专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2165846个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]用于制备电池前体的方法-CN202080029142.4在审
  • 彼得·维尔希斯;巴尔特·克拉森;威利姆·卡勒波特 - 尤米科尔公司
  • 2020-04-17 - 2021-11-26 - C22B1/00
  • 本发明涉及一种从含Li的起始材料中回收例如Ni和Co的金属的方法。特定地,所述方法涉及从含Li的起始材料中回收金属M,其中M包括Ni和Co,所述方法包括以下步骤:步骤1:提供包含锂离子电池或其衍生产品的所述起始材料;步骤2:去除大于(1)和(2)中的最大值的量的Li:(1)存在于所述起始材料中的Li的30%,和(2)为在随后的酸浸步骤中获得小于0.70的Li:M比率而确定的存在于所述起始材料中的Li的百分比;步骤3:使用相对量的贫Li产物和无机酸的随后的浸提,从而获得含由于湿法冶金加工期间的较低试剂消耗和较高Ni和/或Co浓度,本发明是一种生产适用于电池材料生产的晶体的有效且经济的方法。
  • 用于制备电池方法
  • [发明专利]用于制造复合正电极活性材料的方法-CN201180006144.2无效
  • 吉田怜;久保博纪;岩崎正博 - 丰田自动车株式会社
  • 2011-01-14 - 2012-10-03 - H01M4/36
  • 本发明涉及一种用于制造复合正电极活性材料的方法,所述复合正电极活性材料是正电极活性材料和碳纳米管的复合材料。所述制造方法包括:制备包含正电极活性材料起始材料的所述正电极活性材料起始材料的水溶液、和包含所述碳纳米管和增溶材料的增溶的碳纳米管的水溶液,所述增溶材料包括其碳纳米管增溶保持率不随温度升高而降低的水溶性聚合物;和通过混合所述正电极活性材料起始材料的水溶液和所述增溶的碳纳米管的水溶液,并且进行水热合成,来合成正电极活性材料-碳纳米管复合材料
  • 用于制造复合电极活性材料方法
  • [发明专利]显示装置的封装方法及显示装置-CN201310209846.1有效
  • 黄浩榕;林敦煌;周皓煜;李吉欣 - 群创光电股份有限公司
  • 2013-05-30 - 2014-12-17 - H01L51/56
  • 显示装置的封装方法包括以下步骤:提供一第一基板,第一基板具有一显示区域与一非显示区域,非显示区域环绕显示区域;提供一胶合材料设置于第一基板上,其中胶合材料环绕第一基板的显示区域的周缘而形成一封闭曲线,封闭曲线具有一起始区及与起始区相连接的一终点区;提供一遮光件至少遮蔽终点区;提供一加热源射向遮光件,并移动加热源至胶合材料起始区;以及通过加热源由起始区沿着封闭曲线持续扫描胶合材料一周至终点区。
  • 显示装置封装方法
  • [发明专利]电极组件和包括该电极组件的二次电池-CN202080071637.3在审
  • 闵丞晙;金正镇 - 株式会社LG新能源
  • 2020-09-23 - 2022-05-27 - H01M50/586
  • 本发明涉及一种电极组件,其中,第一电极和第二电极在其间插入有分隔物的状态下被卷绕成果冻卷形状,该电极组件包括:第一电极,其包括设置在卷绕起始点处且不具有第一电极活性材料的第一卷绕起始部、设置在卷绕结束点处且不具有第一电极活性材料的第一卷绕结束部以及设置在第一卷绕起始部与第一卷绕结束部之间并且涂覆有第一电极活性材料的第一涂覆部;第二电极,其包括设置在卷绕起始点处且不具有第二电极活性材料的第二卷绕起始部、设置在卷绕结束点处且不具有第二电极活性材料的第二卷绕结束部以及设置在第二卷绕起始部与第二卷绕结束部之间并且涂覆有第二电极活性材料的第二涂覆部;电极片部,其包括设置在第一电极的第一卷绕结束部处的第一电极片以及设置在第二电极的卷绕起始部处的第二电极片;以及第一保护构件,其附接至第二电极的第二卷绕结束部的面对第一电极片的表面。
  • 电极组件包括二次电池
  • [发明专利]用于制备含硅材料的方法和装置-CN202080056328.9在审
  • C·施密德;G·佩特里克;J·哈恩;P·费纳格 - 施米德硅晶片科技有限责任公司
  • 2020-07-30 - 2022-03-11 - C01B21/068
  • 为制备含硅材料,将气体转变为高温加热状态,其中该气体至少部分地作为等离子体存在。该高温加热气体与含硅的第一起始材料接触,形成包含所述气体以及硅的混合物。将能够与混合物中的硅直接发生化学反应或者在与所述高温加热气体和/或混合物接触时热分解的第二起始材料添加到该气体或混合物中。气体转变成高温状态和高温加热气体与含硅的第一起始材料的接触在空间上彼此分开地进行。适用于实施该工艺的装置(100)包括用于加热气体的设备(106、107)、反应空间(101)、通入其中的用于高温加热气体的第一输入管路(105)和第二输入管路(108),其直接通入反应空间(101)中并且第一起始材料可以通过该管线进料到反应空间第三输入管路(112)用于将第二起始材料进料到装置(100)中。
  • 用于制备材料方法装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top