速度和高消光比特性，结构简单，便于集成，为未来全光网络的发展奠定了基础。
一种基于相变材料分支波导交互调控超快全光开关

[发明专利]一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法-CN202010636656.8有效
发明人：王思聪;魏琛;李向平 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明公开一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法，包括第一激发脉冲和第二调节脉冲，依次先后入射向光磁记录媒介使其被激光脉冲光斑所照射的区域发生全光磁反转；通过精确灵活控制双飞秒激光脉冲间的时间延迟、空间重叠区域以及能量密度比，可在能够实现单脉冲全光磁反转的光磁材料上两脉冲的空间重叠区域内诱导产生磁化场的二次反转，以获得超越衍射极限限制的全光磁记录，这一记录过程发生在几百皮秒(亚纳秒)时间尺度，为超高密度、超快磁存储提供有效的技术手段。
一种面向超快超分辨全光磁记录脉冲激发方法

[发明专利]一种基于梯度下降算法的全光逻辑异或门及其实现方法-CN202110376898.2有效
发明人：胡小永;龚旗煌;齐慧欣;杜卓晨;杨佳宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于梯度下降算法的全光逻辑异或门及其实现方法。本发明基于梯度下降算法的反向设计为实现的光子器件提供了一个通用的平台，利于实现纳米光子器件的设计与集成；全光逻辑器件是光子集成回路中的重要组成部分，基于线性光学原理实现的全光逻辑异或门具有超快和超低能耗的优势；在极小尺寸范围内实现了全光异或门，有利于实现超紧凑，高集成度的全光集成回路；降低了器件设计的时间，提高了器件的性能，丰富了器件可实现的功能，减小了器件的尺寸，有利于实现超快响应、超低能耗、高集成度的片上全光集成回路；基于反向设计实现的全光集成器件在先进光子电路、全光信息处理、光通信等领域具有广阔的应用前景。
一种基于梯度下降算法逻辑及其实现方法

[发明专利]超快脉冲的全光场实时测量系统及方法-CN201610143039.8在审
发明人：张驰;张新亮;陈燎;周海东;段玉华;张磊;周希 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明涉及超快脉冲的全光场(幅度和相位)实时测量方法及系统，包括前置色散单元，分光器，光探测器PD1，相位调制器，后置色散单元，光探测器PD2，实时示波器，迭代运算处理单元。待测的超快脉冲进行色散展开后按任意比例分为两路光信号L1、L2，L1作为参考信号输入光探测器PD1，L2加载二次相位调制并经后置色散后输入光探测器PD2；PD1、PD2输出的电信号分别进行连续采集得到强度信息E₁和E₂，将E₁、E₂和猜测相位作为迭代算法的输入条件进行迭代运算输出待测超快脉冲的全光场信息。本发明能实现皮秒到数十皮秒时间窗口内的超快脉冲全光场的实时测量；本发明直接探测强度信息，具有适用范围广，结构简单的优点。
脉冲全光场实时测量系统方法

[发明专利]一种采用超快冷工艺生产全工艺冷轧无取向电工钢35WD1900的方法-CN201910271549.7有效
发明人：陆正谊;周峰;李烈军 -专利权人：中山市中圣金属板带科技有限公司;华南理工大学;佛山职业技术学院
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C21D1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用超快冷工艺生产全工艺冷轧无取向电工钢35WD1900的方法，包括冶炼、钢板连铸成连铸坯、加热炉加热、热轧、酸洗、冷轧、脱碳退火和涂层的步骤，所述热轧步骤中，将精轧出口温度采用超快速冷却的方法冷却至终止温度本发明的采用超快冷工艺生产全工艺冷轧无取向电工钢35WD1900的方法，在热轧、冷轧过程更加容易控制，生产更加稳定、板形更加可控；产品铁损P
冷轧无取向电工钢工艺生产快冷冷轧热轧冷却加热炉无取向电工钢超快速冷却新能源汽车驱动电机热轧步骤脱碳退火连铸坯小磁极板形精轧可控酸洗铁损加热钢板冶炼出口生产

