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[发明专利]一种加载条型光波导集成结构及其制备方法-CN202010887010.7有效
发明人：张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供的一种加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型掺杂光波导，以及包覆加载条型掺杂光波导的波导包层，其中，加载条型掺杂光波导为掺杂重质量离子的无机材料A，波导包层为无掺杂无机材料B，加载条型掺杂光波导与波导包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型掺杂光波导的底表面与波导包层的底表面在同一水平面，加载条型掺杂光波导的顶表面与波导包层的顶表面在同一水平面光调制层位于功能薄膜层与隔离层之间，一方面，不会增加驱动电压；另一方面，光信号能够被折射率小的波导包层限制在折射率大的加载条型掺杂光波导和功能薄膜层中传输。
一种加载条型光波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器-CN202111125945.2有效
发明人：尹志军;汤济;崔国新;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器，该端面耦合器具有异质两步倒锥形波导的耦合结构，应用于将光纤中的光耦合进入薄膜铌酸锂芯片上的波导。该端面耦合器自下而上包括衬底层、绝缘层和耦合结构，其中，耦合结构包括顺序相接的覆盖波导、由氮化硅制成的第一步倒锥形波导、由LION薄膜材料制成的第二步倒锥形波导和器件波导。本申请首先将光纤与覆盖波导端面对接，光纤模场尺寸与覆盖波导匹配，光能量高效地进入覆盖波导传播；随后，覆盖波导中的模场又通过两步倒锥形波导结构，依次且有效地转换为条形波导模场和脊形波导模场，最终进入功能器件
一种基于铌酸锂薄膜脊形波导端面耦合器

[发明专利]集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法-CN202110402093.0有效
发明人：蒋青松;白雨驰;张宇林;季仁东;周广宏 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法，制备的光电探测器包括：衬底（1），形成于衬底（1）上的光波导（2），设置在光波导（2）的光耦合输入端（3）的1×2光分束器（4），覆盖在光波导（2）表面上的低维材料异质结薄膜（5），在低维材料异质结薄膜（5）两端、光波导（2）两侧还分别覆盖正电极（6）和负电极（7）；低维材料异质结薄膜（5）与光波导（2）的传输方向垂直设置；在光波导（2）与低维材料异质结薄膜（5）的相互作用区，光波导（2）为两个锥型波导结构相对设置的结构。
集成波导材料异质结光电探测器制备方法

[发明专利]一种微波衰减器-CN201910495351.7在审
发明人：韩磊;李江涛;秦瑞洁 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波衰减器，其包括衬底、设置在衬底上的共面波导、第一吸收电阻与第二吸收电阻，共面波导包括共面波导信号线与关于共面波导信号线对称放置的第一共面波导地线和第二共面波导地线，第一吸收电阻位于共面波导信号线与第一共面波导地线之间，第二吸收电阻位于共面波导信号线与第二共面波导地线之间，第一吸收电阻和第二吸收电阻包括石墨烯薄膜，通过施加调控电压来调节石墨烯薄膜电阻大小以调节共面波导信号线上微波功率的衰减量。上述微波衰减器将石墨烯薄膜作为吸收电阻，通过在驱动电极上施加电压调控吸收电阻的阻值大小，实现多种衰减量的可重构，使器件微波性能和适用性大幅提高，同时减小了器件尺寸。
吸收电阻共面波导信号线共面波导地线微波衰减器共面波导石墨烯薄膜衰减量衬底薄膜电阻调控电压驱动电极施加电压微波功率可重构石墨烯线对称减小微波施加调控

[发明专利]一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关-CN202110934195.7在审
发明人：刘富荣;张露露;陈清远;谢轩轩;连阳波 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，属于全光网络应用技术领域。全光开关包括层底、信号光波导、调控光波导和相变材料薄膜。信号光波导与调控光波导交互设计，相变材料薄膜嵌入在光波导交界处。利用调控光波导与相变材料薄膜倏逝场耦合作用，控制光脉冲的能量和数量来改变相变材料薄膜的相态。硫系化合物相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变信号光的光场传输行为，从而实现了全光开关。
一种基于相变材料分支波导交互调控超快全光开关

