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[发明专利]根据记忆体存取类型的效益并配合积极层级的预取-CN201510810493.X有效
发明人：罗德尼·E·虎克;柯林·艾迪;道格拉斯·R·瑞德;约翰·麦可·吉尔 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：处理器包括根据记忆体存取预取资料的预取器，每一记忆体存取与多个预定记忆体存取类型中的记忆体存取类型相关联。处理器也包括用以保存多个分数的表格，前述的分数是用以根据多个预定记忆体存取类型表明预取器预取资料的效益。预取器根据记忆体存取之积极层级预取资料，积极层级并是以表格中的多个分数以及相关联的记忆体存取中的记忆体存取类型所得到。
根据记忆体存取类型效益配合积极层级

[发明专利]直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置以及操作其的方法-CN202011111422.8在审
发明人：林振东;陈月峰 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：本发明揭露一种直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置，以及操作其的方法。该直接记忆体存取控制器用来存取一记忆体，该记忆体包含一安全区域及一非安全区域。该操作直接记忆体存取控制器的方法包含：找出该直接记忆体存取控制器中处于一闲置状态的一直接记忆体存取通道；设定该直接记忆体存取通道之一模式暂存器的一暂存值，以令该直接记忆体存取通道操作于一安全模式；设定该直接记忆体存取通道之一地址暂存器及一计数暂存器；以及控制该直接记忆体存取通道基于该地址暂存器及该计数暂存器进行资料数据搬移。
直接记忆体存取控制器使用电子装置以及操作方法

[发明专利]直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置以及操作其的方法-CN202011112673.8在审
发明人：林振东;陈月峰 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：本发明揭露一种直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置，以及操作其的方法。该直接记忆体存取控制器用来存取一记忆体，该记忆体包含一特权区域及一普通区域。该操作直接记忆体存取控制器的方法包含：找出该直接记忆体存取控制器中处于一闲置状态的一直接记忆体存取通道；设定该直接记忆体存取通道之一模式暂存器的一暂存值，以令该直接记忆体存取通道操作于一特权模式；设定该直接记忆体存取通道之一地址暂存器及一计数暂存器；以及控制该直接记忆体存取通道基于该地址暂存器及该计数暂存器进行数据搬移。
直接记忆体存取控制器使用电子装置以及操作方法

[发明专利]电阻式随机存取记忆体与其控制方法-CN201510031573.5有效
发明人：简才淦;邱瀝毅;林璟谦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式随机存取记忆体与其控制方法。上述电阻式随机存取记忆体包括温度感测器以检测电阻式随机存取记忆体的温度。上述控制方法可检测电阻式随机存取记忆体的温度，以及根据此温度设定电阻式随机存取记忆体的感测放大器的参考阻值。上述控制方法也可根据电阻式随机存取记忆体的温度切换操作模式而适应温度变化以提高电阻式随机存取记忆体的可靠度。
电阻随机存取记忆体与其控制方法

[发明专利]多个资料预取器根据记忆体存取类型的预取效益听从其他预取器-CN201510810507.8有效
发明人：罗德尼·E·虎克;柯林·艾迪;道格拉斯·R·瑞德;约翰·麦可·吉尔 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G06F12/0862 文献下载
摘要：处理器包括用以根据记忆体存取预取资料的第一预取器以及根据记忆体存取预取资料的第二预取器，每一个记忆体存取与多个预定记忆体存取类型的其中之一记忆体存取类型相关联。处理器也包括用以保存第一分数以及第二分数的表格，第一分数是用以表示第一预取器根据多个预定记忆体存取类型预取资料的效益，第二分数是用以表示第二预取器根据多个预定记忆体存取类型预取资料的效益。第一以及第二预取器根据表格中的个别的分数以及相关联的记忆体存取的记忆体存取类型而选择的在预取资料时听从彼此。
资料预取器根据记忆体存取类型效益听从其他

