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[发明专利]一种肖特基器件用硅外延片的制备方法-CN202010341314.3有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基器件用硅外延片的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体，对基座上残余沉积物质进行刻蚀；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体，基座表面沉积一层无掺杂的致密多晶硅；将基座温度降低，向基座上装入硅衬底片；基座升温，对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体，基座下部流入与主工艺氢气流动方向相反的辅助氢气，三氯氢硅在管路中排空；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行硅外延层生长；硅外延层生长完成后，降温后从基座上取出。
一种肖特基器件外延制备方法

[实用新型]一种用于炉鼻子冷却的气体混合器和冷却装置-CN201620507537.1有效
发明人：强晓彬;王鲁 -专利权人：宝钢新日铁汽车板有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C23C2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于炉鼻子冷却的气体混合器，包括氮气腔体，其与氮气进气管连通；氢氮混合气腔体，其与氢氮混合气进气管连通；孔板，其设于所述氮气腔体与氢氮混合气腔体之间以将二者分隔开。本实用新型所述的气体混合器能够混合氢氮混合气体与氮气来进行冷却，同时在氢氮混合气体停止进气的情况下仍能通入少量氮气进行冷却。此外，通过对氢氮混合气腔体和氮气腔体容积的调节可以改变混合气体量，从而对小管径混合气体的气体流量调节的操作更为方便。
一种用于鼻子冷却气体混合器装置

[发明专利]四翼型射频四极场加速器腔体氢炉钎焊方法-CN201410342677.3有效
发明人：孙国平;谢春安;李学敏;牛小强;张小奇;雷海亮;王文进;徐大宇;王丰 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及四翼型射频四极场加速器腔体的氢炉钎焊的制造新工艺技术领域，尤其是涉及一种四翼型射频四极场加速器腔体氢炉钎焊方法。钎焊夹具要涉及到钎焊零件的固定、装配、进炉、钎焊、出炉整个过程，夹具是否合理和实用直接影响到钎焊质量。其采用新紧固结构的焊接方式之后，腔体焊接的成功率大大提高，焊接后的腔体表面电阻小、导电性能好、稳定性佳、外形尺寸及形状变形小、真空指标好，改善和提高了四翼型RFQ加速器腔体的整体性能。
四翼型射频四极场加速器腔体氢炉钎焊方法

[发明专利]一种MOS器件结构用双层外延的制备方法-CN202010341315.8有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOS器件结构用双层外延的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体；向反应腔体内基座上装入硅衬底片；通入主工艺氢气对反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入反应腔体；稀释氢气携带磷烷气体组成混合气；进行第一层硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行第二层硅外延层的生长；第二层硅外延层生长完成，降温后从基座上取出
一种 mos 器件结构双层外延制备方法

[发明专利]一种亚硫酸氢铵合成方法及设备-CN202111433067.0在审
发明人：李锦山;王海荣;李正健;陈天坤;吴灵燕 -专利权人：启东亚太药业有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01D53/26 文献下载
摘要：本发明涉及化学生产设备技术领域，具体涉及一种亚硫酸氢铵合成方法及设备；包括底板、处理箱、隔板、焚硫炉、蒸发器、过热器、吸收塔、抽气泵、过滤组件和干燥组件，处理箱、焚硫炉、蒸发器、过热器和吸收塔从左到右依次安装在底板上，并通过导管将内部连通，隔板设置在处理箱的内部，并将处理箱内部分隔成三个腔体，分别为左腔体、右腔体和下腔体，抽气泵设置在处理箱的外侧，抽气泵的输出端与左腔体连通，过滤组件设置在处理箱上，干燥组件用来干燥进入处理箱内部的空气，通过将空气原料中的水分去除，再硫磺混合燃烧，防止在焚硫炉中燃烧产生三氧化硫对焚硫炉造成氧化损坏，延长焚硫炉的使用寿命。
一种亚硫酸合成方法设备

[实用新型]静态式氢碎炉氢碎料盒-CN201020562711.5有效
发明人：武兴华;杨庆忠 -专利权人：宁波韵升股份有限公司;宁波韵升高科磁业有限公司;包头韵升强磁材料有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B22F9/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种静态式氢碎炉氢碎料盒，包括料盒主体，其特征是：料盒主体内腔的下部由相互平行的条状腔体连接而成，其截面为方波形，在料盒主体上设有盖板。其优点是：由于料盒主体内腔的特殊结构，使得料盒装料量大幅增加，减少了料盒的使用数量，提高了氢碎炉工作效率，降低了劳动强度，且导热系数高，变形量小，改善了钕铁硼粉末粒度分布与粉末颗粒形状。
静态式氢碎炉氢碎料盒