[发明专利]三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器-CN202310845015.7在审
发明人：杨作运;宝剑锋;邱晨 -专利权人：苏州康冠光电科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器，包括衬底，设于所述衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有铌酸锂薄膜波导部，所述铌酸锂薄膜波导部端面为三角形。经实验验证，该方法能实现模斑变换器部位窄线宽三角形端面的薄膜铌酸锂波导制备；可以实现波导和光纤模斑的匹配，从而减小波导和光纤耦合的插入损耗，解决了铌酸锂薄膜光波导和光纤的模式适配问题；采用紫外光刻的工艺
三角形端面铌酸锂薄膜波导制备方法变换器

[发明专利]铌酸锂薄膜多功能集成光学器件及其制造方法-CN201610907886.7在审
发明人：李萍;史云玲 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜多功能集成光学器件，包括基底材料、下层电极、下缓冲层、铌酸锂薄膜、波导耦合器、Y分支波导、上缓冲层、波导耦合器吸收层电极和Y分支波导调制器电极。本发明所述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件可实现3dB波导耦合器与Y波导调制器的单片集成，有利于该集成芯片的小型化，可实现光纤陀螺用集成光学器件集成度的提升、光纤陀螺仪体积的缩小以及光纤陀螺系统可靠性的提升本申请还公开了一种制造上述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件的制造方法。
铌酸锂薄膜多功能集成光学器件及其制造方法

[发明专利]一种基于薄膜型空间滤波器的波导模式控制方法-CN201310694111.2有效
发明人：罗朝明;童耀南;吴健辉;陶扬威;杨宣兵;欧阳竟成;万军华 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：发明公开了一种基于薄膜型空间滤波器的波导模式控制方法，该发明属于激光器技术领域，其特征在于，在多模波导中嵌入薄膜型空间滤波器，模角不在空间滤波器角域带宽以内的波导模式被抑制，从而实现波导模式的控制。关键在于合理设计薄膜型空间滤波器结构，该结构可以是折射率沿波导纵向变化的一维薄膜结构以及横向和纵向都改变的二维结构，且可通过改变空间滤波器的材料或/和尺寸参数来调节空间滤波器的角域带宽。本发明实现较为简单、成本较低和高阶模抑制效果好，可应用于波导激光器中。
一种基于薄膜空间滤波器波导模式控制方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器-CN202010294395.6有效
发明人：李萍 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片，通过将Y分支波导、射频调制部分的波导光路、偏压控制部分的波导光路在空间上进行分隔，并使用90°弯曲波导将上述波导光路进行连接，可以显著地缩短铌酸锂薄膜电光调制器芯片的长度；另外，还提供了一种铌酸锂薄膜电光调制器，将作为光学输入端口和输出端口的光纤放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的同一侧，并且将电光调制器件的光纤端口保护结构放置于器件的同一侧，可以有效地缩短铌酸锂薄膜电光调制器的总长度
一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及

[发明专利]采用曲线光波导连接的铌酸锂薄膜双Y分支光波导调制器-CN202110158375.0有效
发明人：田自君;郑帅峰;陈诚;文利 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用曲线光波导连接的铌酸锂薄膜双Y分支光波导调制器，包括双Y分支光波导相位调制器芯片，所述双Y分支光波导相位调制器芯片包括衬底,所述衬底上依次设有二氧化硅层、光波导层和保护层，所述保护层上设有调制电极；所述光波导层包括铌酸锂薄膜层和双Y分支光波导结构的铌酸锂脊形光波导，连接两个Y分支光波导的过渡光波导为曲线波导。本发明中，过渡光波导采用曲线结构，有效消除了辐射模在光路中耦合形成的串扰和噪声问题；另外，本发明通过改变铌酸锂薄膜光波导芯片的结构，增大了铌酸锂脊形光波导与保护层的折射率差，进而增强了对光的束缚能力，使光波导的弯曲半径大大减小，实现了双Y分支光波导调制器的小型化。
采用曲线波导连接铌酸锂薄膜分支调制器