[发明专利]动态随机存取记忆体的控制方法及其在电脑中的应用-CN02130535.8无效
发明人：李明宪;吴毅刚;陈健铭 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2002-08-14 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种可调整记忆体页大小的动态随机存取记忆体(DRAM)控制方法，包括下列步骤：在开机期间先辨识DRAM的型态，判定DRAM的最大记忆体页大小，并根据DRAM的型态设定一页遮罩，当收到DRAM存取要求时，根据页遮罩分别决定用于前笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分和用于下笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分，然后比较前笔DRAM存取的内部位址其第一部分以及下笔DRAM存取的内部位址其第一部分，并且比较前笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分以及下笔DRAM存取的内部位址其可调整记忆体页部分，用来判定下笔DRAM存取是否为页命中或页错失存取。
动态随机存取记忆体控制方法及其电脑中的应用

[发明专利]电子装置及检测方法-CN201611041039.3有效
发明人：蒋升翰;陈凤珊 -专利权人：英业达(重庆)有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：电子装置包含主板、随机存取记忆体、主板电池及处理单元。随机存取记忆体设置在主板上。主板电池设置在主板上，并与随机存取记忆体电性耦接以供应随机存取记忆体的电能。处理单元设置在主板上，并与随机存取记忆体电性耦接，处理单元用以将检测值写入至随机存取记忆体中的闲置位址暂存器，并用以检测闲置位址暂存器是否维持检测值。
随机存取记忆处理单元主板电池闲置位暂存器主板电子装置检测电性耦接判定写入并用恢复

[发明专利]USB接口测试装置及测试方法-CN201410563870.X有效
发明人：薛卫华 -专利权人：中怡（苏州）科技有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G06F11/267 文献下载
摘要：USB接口测试装置包括USB接口单元、随机存取记忆体以及处理单元。USB接口单元电性连接至USB接口。处理单元控制随机存取记忆体，将来自USB接口单元的第一测试数据写入随机存取记忆体，并将读取自随机存取记忆体的第二测试数据输出至USB接口单元。包括步骤：电性连接USB接口测试装置至USB接口，USB接口测试装置包括随机存取记忆体；将第一测试数据写入随机存取记忆体，第一测试数据来自USB接口；以及从随机存取记忆体读取第二测试数据，第二测试数据输出至
usb 接口测试装置方法

[发明专利]有效使用记忆体频宽的记忆体存取系统及方法-CN200910137297.5有效
发明人：钮圣君;陈滢如 -专利权人：承景科技股份有限公司;奇景光电股份有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H04N5/937 文献下载
摘要：本发明是有关于一种有效使用记忆体频宽的记忆体存取系统及方法。以数据安排单元将视频数据安排成至少一主区块及一附加区块，其分别储存于记忆体装置内。视频数据经特别安排后，使得记忆体装置内的主区块视频数据得以被一装置循序读取，因而得以增进记忆体频宽使用率及记忆体数据的存取效率。
有效使用记忆体频宽存取系统方法

[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的制造方法-CN202210915823.1在审
发明人：张盟昇;黄家恩;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本揭示文件揭示了一种记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的制造方法。该记忆体装置包括多个记忆体单元，记忆体单元中各自包括彼此串联耦合的存取晶体管与电阻器。记忆体单元的电阻器各自形成为设置于基板上方的多个互连结构中的一者。记忆体单元的存取晶体管设置相对于第一金属化层，此第一金属化层含有来自基板的多个互连结构。
记忆体装置系统以及制造方法

