专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种仿秦岭箭竹叶疏雪结构-CN202210180336.5在审
  • 何洋;燕则翔;许晓慧;周子丹;郭磊;石小鑫;苑伟政 - 西北工业大学
  • 2022-02-26 - 2022-07-08 - B81B1/00
  • 本发明公开了一种仿秦岭箭竹叶表面微纳结构,该结构可以起到疏雪,防雪的作用,属于材料制备领域。该仿秦岭箭竹叶结构,包括(a)结构,(b)乳突结构。所述结构(a)整体在纵向呈周期性分布,每个周期由纵向的“结构与横向的“肋”结构交错排列而成;结构在每个周期内呈现“低‑高‑低”走势,最低处;与最高处;之间由肋斜纹连接,整体构成若干长方形小单元,正方形四边略高,中心处凹陷;由结构组合形成的斜面微凹结构构成仿秦岭箭竹叶疏雪表面第一层微结构,即结构(a);所述乳突结构(b)均匀分布在整个结构(a)表面上,是第二层结构。本发明详细分析了该微结构表面疏雪机理并且实例数据证明了其能够显著降低雪粘附强度。
  • 一种秦岭箭竹叶疏雪脊肋状微结构
  • [实用新型]一种天敌释放装置-CN202321633595.5有效
  • 乐诗卉;闵杰;洪迪甫;李罡;洪海林;陈德林 - 湖北百米生物实业有限公司;咸宁职业技术学院
  • 2023-06-26 - 2023-10-27 - A01K67/033
  • 本实用新型提供一种天敌释放装置,包括结构和储虫室,所述结构与储虫室固定连接,结构和储虫室均为蜂巢纸板制成,蜂巢纸板内部设有通道,结构的两端均开设有结构下端通道口,储虫室内的底部开设有多个储虫室内壁通道口,储虫室内壁通道口和结构下端通道口均与通道相连通,结构的顶部开设有进出孔,储虫室为盒结构。本实用新型可以防止内部因为空气不流通导致霉变,且蜂巢纸板本身的多孔结构和多层结构,可以为天敌昆虫提供阴蔽的环境,有利于昆虫的发育,提高昆虫的存活率;且适用于存放多种天敌,适用性较强;还可以防止储虫室内部进水
  • 一种天敌释放装置
  • [发明专利]三维存储器元件-CN201510929883.9有效
  • 胡志玮;叶腾豪 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-12-15 - 2019-07-05 - H01L27/11578
  • 本发明公开了一种三维存储器元件,包括多层叠层结构,多层叠层结构包括多个导电条带及多条沟道,以定义出第一、第二、第三和第四叠层;位于第一叠层上的第一串行选择线开关;位于第二叠层上的第一接地选择线开关;第一U形存储单元串行,串接第一串行选择线开关和第一接地选择线开关;位于第三叠层上的第二串行选择线开关;位于第四叠层上的第二接地选择线开关;第二U形存储单元串行,串接第二串行选择线开关和第二接地选择线开关第一字线接触结构与第一叠层的导电条带接触。第二字线接触结构与第二叠层的导电条带接触;第三字线接触结构与第三和第四叠层的导电条带接触。
  • 三维存储器元件
  • [发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN03164978.5无效
  • 谷健太郎 - 夏普株式会社
  • 2003-07-23 - 2004-05-19 - H01S5/22
  • 本发明公开了一种半导体发光器件,包括:半导体衬底;在半导体衬底上形成的堆叠半导体结构;带条纹的结构;以及,位于带条纹的结构的侧面上的半导体电流限制层。堆叠半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层。带条纹的结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层。带条纹的结构位于半导体蚀刻停止层之上。半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×1017/cm3
  • 半导体发光器件及其制造方法
  • [发明专利]一种TFET器件-CN201811619956.4在审
  • 刘奕晨 - 西安科锐盛创新科技有限公司
  • 2018-12-28 - 2020-07-07 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种TFET器件,包括:半导体衬底层(1)、第一外延层(2)、第二外延层(3)、栅极层(4)、源区(5)、漏区(6)和压应变层(7);其中,所述第二外延层(3)为结构,所述栅极层(4)设置于所述第二外延层(3)结构的顶面,所述压应变层(7)设置于所述第二外延层(3)结构的台阶上表面且紧挨部分,所述源区(5)和所述漏区(6)位于所述第二外延层(3)结构的台阶内;本发明提供的TFET器件的载流子迁移率相比传统器件提高了数倍
  • 一种tfet器件

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