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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]背面研磨带-CN201710353834.4在审
发明人：龟井胜利;户田乔之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种背面研磨带，其具有适于背面研磨工序的粘合力，剥离性也优异、且耐酸性和耐碱性优异。本发明的背面研磨带具备基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂，该(甲基)丙烯酸系粘合剂包含(甲基)丙烯酸系聚合物，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含具有碳数为8以上的侧链的构成单元
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN202010128597.3在审
发明人：河野广希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：提供具有优异的耐化学药品性及密合性、并且可防止在晶圆上的残胶的背面研磨带。本发明的背面研磨带具备：基材、和在该基材的一面形成的粘合剂层。本发明的背面研磨带的该粘合剂层的活性能量射线照射前的粘合力为15N/20mm以上。
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN202010182172.0在审
发明人：河野广希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明涉及背面研磨带。提供一种耐热性优异并且即使在高真空和高温工艺中也可以适宜地使用的背面研磨带。背面研磨带包括：基材；和在所述基材的一面上形成的压敏粘合剂层。
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN201910725933.X在审
发明人：龟井胜利;佐佐木贵俊 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是防止背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN202080045154.6在审
发明人：池谷达宏;中西健一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：一种背面研磨带，其具有片状的基材、和在基材的一面形成的粘着剂层，粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN202211210412.9在审
发明人：手柴麻里子;河野广希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及背面研磨带。提供一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。该背面研磨带包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层，其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且其中所述背面研磨带的经
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN201980006221.0有效
发明人：尹美善;金色拉;李光珠;延博拉;金相还;金殷英 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本公开内容涉及背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN201980006006.0有效
发明人：尹美善;金色拉;李光珠;延博拉;朴成灿;金殷英 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及背面研磨带和使用该背面研磨带研磨晶片的方法，所述背面研磨带包括聚合物基底和粘合层，其中所述粘合层包含含有30重量％至60重量％的衍生自玻璃化转变温度为0℃或更高的单体或低聚物的重复单元的(甲基
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN201980010500.4有效
发明人：金殷英;金色拉;李光珠;金相还;朴成灿;尹美善 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：根据本发明的背面研磨带具有优异的耐水性，因此容易地保护图案，并且具有优异的各层之间的粘合性，因此在移除带的过程中各层不分离，使得其适用于背面研磨过程。
背面研磨

[发明专利]背面研磨带-CN201910725480.0有效
发明人：龟井胜利 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C09J7/50 文献下载
摘要：本发明提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是在防止背面研磨时会产生的芯片缺损的同时对凹凸面的追随性优异的背面研磨带。本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，该中间层在23℃下的储能模量E’为200MPa以下，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为
背面研磨

[发明专利]半导体晶片背面研磨控制系统及背面研磨方法-CN201110070909.0有效
发明人：卢祯发;李江浩;陈威宇;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：在控制晶片背面研磨的系统及背面研磨方法中，采用的工作台具有表面，可在背面研磨工艺中支撑半导体晶片。工作台表面中具有一个或多个孔洞，而位于这些孔洞中的一个或多个传感器可监测背面研磨的参数。计算机工艺控制工具可耦接至传感器以接收其输出信号，并以输出信号为依据控制背面研磨工艺。本发明的控制晶片背面研磨的系统和方法能有效减小工艺缺陷并使得半导体晶片在背面研磨工艺中保持厚度一致。
半导体晶片背面研磨控制系统方法

[发明专利]晶圆背面研磨方法-CN201710108299.6在审
发明人：黄海冰 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括本发明可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生ESD。
晶圆保护胶带研磨测量点贴附集成电路晶圆背面背面测量表面处覆盖保证

[发明专利]晶圆背面研磨方法-CN200710045033.8有效
发明人：许顺富;傅俊;陆志卿;赖海长 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种晶圆背面研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；计算研磨厚度，所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。本发明晶圆背面研磨方法可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄，同时却不会增加晶圆的破损率。
背面研磨方法

[发明专利]改善结构强度的半导体器件的制造方法-CN02107681.2有效
发明人：新城嘉昭;下别府祐三;手代木和雄;吉本和浩;吉田英治;早坂昇;渡部光久 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹
改善结构强度半导体器件制造方法

[发明专利]研磨垫、研磨垫的制造方法及研磨方法-CN201910298552.8有效
发明人：王裕标;陈忆萍 -专利权人：智胜科技股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨垫、研磨垫的制造方法及研磨方法，所述研磨垫包括研磨层以及含金属层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面，其中背面具有多个凹洞。含金属层配置于研磨层的背面且填入多个凹洞，其中含金属层与研磨层的背面之间具有第一接触面积，且第一接触面积大于研磨层的垂直投影面积。本发明提供的研磨垫及其制造方法以及研磨方法，使得在研磨制程期间，可调降研磨垫的温度。
研磨制造方法

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