[发明专利]依电性随机存取记忆体装置-CN200810135502.X无效
发明人：许跃腾 -专利权人：光宝科技股份有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明是有关于一种依电性随机存取记忆体装置，包括一依电性随机存取记忆体单元，一用以存取该依电性随机存取记忆体单元的存取单元，一用以控制该存取单元以对该依电性随机存取记忆体单元进行更新的更新单元，一磁性电容单元以及一控制单元，该控制单元以一充电信号对该磁性电容单元充电，并对该磁性电容单元的放电电压进行升/降压转换，以输出一定电压给该更新单元及该存取单元的稳压单元。借此，使存取单元及更新单元可以通过稳压单元持续地使用磁性电容单元中的电力对依电性随机存取记忆体单元进行更新，而确保依电性随机存取记忆体单元中储存资料的正确性与安全性。
依电性随机存取记忆体装置

[发明专利]储存系统-CN201810433190.4有效
发明人：黄意中;傅子瑜 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种储存系统，包含随机存取记忆体、硬盘、非挥发性记忆体及处理电路，并且硬盘另包含媒体快取。当处理电路欲将随机存取记忆体的数据储存至硬盘时，数据会先储存至非挥发性记忆体，再由非挥发性记忆体不经过硬盘的媒体快取，而将数据直接写入硬盘的连续的磁区。
储存系统

[实用新型]动态随机存取记忆体发光控制系统-CN201620045261.X有效
发明人：郑翰鸿;郭继汾 -专利权人：宇帷国际股份有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种动态随机存取记忆体发光控制系统，包含：复数个动态随机存取记忆体，各动态随机存取记忆体包含一处理单元与一发光单元，该处理单元能驱使该发光单元以特定的模式发光，该些发光单元集合为一发光模组；一行动电子装置，内嵌一控制单元，该控制单元用于向相应的动态随机存取记忆体的处理单元发送相应的控制信号，该控制信号与相应的动态随机存取记忆体进行配对与辨认，并使相应的处理单元控制发光单元发光，使发光模组以特定模式发光本实用新型能控制动态随机存取记忆体的发光模式，以符合使用者的需求与喜好。
动态随机存取记忆体发光控制系统

[实用新型]动态随机存取记忆体-CN201520976283.3有效
发明人：郑翰鸿;郭继汾 -专利权人：宇帷国际股份有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G11B33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种动态随机存取记忆体，包括一本体、一处理单元、一显示幕及一传输埠。该本体具有一基板及一盖设于该基板的相对两侧面的壳部，该基板设有一记忆体模组；该处理单元设于该本体；该显示幕设于该本体且可由该动态随机存取记忆体的外部观视，该显示幕与该处理单元电性连接，该处理单元可控制该显示幕的显示状态；该传输埠设于该基板，且该传输埠电性连接该记忆体模组。本实用新型的动态随机存取记忆体，显示幕可依据处理单元的控制而具有较多不同变化的显示状态而显得更加美观，该动态随机存取记忆体可例如通过显示幕的图文变化而让使用者较方便且明确地得知动态随机存取记忆体的状态。
动态随机存取记忆体

[发明专利]记忆体核心,存取其晶胞和读取硫硒碲玻璃记忆体的方法-CN200310115242.7有效
发明人：陈逸舟;蔡文哲;卢志远 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-11-24 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种记忆体核心，存取其晶胞和读取硫硒碲玻璃记忆体的方法，该记忆体核心包括一字元线与一位元线，记忆体核心也包括一核心晶胞，电性通讯于该字元线与该位元线。该核心晶胞包括一临界值可变式材质。可程序化该临界值可变式材质以根据馈入至该字元线的一偏压来存取该核心晶胞。其可免去存取晶体管，同时也简化了解码逻辑。本发明也提供了存取一记忆体核心晶胞的方法，可避免发生用于程序化记忆体核心的电流/电压比操作电流/电压高得多的问题，可直接通过程序化核心晶胞来完成核心晶胞存取。该读取硫硒碲玻璃记忆体的方法可不需要提供核心晶胞存取的存取晶体管，亦即当核心晶胞并用硫硒碲玻璃材质时，可通过程序化核心晶胞来完成核心晶胞存取。
记忆体核心存取晶胞读取硫硒碲玻璃方法

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