专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN200910172064.9有效
  • 天清宗山 - 三菱电机株式会社
  • 2009-08-28 - 2010-09-08 - H01L29/778
  • 本发明得到抑制栅极电容的增大并可显著改善湿的场效应晶体管及其制造方法。在半导体层(1)上形成有T型栅极电极(2)的场效应晶体管,将形成有T型栅极电极(2)的区域设为晶体管有源区域时,在整个该晶体管有源区域中,具备设置在T型栅极电极(2)上的第一高湿保护膜(5),该膜包含湿和抗蚀刻高的绝缘膜或有机膜,在包括T型栅极电极(2)的伞下在内的T型栅极电极(2)附近,在半导体层(1)与第一高湿保护膜(5)之间形成空隙(6),用第二高湿保护膜(7)来堵住空隙(6)与外界连接的端面(6a)。
  • 场效应晶体管及其制造方法

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