专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据传输系统和基于UWB的融合传感器-CN202211319092.0在审
  • 张明明;张磊;林维聪 - 南方科技大学
  • 2022-10-26 - 2023-01-31 - H04W4/02
  • 本发明实施例公开了一种数据传输系统和基于UWB的融合传感器;该系统包括基于UWB的融合传感器和基站;基站用于周期性生成并广播信标信号;融合传感器用于在与基站链接成功后,接收信标信号,采集IMU数据,通过融合传感器内部的主控MCU模块和UWB模块预处理IMU数据,生成并发送数据帧;基站还用于接收数据帧,向融合传感器发送确认帧,并对数据帧中的IMU数据进行处理。本实施例将IMU单元与UWB模块融合形成融合传感器,并与基站建立通信链接,优化高速多设备的数据传输过程,并在信道负荷较重时减小数据传输的时延。
  • 数据传输系统基于uwb融合传感器
  • [发明专利]融合存储器器件及系统-CN201010112223.9有效
  • 李世昊 - 海力士半导体有限公司
  • 2010-02-08 - 2010-12-29 - G11C16/06
  • 本发明涉及一种融合存储器器件及系统。呈现了一种包括具有不同电阻分布的相变存储器器件的融合存储器器件以及相应的数据处理系统。融合存储器器件包括设置在同一芯片上的第一和第二相变存储器组。因为第二相变存储器组呈现不同于第一相变存储器组的电阻分布的电阻分布,所以融合存储器器件能够被配置为同时起到DRAM器件和快擦写存储器器件的功能。因为第一和第二相变存储器组能够由相似的DRAM部件组成,所以与具有不相类似的DRAM和快擦写存储器部件的其它融合存储器器件相比,相应的制造和驱动电路明显简化。
  • 融合存储器器件系统
  • [发明专利]一种光电融合脑电极-CN202110377279.5在审
  • 李双;傅翼斐;陈皓;牛兰;康晓洋;张锐 - 季华实验室
  • 2021-04-08 - 2021-07-06 - A61B5/291
  • 本发明公开了一种光电融合脑电极,包括电极本体,电极本体上设有位于其中部且基于光电容积描记的光电传感器,电极本体上还设有环绕在光电传感器外侧的电极组件。该一种光电融合脑电极,可同时采集同一采集点处的头皮血流信号和脑电信号,便于观察该采集点处两种信号的同步变化,经过分析可得大量人体生理信息,利于多通道的脑电健康监测分析;另外,该光电融合脑电极使用时可通过电极组件拨开头发,规避毛发引起的信号吸收减弱而影响光电传感器的检测精度的问题,环绕设置在光电传感器外侧的电极组件可阻挡光电传感器发出且向外散射的光信号,避免光信号散射到附近的光电融合脑电极中而影响附近的光电融合脑电极的检测结果
  • 一种光电融合电极

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