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[实用新型]蒸发源装置-CN201721226712.0有效
发明人：罗鹏;邱林林 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，辅助蒸发源和围绕所述辅助蒸发源设置的主蒸发源，所述主蒸发源和所述辅助蒸发源分别具有至少一条蒸发通道，所述辅助蒸发源的蒸发通道向所述主蒸发源一侧倾斜延伸。本实施例提供的蒸发源装置将辅助蒸发源的蒸发通道设置成向主蒸发源一侧倾斜延伸，使主蒸发源和辅助蒸发源的蒸镀角相互重合的范围增大，改善了蒸镀基板上膜厚的稳定性和均一性，进而提高了蒸镀产品的稳定性；在保证主蒸发源与辅助蒸发源中所蒸镀出的主体材料和掺杂材料掺杂均一性的前提下，因辅助蒸发源的蒸镀速率相比主蒸发源的蒸镀速率低，角度限制板处材料沉积减少，进而减少了蒸发源装置在蒸镀过程发生生产宕机的现象。
蒸发源蒸镀蒸发源装置蒸发通道倾斜延伸均一性角度限制板材料沉积掺杂材料范围增大蒸镀基板主体材料上膜重合宕机掺杂保证生产

[发明专利]蒸发源装置-CN201310303862.7在审
发明人：杨红领;龚智豪;李潍萌 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸发源装置，设于一真空腔室内，用于向一基板上蒸镀薄膜。蒸发源装置包括蒸发器和至少一升降器。蒸发器用于蒸发放置于其中的蒸镀材料，该蒸发器包括筒体和筒座。本发明中，蒸发器采用分体式结构，筒座能在升降器的带动下沿筒壁上下移动。随着蒸镀材料的使用，筒座逐渐上升，使蒸发器内的蒸镀材料与基板之间的距离大致保持不变，因此能够避免或减少蒸镀材料残留于蒸发器底部。因此，使用本发明的蒸发源装置，蒸镀材料利用率高。
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN202010259716.9在审
发明人：汪国杰 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本申请提供一种蒸发源装置，本申请中每一排中主坩埚和辅助坩埚的喷嘴位于相同高度，线性交替排列，主坩埚和辅助坩埚的蒸镀区域完全重合，解决了掺杂蒸镀多种材料的膜层均一性差及膜层的性质不同的技术问题，从而改善OLED
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN202210522023.3在审
发明人：孙亮;杨俊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸发源装置，包括真空室以及位于真空室内的基座、至少一个真空盒、至少一个控制阀门；至少一个真空盒设置于基座上，真空盒内设置有坩埚；真空盒与控制阀门连接；控制阀门包括相对设置的第一管口和第二管口第一管口与真空盒相连通，第二管口与真空室相连通；本发明通过将坩埚设置于真空盒内，可以阻挡飞溅的原料蒸镀至基板，通过使真空盒内产生的蒸镀源通过控制阀门进入真空室内，可以通过改变控制阀门的开合程度，从而控制蒸气流量，从而在蒸发镀膜过程中时刻控制镀膜的厚度
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN201010124400.5无效
发明人：李适维;邱振海;黄伟民;林清儒 -专利权人：绿阳光电股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，以在大面积的基板制作时，避免蒸镀材料溢流，提高蒸镀材料的利用率。本发明的蒸发源装置包含一坩锅及一喷嘴盖体。该坩锅上侧配设一内阶梯状套接段，且具有一第一容置空间及第二容置空间，借由加热该坩锅使蒸镀材料的分子蒸发。
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN201010124417.0无效
发明人：李适维;邱振海;黄伟民;林清儒 -专利权人：绿阳光电股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，以在大面积的基板制作时，提高蒸镀物的均匀性及蒸镀材料的利用率。本发明的蒸发源装置包含一坩锅及一喷嘴盖体。该坩锅系容纳一蒸镀材料，借由加热该坩锅使该蒸镀材料的分子蒸发。
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN201010124407.7无效
发明人：李适维;邱振海;黄伟民;林清儒 -专利权人：绿阳光电股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，以在大面积的基板制作时，提高蒸镀物的均匀性及蒸镀材料的利用率。本发明的蒸发源装置包含一坩锅及一喷嘴盖体。该坩锅具有一第一容置空间及第二容置空间，借由加热该坩锅使蒸镀材料的分子蒸发。
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN201010124409.6无效
发明人：李适维;邱振海;黄伟民;林清儒 -专利权人：绿阳光电股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，以在大面积的基板制作时，避免蒸镀材料溢流，提高蒸镀材料的利用率。本发明的蒸发源装置包含一坩锅及一喷嘴盖体。该坩锅上侧配设一内阶梯状套接段，系容纳一蒸镀材料，借由加热该坩锅使该蒸镀材料的分子蒸发。而该喷嘴盖体设置于该坩锅的上方，具有一斜孔喷嘴及一直孔喷嘴，该斜孔喷嘴与该直孔喷嘴连接于该坩锅。
蒸发装置

