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[发明专利]有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法-CN201610916619.6有效
发明人：闵苏 -专利权人：南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，包括以下步骤：(1)制作石英基板；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影
有机膜技术 ito 薄膜技术共用掩膜板方法

[发明专利]使用薄膜技术制造半导体芯片的方法以及使用薄膜技术的半导体芯片-CN200580025465.1有效
发明人：贝特霍尔德·哈恩;福尔克尔·黑勒;斯特凡·凯泽;安德烈亚什·普洛索 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用薄膜技术制造半导体芯片(1)的方法，其具有以下步骤：将有源的层序列施加到生长衬底(3)上，随后在所述有源的层序列上构造结构化的、反射的导电的接触材料层。
使用薄膜技术制造半导体芯片方法以及

[发明专利]在活塞表面制备复合薄膜技术-CN201210550953.6无效
发明人：张俊彦;张斌;强力 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种在活塞表面制备复合薄膜技术。技术方案是：磁控溅射镀CrAl粘结层；磁控溅射沉积金属氮化物梯度层；掺杂类金刚石梯度复合涂层沉积，最后在碳素钢、铝合金等表面获得多层梯度类金刚石纳米复合涂层。
活塞表面制备复合薄膜技术

[发明专利]磁控等离子溅射硅薄膜技术-CN201110190732.8无效
发明人：陈谊浩;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明主要在提供另一种制作硅薄膜太阳能膜层的方法。此发明主要包含power supply、腔体机台本体、matching box、机械帮浦、高速帮浦、加热板。由於一般制作硅薄膜主流之制程技术主要以化学气相沈积法(CVD)为主，其缺点在於系统设备昂贵、且所使用之气体具有毒性，故本发明目的在使用物理气相沈积法(PVD)直接沈积多晶硅，不仅制程容易、且低成本、无污染又微晶硅薄膜太阳能电池之可靠度较佳，且较无光劣化效应之问题，故在成本与可行性方面之考量下，本发明以混通氢氢，并使用反应磁控溅镀之方式成长微晶硅薄膜。
等离子溅射薄膜技术

[发明专利]一种应用于溶胶镀膜技术的薄膜干燥方法-CN201410177342.0有效
发明人：田野;刘勇;罗飞;成波;刘大博 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明属于功能薄膜技术领域，尤其涉及一种应用于溶胶镀膜技术的薄膜干燥方法。本发明开发了一种应用于溶胶镀膜技术的薄膜加热干燥工艺。它不同于传统的对溶胶膜进行全表面均匀加热的方式，而是在薄膜的左右对称两侧施加定向热场，利用快速升温处理，从而在薄膜表面形成较大的温度梯度分布，最终实现薄膜从边缘向中心的逐次定型成膜。该工艺可以有效抑制薄膜干燥过程中的收缩变形，能耗低且制备周期短，其工艺简单可控，不需要昂贵的设备，同时对需制的薄膜材料、尺寸以及衬底种类无特殊要求，为溶胶镀膜中的干燥工艺提供了一种低成本、短周期、可工业化实施的新技术
一种应用于溶胶镀膜技术薄膜干燥方法

[发明专利]一种光学镀膜方法以及使用该方法的光学镀膜机-CN200810150923.X无效
发明人：杭凌侠;弥谦;刘卫国;徐均琪;梁海峰;潘永强;惠迎雪 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及光学制造和光电元器件生产设备技术领域，具体涉及一种光学镀膜方法以及使用该方法的光学镀膜机。本发明要解决现有技术存在的无法满足各种光学薄膜和光电功能多层薄膜以及光电微系统制备的需求，且设备投入成本高的问题。为解决现有技术存在的问题，所提供的技术方案是，一种光学镀膜方法，是将真空阴极电弧镀膜技术、磁控溅射镀膜技术和热蒸发镀膜技术根据薄膜种类进行组合使用，使用中被镀件始终保持在真空状态下，实时进行蒸发源的快速转换同时提供一种光学镀膜机，包括真空镀膜室，温度控制系统，膜厚控制系统，气体流量提供、控制系统和薄膜蒸发系统，所述薄膜蒸发系统包括阴极真空电弧发生装置、磁控溅射装置和热蒸发装置。
一种光学镀膜方法以及使用

[发明专利]一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法-CN201811524521.1在审
发明人：史旭;徐瑶 -专利权人：纳峰真空镀膜（上海）有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，具体地说是一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法。一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，包括基材、底层、TAC薄膜层、含氟TAC层，其特征在于：具体步骤如下：S1：在基材的表面使用磁控溅射镀膜方式镀一层金属底层；S2：在底层的表面使用FCVA镀膜技术镀一层高耐磨性的TAC薄膜层；S3：在TAC薄膜层的表面使用FCVA镀膜技术镀一层含氟TAC薄膜层。同现有技术相比，使用FCVA技术，在基材上镀一层疏水性类金刚石涂层，同时达到高耐磨防腐等对基材的保护性能。其中滴水角可以达到110°以上。FCVA技术制备的TAC可以具有高耐磨性等特点，所以在表层进行氟掺杂后，可以大大提升产品的疏水性和耐磨性。
薄膜层氟掺杂基材制备类金刚石薄膜镀膜技术疏水耐磨性疏水性含氟磁控溅射镀膜类金刚石涂层保护性能高耐磨性金属底层高耐磨防腐滴水

