专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于记忆损失预测和延迟训练的主动学习事件抽取方法-CN202110541764.1有效
  • 申时荣;漆桂林;李震 - 东南大学
  • 2021-05-18 - 2021-08-06 - G06F16/35
  • 本申请公开了一种基于记忆损失预测和延迟训练的主动学习事件抽取方法,该方案通过预测无标注样本的损失对其进行筛选,获取高质量的无标注样本进行标注。首先构建两个记忆模块,分别是已学习记忆模块和已选择记忆模块,已学习记忆模块在监督学习模型训练的过程中,存储已经学过的信息到已学习记忆模块,在样本选择的过程中,已选择记忆模块随着样本的选择存储已经选择的样本信息,综合两个记忆模块的信息对新样本的损失进行预测,得到样本损失后,利用内‑外损失排序策略启发式地选择有价值的样本进行标注,同时,提出了一种延迟训练策略,模拟样本选择场景对样本损失模型进行监督,最后得到一种低标注成本的高质量事件抽取模型
  • 基于记忆损失预测延迟训练主动学习事件抽取方法
  • [实用新型]记忆卡的读写控制系统-CN202022480600.6有效
  • 林升平;胡耀中 - 创惟科技股份有限公司
  • 2020-10-30 - 2021-05-11 - G06F13/16
  • 本实用新型提供一种记忆卡的读写控制系统,包括记忆卡接口、主机系统接口以及控制装置。当该记忆卡以一第一通讯协议运作时,该记忆卡接口经该第二选择器、该桥接装置以及该第一选择器来与该主机系统接口电性连接。当该记忆卡以一第二通讯协议运作时,该记忆卡接口经该第二选择器来与该主机系统接口电性连接,该记忆卡接口亦经该第一选择器来与该主机系统接口电性连接。
  • 记忆读写控制系统
  • [发明专利]操作记忆体的方法-CN202310056800.4在审
  • 安隼立;吴政宪;李亨元;鲍新宇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-06-02 - G11C11/16
  • 一种操作记忆体的方法包括:跨记忆体单元施加第一电压脉冲,其中记忆体单元包含选择器,其中第一电压脉冲将选择器切换至导通状态;在施加第一电压脉冲之后,跨记忆体单元施加第二电压脉冲,其中在施加第二电压脉冲之前,选择器具有第一电压临界,其中在施加第二电压脉冲之后,选择器具有小于第一电压临界的第二电压临界;以及在施加第二电压脉冲之后,向记忆体单元施加第三电压脉冲,其中第三电压脉冲将选择器切换为导通状态;其中选择器在第一电压脉冲与第三电压脉冲之间持续保持关闭状态
  • 操作记忆体方法
  • [发明专利]显示面板的控制驱动器-CN201110172948.1有效
  • 杨行健 - 联咏科技股份有限公司
  • 2011-06-24 - 2012-10-17 - G09G3/20
  • 一种显示面板的控制驱动器,包括时序控制电路、数据记忆单元、数据选择单元以及数据线驱动电路。数据记忆单元储存影像数据。数据选择单元耦接至数据记忆单元。数据选择单元选择输出数据记忆单元所提供的影像数据做为显示数据,或是依据外部处理器所提供的指令及/或测试样式产生显示数据。数据线驱动电路耦接至时序控制电路与数据选择单元。数据线驱动电路接收来自数据选择单元的显示数据,以及依据时序控制电路所输出的控制信号输出相对应的灰阶电压。
  • 显示面板控制驱动器
  • [发明专利]集成电路和用于形成集成电路的方法-CN202010897164.4在审
  • 林孟汉;谢智仁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-08-31 - 2021-04-02 - H01L27/11524
  • 一种集成电路和用于形成集成电路的方法,集成电路装置包括具有记忆体区域和逻辑区域的半导体基板。在记忆体区域中的记忆体单元包括选择栅极,选择栅极经由浮动栅极间隔物与浮动栅极分隔。在与浮动栅极相对的选择栅极的一侧上形成选择栅极间隔物。选择栅极间隔物在大部分的选择栅极上方具有均匀的厚度。形成选择栅极间隔物的第一层可能经由氧化选择栅极电极。形成选择栅极间隔物的第二层可能经由原子层沉积。当间隔物形成在逻辑区域中相邻于逻辑栅极时,记忆体区域可能以保护层覆盖。
  • 集成电路用于形成方法

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