[发明专利]一种氢气加热装置及氢气还原铁系统-CN202310369741.6在审
发明人：王纪琨;董琨;陈斌;肖震;何家祥;王国勇 -专利权人：清航空天（北京）科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C21B13/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种氢气加热装置及氢气还原铁系统，属于氢冶金技术领域，氢气加热装置包括旋转爆震燃烧室和氢气加热管道，旋转爆震燃烧室包括环形腔体，环形腔体上设有氧化剂注入管道和燃料注入管道；氢气加热管道贯穿环形腔体，环形腔体的中心轴线与氢气加热管道的中心轴线重合。氢气还原铁系统氢气加热装置和氢气还原铁竖炉，氢气加热装置位于氢气还原铁竖炉外部，氢气加热管道与氢气还原铁竖炉连接，通过本申请的处理方案，提高了氢气加热效率。
一种氢气加热装置还原系统

[发明专利]一种高频器件用硅外延片的制备方法-CN202010341350.X有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频器件用硅外延片的制备方法，硅外延炉反应腔体的基座升温，通入氯化氢气体对硅外延炉反应腔体的基座进行一次刻蚀，随后将基座温度降温；硅衬底片装在硅外延炉反应腔体的基座上，对硅衬底片表面进行气相抛光；使用氢气对反应腔体进行吹扫；三氯氢硅原料位于鼓泡器内，以氢气鼓泡的方式进入反应腔体，作为硅外延层的生长原料；硅外延片的硅外延层生长完成后，待温度降低后从基座上取出；硅衬底片导电类型为N型，电阻率低于0.005Ω
一种高频器件外延制备方法

[发明专利]一种制备含微孔的铝合金的熔炼炉-CN201810877457.9在审
发明人：钟莺 -专利权人：荆门它山之石电子科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： F27B14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备含微孔的铝合金的熔炼炉。所述熔炼炉包括：壳体、加热组件、内套、驱动组件、搅拌叶片、炉盖、连通管、抽气泵和混料箱，炉盖上设置有氮气注入口和氢气注入口，氮气注入口和氢气注入口均与内套和炉盖围成的腔体连通，连通管的一端与驱动组件的驱动轴连接，连通管的另一端穿过炉盖并伸入腔体内，连通管的另一端开设有出口，搅拌叶片布置在腔体内并安装在连通管上，混料箱套设在连通管上，混料箱上开设有原料进口，连通管的管壁上开设有连通孔。载氢剂通过该熔炼炉制成的铝合金成品中富含许多微小的气泡，这些微小的气泡使得成品能够具有透气、透油或透水的功能，且在制备过程中对环境没有污染。
连通管熔炼炉注入口炉盖混料箱氮气搅拌叶片驱动组件氢气铝合金内套微孔制备体内铝合金成品加热组件腔体连通原料进口制备过程抽气泵连通孔驱动轴透气富含管壁壳体氢剂伸入透水穿过污染出口

[实用新型]一种铸片破碎装置-CN201820247902.9有效
发明人：金小平;周铁夫;刘健 -专利权人：江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B02C13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铸片破碎装置，该铸片破碎装置包括破碎机，所述破碎机包括腔体，腔体的顶端开设有铸片入口，底端开设有铸片出口；所述破碎机还包括设置于腔体内的连接部、用于驱动连接部转动的驱动部以及固设于连接部的至少一组锤头组件使用时，启动驱动部，驱动部带动连接部在腔体内转动，锤头组件随之转动。并将铸片自铸片入口置于腔体内，铸片在锤头组件的锤打撞击作用下破碎，破碎后的铸片依靠重力自铸片出口排出。然后，将经破碎机破碎过的铸片置于氢碎炉中，进行常规的氢碎。本实用新型提供的铸片破碎装置，不仅破碎效率高，而且可以规避由于氢碎时间较长造成生产危险程度更大的风险，具有较高的安全性。
铸片破碎机破碎装置破碎锤头组件转动本实用新型体内驱动腔体驱动连接常规的氢碎炉锤打底端固设排出出口生产