[实用新型]光学薄膜-CN03203983.2无效
发明人：叶文灿 -专利权人：叶文灿
申请日： 2003-02-14 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：一种光学薄膜，其包括：一透光基材；在该透光基材的一面通过表面镀膜技术堆栈有至少一层抑制反射的第一薄膜、一层增加色彩饱和度的第二薄膜及一耐磨的第三薄膜，并在透光基材另一面通过表面镀膜技术配置有一增加视角的菲涅耳环板结构该光学薄膜提高了光学特性及物理强度，并具有抗反射、增加色彩饱和度、耐磨及扩大视角等多重效果。
光学薄膜

[发明专利]一种激光薄膜及其制备方法和应用-CN201711177793.4有效
发明人：卫耀伟;许乔;张清华;王建;王震;吴倩;张飞;潘峰 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种激光薄膜及其制备方法和应用，涉及光学薄膜技术领域。一种激光薄膜的制备方法，包括：以HfCl
一种激光薄膜及其制备方法应用

[发明专利]金刚石单晶镀超硬薄膜技术-CN95103139.2无效
发明人：雷勤才;樊联哲 -专利权人：樊联哲;雷勤才
申请日： 1995-03-22 - 公布日： 1995-10-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石单晶镀超硬薄膜技术，其目的是在金刚石晶体表面镀一层氮化钛薄膜，其工艺主要包括，清洗金刚石，使其表面达到次原子级，原子级，装料调整真空镀膜炉内的自动振动翻滚装置镀膜。
金刚石单晶镀超硬薄膜技术

[发明专利]一种制作复合半导体薄膜材料的方法-CN201010247619.4有效
发明人：李冬梅;侯成诚;刘明;周文;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。
一种制作复合半导体薄膜材料方法

[发明专利]一种可见光与长波红外全介质薄膜分色元件及设计方法-CN201710694593.X有效
发明人：刘华松;陈丹;姜玉刚;王利栓;杨霄;季一勤 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，特别是有关光学分光的薄膜技术，具体涉及一种可见光波段(0.4～0.7μm)反射和长波红外波段(7～10μm)透射的全介质薄膜分色元件及设计方法。与传统的介质‑金属‑介质膜系结构不同，本发明提出的分色元件，在ZnS或ZnSe基底上采用全介质薄膜材料设计，按照可见光反射红外透射的方式进行分光，可见光平均分光效率达到80％以上，长波红外平均分光效率达到
一种可见光长波红外介质薄膜分色元件设计方法

[发明专利]膜技术解水槽-CN201010500851.4无效
发明人：褚礼政 -专利权人：褚礼政
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C25B1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种膜技术解水槽，包括循环管道、正电极、负电极、氧气腔、氢气腔、选择膜、减压阀、循环增压泵，所述的氧气腔和氢气腔并联设置，它们之间由所述选择膜隔开，该选择膜为孔隙膜，其微孔直径与氢离子相当，只允许氢离子通过该膜技术解水槽不仅可以有效地电解水，制取氢气和氧气，而且可以在很低的电解电压下进行，具有很高的安全性。
膜技术水槽

[发明专利]西瓜套膜技术-CN200710168940.1无效
发明人：易华 -专利权人：易华
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： A01G13/02 文献下载
摘要：西瓜套膜技术，是将七彩气球在西瓜幼小时直接套在西瓜上，使其自然生长。一般西瓜种植模式是粗放型管理，使其自然生长，西瓜自然受到大气污染、病虫害的侵蚀、药物的侵害、雨水的浸泡等，其品质受到严重影响。本人在2007年5月试种0.5亩西瓜，部分采用套膜技术，试验结果发现：套膜技术与未套膜品质差异大，套膜西瓜口感极好，糖份高，西瓜表面光滑，色泽好看，售价高于普通西瓜三倍以上。
西瓜膜技术

[实用新型]膜技术透水砖-CN202021250675.9有效
发明人：李晓冬;蔡四一;王思伟;王思成;蒋如义 -专利权人：武汉海绵城市建设有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： E01C5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了膜技术透水砖，包括防油透水砖、拼接块、密封垫、限位块和拼接头，所述防油透水砖两侧且上下两端均开设有一个拼接槽，相邻两个防油透水砖连接处的拼接槽内卡接有一个拼接块，所述拼接块与拼接槽连接处均固定连接有一个密封垫
膜技术透水

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