“薄膜技术”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9676707个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有机电致发光显示板及其制造方法-CN200510073856.2有效
发明人：金禁男 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机EL显示板，它包括用于驱动每个像素的至少一个像素电路，其中，所述像素电路包括每个像素至少一个有机发光元件、至少两个薄膜晶体管和至少一个电容器。所述薄膜晶体管分别包括栅极和半导体层，在所述半导体层中，形成沟道区域、源极区域和漏极区域。在所述薄膜晶体管之一上的栅极上接触的导电层耦接到另一个薄膜晶体管和至少一个电容器。
有机电致发光显示及其制造方法

[发明专利]液晶显示板和液晶显示设备-CN200510091116.1有效
发明人：卢淳俊;白弘九 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：第一缓冲层包括聚合物类碳薄膜，第一取向层包括含氟的金刚石类碳薄膜。第二基板包括上基板、形成在上基板上的第二缓冲层和形成在第二缓冲层上的第二取向层。第二缓冲层包括聚合物类碳薄膜，第二取向层包括含氟的金刚石类碳薄膜。液晶显示板具有改善的光透射率以及取向层和基板之间分离的较低可能性。
液晶显示设备

[发明专利]粘接剂组合物及其制造方法、使用它的粘接薄膜、半导体装载用基板及半导体装置-CN200510083610.3有效
发明人：稻田祯一;住谷圭二;富山健男;岩仓哲郎;川上广幸;铃木雅雄;松崎隆行;细川羊一;畠山惠一;岛田靖;田中裕子;栗谷弘之 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2001-02-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
粘接剂组合及其制造方法使用薄膜半导体装载用基板装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510070180.1有效
发明人：神川刚;山田英司;荒木正浩 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。从而防止了裂纹的产生。而且，通过抑制由形成氮化物半导体薄膜的原材料原子和分子从隆脊表面上的顶面生长部分迁移或移动至刻槽区域而导致的氮化物半导体薄膜的形成的方法，形成了具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层，从而消除了电流泄漏通道和损坏
半导体器件及其制造方法

[发明专利]激光掩模以及利用其结晶的方法-CN200410101579.7有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光掩模和利用其结晶的方法，能够产生具有均匀的结晶特性的多晶硅薄膜。按照本发明，一种利用激光掩模结晶的方法，所述激光掩模具有第一区段中的参考图案和第二区段中的所述参考图案的相反图案，该方法包括：提供具有硅薄膜的基板；将激光掩模的第一区段设置在一部分硅薄膜上，然后通过该第一区段照射第一激光束；移动激光掩模或者基板，从而将激光掩模的第二区段设置在所述部分硅薄膜上，然后通过第二区段照射第二激光束。
激光以及利用结晶方法

[发明专利]动态随机存储器及其存取方法-CN200610061095.3有效
发明人：颜硕廷 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管和一比较器。该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极。该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极。
动态随机存储器及其存取方法

[发明专利]薄膜磁头的制造方法及其制造装置-CN200410062379.5有效
发明人：加藤政人;宫岛茂信 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2000-01-28 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜磁头的制造方法及其制造装置。薄膜磁头的制造方法是一种在基板上形成包含有由绝缘层、磁性层、导电层薄膜层叠层构成的磁性阻抗效应元件的薄膜磁性元件，而且一边对所述磁性阻抗效应元件的电阻值实施测定，一边对所述基板和所述磁性阻抗效应元件沿着高度方向实施研磨加工
薄膜磁头制造方法及其装置

[发明专利]基于可分散超支化共轭聚合物纳米粒子的Fe3+荧光薄膜传感器件制备方法-CN201610320466.9有效
发明人：文阳平;丁万川;徐景坤 -专利权人：江西农业大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可分散超支化共轭聚合物纳米粒子的Fe3+荧光薄膜传感器件制备方法，所制备的超支化共轭聚合物纳米粒子是通过细乳液Suzuki聚合的方法获得，纳米粒子的平均粒径为10.6 nm并具有较高的荧光量子产率将可分散超支化共轭聚合物纳米粒子通过旋涂的方法在玻璃基底表面制备荧光薄膜传感器件。本发明所制备的薄膜传感器件对Fe3+有较高的识别能力和灵敏度及可逆性，具有潜在的应用价值，同时所制备的Fe3+荧光薄膜传感器件可实现逻辑门应用，具有良好的应用前景。
基于分散超支共轭聚合物纳米粒子 fe sup 荧光薄膜传感器件制备方法