[发明专利]孤网方式下的火电机组旁路系统甩负荷控制系统-CN201910590343.0有效
发明人：马睿;李恩;汤明俊;吴广生;肖熠;雷利 -专利权人：国网四川综合能源服务有限公司四川电力工程分公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： F01D21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种孤网方式下的火电机组旁路系统甩负荷控制系统，包括：控制方式转换模块、超驰前馈计算模块、蒸汽参数控制模块；其中，控制方式转换模块，用于实时监测甩负荷信号判定甩全负荷工况和甩部分负荷工况，并生成转换指令，包括快开指令、手自动切换指令和蒸汽参数设定指令；超驰前馈计算模块，用于根据甩全负荷工况和甩部分负荷工况计算旁路各调节回路的超驰快开量和调节前馈量；蒸汽参数控制模块，用于根据获取的转换指令、超驰快开量和调节前馈量来进行控制
方式火电机组旁路系统负荷控制系统

[发明专利]基于石墨烯的硅基光空间超快调制器-CN201710183753.4在审
发明人：白冰;裴丽;王吉;张艳;徐春霞 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：基于石墨烯的硅基光空间超快调制器，涉及全光超快调制器领域。硅波导1以盘绕结构生长于SiO2平板基底3之上，石墨烯层2置于硅波导1的表面之上，包含调制信号的空间泵浦光图样4照射于石墨烯层2。通过以较低频率进行短时间长度空间泵浦光图样4与长时间长度满光图样的切换，可以将超高速调制信号加载到载波上，产生超快调制的效果。通过加载不同的空间泵浦光图样，可以实现任意信号的超快调制。
基于石墨硅基光空间调制器

[发明专利]一种超快全光单发多幅成像装置-CN201811533071.2在审
发明人：夏汉定;邓青华;吴之清;邵婷;石兆华;周晓燕;王凤蕊;孙来喜;叶鑫;黄进;吴卫东;李波 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种超快全光单发多幅成像装置。该超快全光单发多幅成像装置中的分光装置，设置在啁啾光脉冲产生装置的出射光路上，用于将参考光脉冲与待测探测光脉冲以预设角度合束形成合束光脉冲；衍射光学元件，设置在分光装置的出射光路上，用于将合束光脉冲衍射分离为空间分布的光束阵列本发明能实现单发次泵浦‑探测条件下超快二维分幅干涉成像，能同时探测光强度和相位超快变化，能提高分幅频率、空间带宽和时间分辨能力。
出射光单发成像装置全光窄带干涉滤光片衍射光学元件分光装置光束阵列合束光脉冲预设干涉条纹图像时间分辨能力参考光脉冲探测光脉冲啁啾光脉冲产生装置成像元件干涉成像空间带宽空间分布脉冲序列倾角设置探测条件中心波长探测光波长映射次泵二维合束滤波衍射

[发明专利]超快激光脉冲的全相位测量及锁定方法和相应的装置-CN201910154175.0有效
发明人：方少波;魏志义;黄沛;高亦谈;赵昆 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超快激光脉冲的全相位测量方法，所述超快激光脉冲的光谱范围大于一个倍频程，所述方法包括如下步骤：步骤一：将所述超快激光脉冲分成第一光束和第二光束，其中，所述第一光束包含波长λ超快激光脉冲的全相位测量，测量精度高。
激光脉冲相位测量锁定方法相应装置

[发明专利]一种低能耗快烧高硬度超耐磨全抛釉陶瓷板及其制备方法-CN202310613184.8在审
发明人：萧礼标;邓来福;汪庆刚;杨元东;潘岳 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低能耗快烧高硬度超耐磨全抛釉陶瓷板及其制备方法。所述低能耗快烧高硬度超耐磨全抛釉的组成包括耐磨基础釉、耐磨干粒细粉；所述耐磨基础釉的原料组成包括：以质量百分比计，高岭土5～10％、烧滑石10～20％、硅灰石15～25％、石英8～15％、镁铝尖晶石10
一种能耗快烧高硬度耐磨釉陶及其制备方法

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