[实用新型]一种波分复用或解复用的光器件-CN202022768532.3有效
发明人：夏翔;沈杰;李雪峰;黄惠良 -专利权人：上海鸿辉光通科技股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波分复用或解复用的光器件，包括平面光波导芯片，所述平面光波导芯片包括：设有一个光输入端口的输入端波导；设有多个光输出端口的输出端波导；分别用于透射各对应的特定波长的光，并反射其他波长的光的多个薄膜滤波片；开设在所述平面光波导芯片内，用于固定各所述薄膜滤波片的切割槽；设置在所述平面光波导芯片内，用于传输各所述薄膜滤波片反射的光的芯片内光波导；设置在所述平面光波导芯片内，用于对所述芯片内光波导的光路进行翻转的翻转结构
一种波分复用解复用器件

[发明专利]具有多层波导的薄膜SAW器件-CN202080026558.0在审
发明人： M·斯米尔诺瓦;M·纳普 -专利权人： RF360欧洲有限责任公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，SAW器件包括载体衬底(1)、载体衬底上的压电薄膜(2)、压电薄膜上的叉指电极结构(3)和波导层的层堆叠(4)。层堆叠布置在载体衬底和压电薄膜之间。层堆叠包括第一波导层(41)和第二波导层(42)，其中第一波导层中的声速至少是第二波导层中的声速的1.5倍。该器件可以包括在层堆叠与载体衬底之间的温度补偿层(5)和富陷阱层(6)。
具有多层波导薄膜 saw 器件

[实用新型]介电性能测试装置-CN202021352954.6有效
发明人：宋锡滨;孙莹莹;奚洪亮;艾辽东 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：该介电性能测试装置包括：谐振腔，包括相对设置的凹面镜和平面镜，凹面镜的凹面朝向平面镜，平面镜具有靠近凹面镜一侧的承载面，用于放置薄膜样品；环体，设置于平面镜靠近凹面镜的一侧，环体具有靠近平面镜一侧的平面，用于将薄膜样品撑平；输入波导，贯穿谐振腔设置；输出波导，固定于平面镜上，且输出波导与输入波导对应设置；网络分析仪，分别与输入波导和输出波导连接。上述谐振腔适用于薄膜样品的测试，厚度能够达到微米级，采用上述谐振腔能够得到较高的品质因数，测试精度较高；薄膜样品环体可以将薄膜样品完全撑平，不需要薄膜制成具有一定厚度及强度的样品，操作方法简单。
性能测试装置

[发明专利]内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器-CN202110526913.7在审
发明人：王荣平;杨振;牛磊;张政;魏腾秀;邬健;严昆仑;吴端端;徐培鹏;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器，通过在预先模拟平面波导放大器的光场分布图，且基于该光场分布图优化波导结构设计参数，得到优化后的波导结构设计参数，在光学基片上沉积掺杂稀土的第一薄膜层及在第一薄膜层上再沉积不掺杂稀土的第二薄膜层，然后利用刻蚀气体产生的等离子体直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上按照优化后的波导结构设计参数刻蚀波导结构，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成所制备的平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
内层掺杂平面波导放大器制备方法

[发明专利]一种基于相变材料的多模式切换的1×3光开关及其制备方法-CN202210940928.2在审
发明人：张桂菊;高雪松;汪成根;崔元昊 -专利权人：光芯互连（苏州）科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：光开关结构为在衬底上平行设置三根直条形Si波导和两根直条形复合波导，形成单直波导区域、上行耦合波导区域和下行耦合波导区域；依据设计的波导结构，先采用聚焦电子束曝光工艺，得到五根Si波导，再对复合波导的Si波导进行磁控溅射，在复合波导的Si波导上沉积多元硫化物相变薄膜开关单元。本发明由覆盖在光开关耦合区域复合波导之上的相变材料薄膜控制，通过切换相变薄膜的相态可对输入的电磁场基模，由三根条形Si波导分别进行基模、一阶模和二阶模的三路选通和模式切换，实现模式分离和复用的光开关切换功能
一种基于相变材料模式切换开关及其制备方法