[发明专利]变焦液体填充透镜机构-CN201610417342.2有效
发明人：阿米塔瓦·古普塔;卡里姆·哈罗德;尔本·肖纳勒 -专利权人：阿德伦丝必康公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02B3/14 文献下载
摘要：薄膜密封蓄液器，并且塞件冲击薄膜。诸如镜筒螺丝或杠杆的移动装置沿受控方式使塞件移动接近薄膜以增大蓄液器内的压力从而迫使流体离开蓄液器进入透镜腔，并移动远离薄膜以减小蓄液器内的压力从而将流体从透镜腔引出并进入蓄液器。
变焦液体填充透镜机构

[发明专利]用于制造图像记录体的方法及装置-CN200510085098.6有效
发明人：江草尚之;小寺哲郎 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G03G13/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造图像记录体的方法，包括：成像，以通过电子照相方法在薄膜的表面上形成图像；定位，通过将所述薄膜叠放在支撑件上从而使该支撑件的至少一侧与所述薄膜的形成有图像的一侧彼此相对，以获得层压体；以及加热和挤压所述层压体，其中，在所述定位与加热和挤压之间的时间和所述成像与定位之间的时间中的至少一个时间中，对所述层压件的表面、所述薄膜的表面和所述支撑件的表面中的至少一个表面进行清洁。
用于制造图像记录方法装置

[发明专利]在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法-CN200510110566.0有效
发明人：江风益;邵碧琳;王立;方文卿 -专利权人：南昌大学
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(In_xGa_yAl_1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(Zn_x本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。
衬底制备质量发光半导体薄膜方法

[发明专利]一种蓄水渗膜及其制备方法-CN200510102447.0有效
发明人：张增志 -专利权人：中国矿业大学（北京）;华北石油开拓物资有限公司
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： A01G25/00 文献下载
摘要：本发明的一种蓄水渗膜及其制备方法，是在塑料薄膜上开有渗水孔，并在渗水孔处设有渗水体。塑料薄膜的原料为可降解聚乙烯，由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯与低温热氧化剂组成，在低温热氧化剂的作用下吹制式蓄水渗膜可以在自然条件下降解。渗水体为导水纤维块，在使用中水由塑料薄膜上的导水纤维块处渗入周围的土壤中，根据当地土壤的情况与植物种类可以改变塑料薄膜渗水孔的大小与数量，来控制渗水量。
一种蓄水及其制备方法

[发明专利]一种MOFs衍生NiO电致变色薄膜的制备方法-CN201711392722.6有效
发明人：李耀刚;梁浩;李然;王宏志;张青红;侯成义 -专利权人：东华大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOFs衍生NiO电致变色薄膜的制备方法，包括：将对苯二甲酸PTA、镍盐溶于N,N‑二甲基甲酰胺DMF中，滴加去离子水，得到PTA‑Ni‑MOFs前驱体溶液；将预处理后的FTO玻璃置于前驱体溶液中水热反应，冷却，经清洗，真空干燥，得到表面附着有PTA‑Ni‑MOFs薄膜的FTO玻璃；进行热处理，得到MOFs衍生NiO电致变色薄膜。本发明的制备方法简单方便，可规模化生产；所获得的MOFs衍生NiO薄膜材料具有完好的孔道结构和高效稳定的电致变色性能，在电子显示、建筑幕墙和智能家居等领域具有重要应用价值。
一种 mofs 衍生 nio 变色薄膜制备方法

[发明专利]CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用-CN201711281101.0有效
发明人：沈悦;徐宇豪;张宗坤;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
cdznte 薄膜 aln 紫外光探测器制备方法应用

[发明专利]一种湿法流延凝固成型薄膜制备方法-CN201810089700.0有效
发明人：冯娇;边莎;孙伟 -专利权人：中国久远高新技术装备公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法流延凝固成型薄膜制备方法，包括：将高分子树脂溶解于溶剂A中形成高分子溶液，经T型或衣架式流延模头挤出的树脂溶液涂布到成型辊上并在辊体表面形成高粘度树脂液体膜，成型辊的转动带动液体膜进入到溶剂B进行凝固，形成凝胶薄膜后剥离成型辊，再由导向辊组导向至多级洗涤装置进行洗涤，洗涤干净后进入双向拉伸装置拉伸，然后再进入烘干装置烘干、切边、计量，最后卷绕为成品薄膜。本发明能够满足生产性能均一、厚度均匀、表面光滑平整的高性能薄膜产品。本发明中树脂溶液配制的粘度适应范围宽，成型容易，便于操作。
一种湿法凝固成型薄膜制备方法