[发明专利]一种氨分解炉胆-CN201911044346.0在审
发明人：池文增;冯玉桥;冯莉莉 -专利权人：苏州海连净化设备有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氨分解炉胆，包括进氨管，进氨管周围包覆有进氨管加强套管，进氨管加强套管外侧由上而下依次设有长边椭圆形封头A、短边椭圆形封头A、短边椭圆形封头B与长边椭圆形封头B、封头隔离管、出氢管、出氢管法兰、耐腐蚀板、定位管、出氢支管A、出氢支管B、分解桶、椭圆型封头、上筛板、催化剂与下筛板。本发明的有益效果：采用中间进氨，并做了加厚套管，延长氨气管与炉内热交换的时间，让进氨的温度达到设计温度，并得到充分的汽化。氨气进入缓冲包后，气流在内腔分布均匀，分别进入到支管进行分解，腔体底部设计了耐腐蚀板，可以大大延长炉胆的使用寿命。
椭圆形封头进氨管支管加强套管耐腐蚀板出氢管长边短边氨气汽化椭圆型封头分解氨分解炉使用寿命加厚氨气管定位管隔离管缓冲包上筛板下筛板包覆法兰封头炉胆内热腔体套管催化剂交换

[发明专利]一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法-CN202010341318.1有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法，在高温下硅外延炉石英腔体对基座上残余沉积物质进行刻蚀；向基座上装入表面带有图形的硅衬底片；对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入氯化氢气体对硅衬底片表面气抛；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；携带气态三氯氢硅进入硅外延炉石英腔体，进行硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；继续进行硅外延层的生长；硅外延层生长完成后从基座上取出，形成表面带有图形的硅衬底片，硅外延层的厚度5点均值为
一种降低图形漂移厚层硅外延制备方法

[实用新型]半导体陶瓷电容器还原烧成炉-CN201320264077.0有效
发明人：李言;黄瑞南;林榕 -专利权人：汕头高新区松田实业有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： F27B9/04 文献下载
摘要：一种半导体陶瓷电容器还原烧成炉，包括炉体和炉膛，炉膛安装在炉体上，其特征是：所述炉膛包括炉管，炉管沿水平方向设置，炉管由自前至后依次相连接的炉管前段、炉管中段和炉管后段组成，炉管中段处在炉体的腔体内，炉管前段和炉管后段处于炉体外；炉管中段的外壁上绕有钼丝；炉管前段的前端设有炉管入口，炉管入口处设有入口炉门和第一火帘；炉管后段的后端设有炉管出口，炉管出口处设有出口炉门和第二火帘；所述半导体陶瓷电容器还原烧成炉还包括能够为炉体腔体、炉管腔体、第一火帘和第二火帘提供氮氢混合气体的氮氢混合气体供给装置。
半导体陶瓷电容器还原烧成

[实用新型]氢碳熔融还原法炼铁用真空-加压感应熔炼炉-CN201320373262.3有效
发明人：牟鑫;杨洪帅;邢旺 -专利权人：沈阳真空技术研究所
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C21B11/10 文献下载
摘要：本实用新型属于真空冶金设备领域，尤其涉及一种氢碳熔融还原法炼铁用真空-加压感应熔炼炉，它包括电源系统、台车（1）、炉体（13）、炉盖（4）、感应器（5）、取样测温顶吹装置（7）、废气处理装置（8）、充气系统（15）、螺旋振动加料装置（9）及真空系统（10）；感应器（5）及炉盖（4）与台车（1）固定相接；废气处理装置（8）及取样测温顶吹装置（7）工作端口与炉体（13）工作腔体相通；螺旋振动加料装置（9）的出料端口与炉体（13）工作腔体内的坩埚入口相接；真空系统（10）及充气系统（15）的端口分别与炉体（13）工作腔体相通。
熔融还原法炼铁真空加压感应熔炼炉

[实用新型]一种金属复合板生产线用加热炉-CN201620809631.2有效
发明人：杨亚晴;杜成;田博;于静涛;任立信;刘忠诚 -专利权人：北京钢研新冶工程设计有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型属于冶金领域，涉及一种金属复合板生产线用加热炉。该加热炉包括依次气密固接的多个入口密封室(a)、加热段(b)、纠偏汇合辊室(c)和出口密封室(d)；其中，加热段(b)根据基板和覆板数目分隔为多个腔体，每个腔体的入口端气密固接一个入口密封室(a)；纠偏汇合辊室本实用新型可实现基板、覆板同时加热，互不影响；加热炉内通以氮氢保护气，巧妙地入口密封和出口密封设计将炉内外气氛隔绝开来，保证了炉内的还原气氛；增加纠偏装置，实现基板、覆板的对中。
一种金属复合板生产线加热炉

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