专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置-CN200810202769.6有效
  • 吴浩 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2008-11-14 - 2010-06-16 - G01N21/956
  • 一种判断晶圆表面重复缺陷的方法,包括如下步骤:(a)获得待测晶圆表面若干晶粒表面形貌数据,以及晶粒形貌的设计数据;(b)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据,确定子晶粒的划分规则;(c)根据子晶粒划分规则,利用晶粒表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒;(d)以子晶粒为基本的检测单元,组成至少一个检测序列;(e)在同一检测序列中,选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较,以判断重复缺陷。本发明还提供了一种判断晶圆表面重复缺陷的装置。本发明的优点在于,以每个晶粒中重复出现的子晶粒作为基本的测试单元对晶圆表面进行测试。因此本发明可以对晶粒表面重复单元所在的区域进行测试,以找到晶粒表面位于上述区域内的重复缺陷。
  • 判断表面重复缺陷方法装置
  • [发明专利]半导体晶粒的接合方法-CN200910149028.0有效
  • 余振华;邱文智;吴文进 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2009-06-11 - 2010-06-16 - H01L21/50
  • 本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法,该接合方法包含下列步骤:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化。其次,将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化,调整第一晶粒与第二晶粒,使得第一表面与第二表面互相平行。最后,将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,调整第一晶粒与第二晶粒的步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。本发明在将晶粒接合至晶粒或晶圆上时,有较大的产量以及更增进的可信赖度。
  • 半导体晶粒接合方法
  • [发明专利]一种LED芯片晶粒盘片全自动分离装置-CN202110573276.9有效
  • 林永祥 - 琉明光电(常州)有限公司
  • 2021-05-25 - 2021-08-03 - B07C5/02
  • 本发明公开了一种LED芯片晶粒盘片全自动分离装置,涉及芯片晶粒技术领域,该全自动分离装置包括晶粒分离台、晶粒分离区、晶粒分离组件、晶盘投放口和晶盘存放组件,所述晶粒分离台上表面一侧设置有晶粒分离区,所述晶粒分离区上开设有若干个负压吸附孔,所述晶粒分离台上表面中部设置有晶粒分离组件,所述晶粒分离台上表面晶粒分离区对应位置处开设有晶盘投放口,所述晶粒分离台下表面设置有晶盘存放组件;本发明科学合理,使用安全方便,通过与晶盘上晶粒对应的分离吸头以及电磁铁的设置,使得可以一次性完成整个晶盘上合格晶粒与不合格晶粒的分离,大大的提高了分离效率。
  • 一种led芯片晶粒盘片全自动分离装置
  • [发明专利]混合式固晶方法-CN202210071306.0在审
  • 卢彦豪 - 梭特科技股份有限公司
  • 2022-01-21 - 2022-11-18 - H01L21/50
  • 本发明提供了一种混合式固晶方法,包括下列步骤:晶圆被切割成多个晶粒,该多个晶粒分布在承载膜的多个目标区块上,晶粒表面无锡球且无铜柱;清除该多个晶粒的第一表面上的微粒;将该多个晶粒的第二表面的侧边和角落从该多个目标区块上剥离;翻转承载膜,并且将该多个晶粒转移到第一载体,该多个晶粒的第一表面接触第一载体;将承载膜从该多个晶粒的第二表面上移除;清除该多个晶粒的第二表面上的微粒;以及将该多个晶粒从第一载体转移到基板上,基板表面无锡球且无铜柱因此,本发明能够降低晶粒附着于承载膜的效果,晶粒能够一次转移到第一载体上,且承载膜易于移除。
  • 混合式方法
  • [发明专利]具背侧保护结构的半导体组件封装结构及其方法-CN200810174980.1有效
  • 杨文焜;许献文 - 育霈科技股份有限公司
  • 2008-10-31 - 2009-06-03 - H01L23/00
  • 本发明提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构及其方法,所述半导体组件封装结构包括晶粒,所述晶粒具有背表面及主动表面形成于所述晶粒上;黏胶层,所述黏胶层形成于晶粒的背表面上;保护基板,所述保护基板形成于黏胶层上;以及多个凸块,所述多个凸块形成于晶粒的主动表面上,以用于电连接。本发明更提供用于形成半导体组件封装的方法,其包括提供一具有背表面及主动表面的多个晶粒的晶片;于上述晶粒的背表面上形成黏胶层;于上述黏胶层上形成保护基板;于上述晶粒的主动表面上形成多个凸块;以及将多个晶粒切割成单独晶粒以将其单一化
  • 具背侧保护结构半导体组件封装及其方法
  • [实用新型]引线框架-CN202123420857.3有效