[发明专利]蒸发源装置-CN200580043015.5无效
发明人：福田辰男 -专利权人：双叶电子工业株式会社
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸发源装置，包括：熔融部(24)、滞留部(21)、蒸发部(22)、喷射部(23)。对筒状发热体(241)、(211)通电而发热，使线状的蒸发材料(31)熔融。熔融的蒸发材料(32)从加热容器(242)移动到加热容器(212)并滞留。加热容器(212)的蒸发材料(32)从降下用开口(216)沿着降下用柱状体(224)降下。在其降下的过程中，蒸发材料(32)由于筒状发热体(221)的辐射热而蒸发。蒸发材料(32)的蒸气从喷嘴(232)向基板(61)喷射。
蒸发装置

[发明专利]一种蒸发源装置-CN201710722815.4在审
发明人：沐俊应;李相烨;李先杰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸发源装置，该蒸发源装置包括蒸发源，设置在所述基板的下方；蒸发源遮挡板，设置在所述蒸发源和所述基板之间；驱动部件，与所述蒸发源遮挡板电性连接；所述驱动部件用于驱动所述蒸发源遮挡板相对于所述蒸发源旋转，并控制所述蒸发源遮挡板在镀膜过程中的旋转速率，以调整所述蒸发源的蒸镀速率。本发明的蒸发源装置，能够在镀膜过程中控制蒸发源的镀膜速率。
一种蒸发装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202310017437.5在审
发明人：菅原由季;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置及成膜方法，当在成膜装置中进行多层成膜时，抑制成膜质量的降低。成膜装置具备一边移动一边在基板上进行成膜的蒸发源单元。蒸发源单元包含分别放出蒸镀物质的第一蒸发源、第二蒸发源及第三蒸发源。在蒸发源单元的成膜时的移动方向上依次排列有第一蒸发源、第二蒸发源、第三蒸发源。移动方向上的第一蒸发源及第二蒸发源之间的距离比移动方向上的第二蒸发源及第三蒸发源之间的距离长。
装置方法

[实用新型]蒸发源装置以及溅射镀膜设备-CN201820020691.5有效
发明人：徐旻生;庄炳河;龚文志;张永胜;满小花;王应斌 -专利权人：爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型属于真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种蒸发源装置以及溅射镀膜设备，其中，蒸发源装置包括第一蒸发源机构、与所述第一蒸发源机构水平错位的第二蒸发源机构以及用于驱动所述第二蒸发源机构上下运动的升降驱动机构由于将蒸发源装置分为第一蒸发源机构和第二蒸发源机构，第一蒸发源机构和第二蒸发源机构能够单独供应，且还由于第二蒸发源机构与第一蒸发源机构水平错位，升降驱动机构能够驱动第二蒸发源机构上下运动，这样，当出现出料量不同时，则可通过升降驱动机构驱动第二蒸发源机构上下运动，以改变第一出料口与第二出料口之间的出料位置，能够调整镀膜的厚度，从而提高镀膜的均匀性。
蒸发源机构蒸发源装置升降驱动机构上下运动溅射镀膜设备水平错位出料口镀膜驱动真空溅射镀膜本实用新型出料位置出料量均匀性

[实用新型]多蒸发源装置及真空系统-CN202223115701.9有效
发明人：谢斌平;郭维;顾杰;张朱峰 -专利权人：费勉仪器科技（南京）有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种多蒸发源装置及真空系统，多蒸发源装置包括：真空法兰；以及多个蒸发源组件，设置在真空法兰上，多个蒸发源组件包括：第一蒸发源组件，包括：第一坩埚，用于盛放第一蒸发源材料；第一加热装置，与第一坩埚热耦合，用于加热第一坩埚中盛放的第一蒸发源材料；以及第二蒸发源组件，包括：第二坩埚，用于盛放第二蒸发源材料；第二加热装置，与第二坩埚热耦合，用于加热第二坩埚中盛放的第二蒸发源材料。
蒸发装置真空系统

[发明专利]一种蒸发源装置-CN201810947012.3有效
发明人：黄伟 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸发源装置，所述蒸发源装置包括真空腔室以及蒸发源切换装置，所述真空腔室包括：腔体、设置于所述腔体侧壁上的真空阀以及设置于所述腔体侧壁上的真空管路；所述蒸发源切换装置包括：至少两个蒸发源载盘、设置于所述蒸发源载盘上的蒸发源以及用于运送所述蒸发源的传动机构，通过将蒸发源设计为具有独立真空系统的多个独立蒸发源，并采用机械传动装置切换蒸发源的方法，省去现有技术中开腔给蒸发源加料、抽真空、升温加热的工艺流程
一种蒸发装置

[发明专利]蒸镀装置-CN202310486493.3在审
发明人：董晴晴;范刘静 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种蒸镀装置，包括：包括：多个点源蒸发源；蒸发源包括第一蒸发源和第二蒸发源，第一蒸发源的出口释放主材料，第二蒸发源的出口释放掺杂材料；沿第一方向上蒸发源排列组成蒸发源行，沿第二方向上蒸发源排列组成蒸发源列，第一方向与第二方向相交；沿第二方向上，相邻的两个蒸发源行中，至少包括第一蒸发源与第二蒸发源相邻，且沿第一方向上，相邻的两个蒸发源列中，至少包括第一蒸发源与第二蒸发源相邻。
装置

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