  • 陈达志;陈镇鸿;华璋 - 先进半导体材料(安徽)有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-06-03 - H01L23/495
  • 本实用新型公开了一种引线框架,包括:晶粒座,用于承载晶粒;以及多个引线,环绕所述晶粒座布置,并分别电连接到所述晶粒;其中,所述晶粒座的上表面设有邻近所述晶粒座的侧边布置的凸部,所述晶粒座的下表面设有邻近所述晶粒座的侧边布置的凹部通过在所述晶粒座的上表面设置所述凸部,能够在封装时阻挡银胶的扩散,通过在所述晶粒座的下表面设置所述凹部,能够在封装时阻挡封装胶向所述晶粒座中心溢出。通过所述凸部和所述凹部,能够加长水汽侵入晶粒的路径,从而加强阻挡水汽侵入效果。
  • 引线框架
  • [发明专利]晶粒堆叠及系统集成电路结构-CN202210252087.6在审
  • 张任远;赖佳平;李建璋 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-15 - 2022-12-23 - H01L23/538
  • 一种晶粒堆叠及系统集成电路结构,晶粒堆叠包含:第一晶粒,包含第一半导体基板;第一重分布层(RDL)结构,设置在第一晶粒的前表面上且电连接至第一半导体基板;第二晶粒,接合至第一晶粒的前表面且包含第二半导体基板;第三晶粒,接合至第一晶粒的前表面且包含第三半导体基板;第二RDL结构,设置在第二晶粒及第三晶粒的前表面上且电连接至第二半导体基板及第三半导体基板;及介电穿孔(TDV)结构,在第二晶粒与第三晶粒之间延伸且电连接至第一第二晶粒及第三晶粒设置在垂直于晶粒堆叠的垂直堆叠方向延伸的平面中。
  • 晶粒堆叠系统集成电路结构
  • [发明专利]复合陶瓷滤波器及其制备方法-CN202010410698.X在审
  • 侯咏轩;徐元莉;侯春树;侯文洁 - 昆山卡德姆新材料科技有限公司
  • 2020-05-15 - 2020-07-28 - C04B35/622
  • 本发明提供的复合陶瓷滤波器,包括粗晶粒陶瓷胚体和包裹在粗晶粒陶瓷胚体表面的细晶粒陶瓷包裹层,通过使细晶粒陶瓷包裹层的晶粒尺寸小于0.2μm,能够降低复合陶瓷滤波器表面晶粒尺寸,从而增大其介电常数,由于细晶粒陶瓷包裹层的存在,还能够提升复合陶瓷滤波器表面的致密性,并降低其表面粗糙度;本发明还提供上述复合陶瓷滤波器的制备方法,该方法先制备粗晶粒陶瓷胚体及纳米制程溶液,再将粗晶粒陶瓷胚体浸泡在纳米制程溶液中,使粗晶粒陶瓷胚体的表面被纳米制程溶液完全覆盖,再将浸泡后的粗晶粒陶瓷胚体捞起烘干,经低温热处理后,得到所述复合陶瓷滤波器,该方法形成细晶粒陶瓷包裹层的速度快、效果好、易于推广使用。
  • 复合陶瓷滤波器及其制备方法
  • [实用新型]复合陶瓷滤波器-CN202020808674.5有效
  • 侯咏轩;徐元莉;侯春树;侯文洁 - 昆山卡德姆新材料科技有限公司
  • 2020-05-15 - 2020-12-11 - C04B35/622
  • 本实用新型提供的复合陶瓷滤波器,包括粗晶粒陶瓷胚体和包裹在粗晶粒陶瓷胚体表面的细晶粒陶瓷包裹层,通过使细晶粒陶瓷包裹层的晶粒尺寸小于0.2μm,能够降低复合陶瓷滤波器表面晶粒尺寸,从而增大其介电常数,由于细晶粒陶瓷包裹层的存在,还能够提升复合陶瓷滤波器表面的致密性,并降低其表面粗糙度;本实用新型还提供上述复合陶瓷滤波器的制备方法,该方法先制备粗晶粒陶瓷胚体及纳米制程溶液,再将粗晶粒陶瓷胚体浸泡在纳米制程溶液中,使粗晶粒陶瓷胚体的表面被纳米制程溶液完全覆盖,再将浸泡后的粗晶粒陶瓷胚体捞起烘干,经低温热处理后,得到所述复合陶瓷滤波器,该方法形成细晶粒陶瓷包裹层的速度快、效果好、易于推广使用。
  • 复合陶瓷滤波器
  • [发明专利]封装结构及其制造方法-CN201811375002.3有效
  • 林南君;徐宏欣 - 力成科技股份有限公司
  • 2018-11-19 - 2021-07-06 - H01L23/31
  • 本发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括晶粒、密封体、阻挡结构以及重布线路结构。晶粒具有主动面及相对于主动面的背面。密封体密封晶粒的侧壁。密封体具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一表面晶粒的背面共面。第二表面晶粒的主动面位于不同的水平高度。阻挡结构配置于晶粒的主动面上。阻挡结构的顶面基本上与密封体的第二表面共面。重布线路结构位于密封体、阻挡结构及晶粒上。重布线路结构电性连接至晶粒
  • 封装结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体封装-CN202110559835.0在审
  • 曾峥;柯庆忠;詹归娣 - 联发科技股份有限公司
  • 2021-05-21 - 2021-12-10 - H01L23/64
  • 本发明公开一种半导体封装,包括:第一晶粒,包括上表面和与该上表面相对的下表面,其中,该第一晶粒包括贯穿第一晶粒的硅通孔;第二晶粒,堆叠在该第一晶粒的该上表面上;中介层,设置在该第一晶粒的该下表面上;以及电感器采用这种方式,电感器设置在晶粒的正面,直接通过连接焊盘与晶粒连接,这样来缩短电路径和减少面积占用。
  • 半导体封装

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